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開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦?快來(lái)試試這個(gè)方法!

我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S, 這是一款高度集成的電流控制型 PWM 控制器,可用于中型到大型的離線式電源轉(zhuǎn)化器。主要特點(diǎn)有:低啟動(dòng)電流、內(nèi)置軟啟動(dòng)、綠色模式獨(dú)有的變頻和跳頻工作模式。主要應(yīng)用于電源適配器及電池充電器。

 

【樣機(jī)圖片】

【輸出規(guī)格】67V2A

 

我們都知道開(kāi)關(guān)MOS管是開(kāi)關(guān)電源中除主控IC外最關(guān)鍵的一個(gè)器件,如果MOS管損壞了,那么整個(gè)電源將完全失效,還有可能會(huì)導(dǎo)致交流短路,這是十分危險(xiǎn)的,MOS擊穿以后也會(huì)導(dǎo)致周?chē)淮笃骷p壞,排查起來(lái)也十分麻煩,所以預(yù)防MOS損壞就十分重要了,那么大家有沒(méi)有遇到過(guò)空載切滿載時(shí) MOS波形會(huì)有過(guò)沖的現(xiàn)象呢,下面我將分享一個(gè)能解決此現(xiàn)象的一個(gè)方法。

       可以看到在沒(méi)改動(dòng)之前MOS波形在空載切滿載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)沖的現(xiàn)象,然后再慢慢下來(lái),雖然只有短短1~2秒鐘,但是如果此時(shí)MOS正好處與較為臨界的狀態(tài)下的話,就會(huì)有超出MOS耐壓值的風(fēng)險(xiǎn),一般我們常用的MOS耐壓值為650V,以下波形為220VAC輸入時(shí)的MOS波形,最高值已經(jīng)高達(dá)610V,那么在264VAC輸入時(shí)就很有可能會(huì)超過(guò)MOS耐壓值。

那么如何解決這一問(wèn)題呢?其實(shí)很有可能是光耦1腳,也就是供電腳的電阻(下圖的R17)取值不對(duì)造成的

此電阻為給光耦供電的電阻,可以看到它是直接接到輸出上的,也承擔(dān)分壓的作用,輸出電壓越大的話這顆電阻的取值就要越大,否則就會(huì)出現(xiàn)上述情況,一般輸出電壓較低的機(jī)子(如12V、24V)取值一般為3-5KΩ,再大的話(如48V、72V),就要取10K以上才能保證光耦的供電在正常范圍(一般光耦1腳耐壓為36V), 輸出電壓過(guò)大的情況下也可串聯(lián)一個(gè)36V以下的穩(wěn)壓管進(jìn)行穩(wěn)壓。原機(jī)該電阻用的是1K,顯然太小了,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)我取了一顆15K電阻,也可根據(jù)公式算出一個(gè)大概值:

R=Vo-光耦正向?qū)▔航?Vka/1.5/2,其中光耦正向?qū)▔航禐?.2-1.4V,Vka為431的V級(jí)和K級(jí)之間的比較電壓,一般Vka>=2.5V.

(67-1.4-2.5)/1.5=42K,為了保留余量這個(gè)值還要再除以2,所以R=21K,該67V輸出的電源光耦供電電阻取值最大可取21K,留余量是因?yàn)楣怦钍且粋€(gè)發(fā)光二極管,會(huì)有一定的光衰。

修改后的MOS波形如下:

       可以看到修改后的MOS波形已經(jīng)沒(méi)有了明顯的過(guò)沖,220VAC輸入時(shí)MOS尖峰僅為540V左右,即使是264VAC輸入也會(huì)在安全范圍內(nèi)。

       至此這個(gè)電源的一個(gè)炸機(jī)風(fēng)險(xiǎn)已排除,可以看到該方法的優(yōu)化還是挺大的,大家如果遇到類(lèi)似情況也可嘗試此方法,也歡迎大家一起交流有關(guān)開(kāi)關(guān)電源調(diào)試方面的問(wèn)題。

      

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LV.1
2
2024-10-02 15:01

很適用的經(jīng)驗(yàn)貼,點(diǎn)贊??

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2024-10-02 23:31

1.5是啥?

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2024-10-19 14:22

他的意思是說(shuō) 光耦要留3mA電流。 差不多吧,我一般也是3-5mA    

(輸出電壓-基準(zhǔn)電壓-光耦壓降)/3mA=需要的電阻

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