原理圖原邊兩路隔離電壓并聯(lián)輸入，副邊輸出6V串聯(lián)成12V。現(xiàn)在是直流輸入（測(cè)試給電），單路6V拉載，原邊MOS管電壓應(yīng)力Vds的漏感振蕩會(huì)到0，這個(gè)是什么原因?qū)е碌哪?？副邊?31和光耦參數(shù)有問(wèn)題嗎？
，求解惑
反激-原邊DS電壓應(yīng)力漏感尖峰振蕩到0，輸出紋波大
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對(duì)RCD參數(shù)進(jìn)行修改： 原本如圖1，Vds=682V； R減小，得到圖2，Vds為658V； C加大，得到圖3，Vds為569。 以上應(yīng)力雖然得到改善，但是向下的尖峰振蕩依然會(huì)降到很低。 D原本用的是GS5M，現(xiàn)在在圖3的基礎(chǔ)上將D改為1us的慢二極管，得到圖4，Vds為489V。尖峰振蕩得到了很大的改善，目前現(xiàn)象是得到了很大的改善，還需要再測(cè)下其他方面會(huì)不會(huì)有異常的負(fù)面影響。（以上Vds應(yīng)力都忘記不限制帶寬了，對(duì)比實(shí)驗(yàn)，請(qǐng)忽
） 圖5用的是ES3J-35ns的二極管，240Vin-dc，Vds直接到了803V，900V的封裝
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