在大多數(shù)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品中，大多是次級側(cè)控制，需要采樣次級側(cè)的信號，使用光耦來傳遞到初級側(cè)，同時必須使用MOSFET。
也有一少部分產(chǎn)品使用初級側(cè)控制，但是對次級側(cè)的信號感測不一定精確，會存在漏感，空載功耗也比較大，
目前僅用于一些小功率的產(chǎn)品如充電器等。
PI將初級側(cè)、次級側(cè)、以及反饋電路在一個單芯片表面貼封裝中，集成了HiPot隔離反饋通信鏈路、集成了650V的MOSFET、還集成了同步整流。
這種控制方式帶來的優(yōu)勢包括：
1. 次級側(cè)直流電壓和電流測量能做到高精度
2. 專有的新的反饋技術(shù)無需要笨重的光耦，省錢
3. 避免在初級側(cè)調(diào)制(PSR)方案的性能折衷
4. 次級側(cè)整流(SSR)設(shè)計在本質(zhì)上對外部元器件的公差不敏感，如變壓器、二極管、電阻和電容。
