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200W高壓輸入電路設(shè)計(jì)

電路設(shè)計(jì)采用反激轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,從高壓輸入提供隔離的低壓輸出。反激變壓器T200的初級(jí)繞組連接到高壓直流輸入和INN3949CQ(IC200)內(nèi)部的1700V SiC功率MOSFET開關(guān)的漏極引腳。

一個(gè)R2CD型緩沖電路并聯(lián)在初級(jí)側(cè)繞組兩端,以限制內(nèi)部SiC MOSFET在關(guān)斷時(shí)看到的漏源電壓尖峰。兩個(gè)超快(或更好)的表面貼裝、AEC-Q認(rèn)證的二極管(D200和D201)串聯(lián)放置,以滿足爬電距離和電氣間隙要求。這還能確保二極管上的反向電壓不超過其最大額定值的70%。電容器C200、C201和C203捕獲變壓器T200漏感中的能量。選擇這些電容器的值是為了最小化緩沖電阻網(wǎng)絡(luò)兩端的電壓紋波,并在開關(guān)周期內(nèi)保持接近恒定的功耗。電阻器R200、R201、R203、R204、R206和R207耗散由緩沖電容器儲(chǔ)存的能量。選擇這些電阻器的值,使它們的平均電壓不超過最大電壓額定值的80%,并且功耗低于額定功率的50%。 InnoSwitch3-AQ IC200是自啟動(dòng)的,使用內(nèi)部高壓電流源對(duì)BPP電容C210進(jìn)行充電。

INN3949CQ IC保證在30V輸入下工作,但通??梢栽谶@個(gè)水平以下啟動(dòng)。 變壓器T200的輔助繞組在正常運(yùn)行期間為初級(jí)側(cè)提供電源。這減少了從內(nèi)部高壓電流源獲取的功率,提高了整體效率并減少了IC200的發(fā)熱。輔助繞組的輸出通過二極管D203和電容器C208及C209進(jìn)行整流和濾波。濾波后的(直流)電壓通過電阻器R212饋送到BPP引腳。 在這個(gè)設(shè)計(jì)中,通過將V引腳短接到SOURCE引腳來禁用UV(欠壓)和OV(過壓)功能。

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西柚
LV.4
2
02-25 20:11

第一張圖右側(cè)的電源接線柱竟然是表貼,能牢靠么

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02-25 21:51

輔助繞組通過二極管D和兩個(gè)電容進(jìn)行整流和濾波

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02-25 22:13

這個(gè)方案不錯(cuò),是一個(gè)比較典型的電源設(shè)計(jì),可以學(xué)習(xí)一下電路原理圖。

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02-26 14:58
@西柚
第一張圖右側(cè)的電源接線柱竟然是表貼,能牢靠么

大量堆錫,問題不大,470uF的貼片鋁電解,引腳那么小都沒問題

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西柚
LV.4
6
02-26 17:32
@地瓜patch
大量堆錫,問題不大,470uF的貼片鋁電解,引腳那么小都沒問題

還是有隱患,這個(gè)接線柱是銅合金的吧,很重

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02-26 19:56

200W  1700V,是不是需要額外做絕緣措施

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02-26 19:56
@地瓜patch
輔助繞組通過二極管D和兩個(gè)電容進(jìn)行整流和濾波

這是最常用的濾波方法啊

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02-26 19:59
@地瓜patch
大量堆錫,問題不大,470uF的貼片鋁電解,引腳那么小都沒問題

貼片鋁電解經(jīng)常掉,哈哈

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tomkeluse
LV.1
10
02-26 20:04

板子上沒有開槽處理呢

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02-26 20:20

高壓大功率在板子上做了哪些處理

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k6666
LV.9
12
03-22 13:30

這個(gè)PCBA板子很不錯(cuò),布局比較規(guī)整,就是尺寸還可以再縮小點(diǎn)。

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dy-mb2U9pBf
LV.8
13
03-23 15:53

電路設(shè)計(jì)采用反激轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,從高壓輸入提供隔離的低壓輸出。

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XHH9062
LV.9
14
03-27 18:49

電路設(shè)計(jì)的很好,不錯(cuò)的

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dy-StTIVH1p
LV.8
15
03-27 21:33

為什么需要這么高電壓來輸入

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沈夜
LV.8
16
03-28 00:46

如何選擇合適的電容器以最小化紋波并保電壓穩(wěn)定?

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03-28 22:43

簡(jiǎn)潔的方案一般都比較好用

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fzwwj95
LV.6
18
03-29 01:28

在設(shè)計(jì)中使用470μF貼片鋁電解電容(C200/C201等)時(shí),確保其在1700V高壓環(huán)境下的長期可靠性,特別是考慮到貼片元件在熱循環(huán)應(yīng)力下可能產(chǎn)生的焊點(diǎn)疲勞問題,是否有采取特殊的加固工藝

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dy-nmLUWFNr
LV.8
19
03-29 01:49

輸入過程中怎么樣檢測(cè)電路傳輸效率的變化

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03-29 09:31

R2CD型緩沖電路并聯(lián)在初級(jí)側(cè)繞組兩端,可以限制內(nèi)部SiC MOSFET在關(guān)斷時(shí)的漏源電壓尖峰

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千影
LV.6
21
03-29 16:32

如何優(yōu)化反激轉(zhuǎn)換器在高低壓變換過程中的能量損耗?

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沈夜
LV.8
22
03-29 17:50

如何優(yōu)化這個(gè)反激變換器的電路設(shè)計(jì)?

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方笑塵MK
LV.8
23
04-29 12:37

變壓器T200的漏感在開關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷過程中會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰和電流變化

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