功率半導(dǎo)體中的米勒平臺（Miller Platform）是指在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的柵極驅(qū)動過程中，柵極電壓（Vgs）在達(dá)到一定值后，即使柵極電荷繼續(xù)增加，Vgs也保持不變的一個階段。這個現(xiàn)象是由米勒效應(yīng)（Miller Effect）引起的，米勒效應(yīng)是指在MOSFET的柵源極（Cgs）和柵漏極（Cgd）之間的寄生電容在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。

米勒平臺的形成原因：

柵極充電過程：在MOSFET的開啟過程中，柵極電壓Vgs開始上升，隨著柵極電荷的增加，Vgs也隨之增加。當(dāng)Vgs增加到米勒平臺電壓Vp時，即使柵極電荷繼續(xù)增加，Vgs也保持不變，因?yàn)樵黾拥臇艠O電荷被用來給Cgd電容進(jìn)行充電。

米勒電容的作用：米勒電容（Cgd）在MOSFET導(dǎo)通時，將柵極充電電流吸收到漏極，造成Cgs充電減小，形成電壓平臺。

柵極電壓變化：在米勒平臺期間，Vds開始下降，米勒平臺的持續(xù)時間即為Vds電壓從最大值下降到最小值的時間。米勒平臺時間與電容Cgd大小成正比。

改善對策：

選擇合適的門極驅(qū)動電阻RG：通過選擇合適的門極驅(qū)動電阻，可以減少米勒效應(yīng)的影響。

在門極G和射極E之間增加電容：增加電容可以延長米勒平臺時間，達(dá)到電壓緩啟動的目的。

采用負(fù)壓驅(qū)動：負(fù)壓驅(qū)動可以減少米勒效應(yīng)的影響。

門極有源鉗位：通過門極有源鉗位技術(shù)，可以抑制電壓尖峰，減少米勒效應(yīng)的影響。