電路設(shè)計(jì)采用反激轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,從高壓輸入提供隔離的低壓輸出。反激變壓器T200的初級(jí)繞組連接到高壓直流輸入和INN3949CQ(IC200)內(nèi)部的1700V SiC功率MOSFET開關(guān)的漏極引腳。
一個(gè)R2CD型緩沖電路并聯(lián)在初級(jí)側(cè)繞組兩端,以限制內(nèi)部SiC MOSFET在關(guān)斷時(shí)看到的漏源電壓尖峰。兩個(gè)超快(或更好)的表面貼裝、AEC-Q認(rèn)證的二極管(D200和D201)串聯(lián)放置,以滿足爬電距離和電氣間隙要求。這還能確保二極管上的反向電壓不超過其最大額定值的70%。電容器C200、C201和C203捕獲變壓器T200漏感中的能量。選擇這些電容器的值是為了最小化緩沖電阻網(wǎng)絡(luò)兩端的電壓紋波,并在開關(guān)周期內(nèi)保持接近恒定的功耗。電阻器R200、R201、R203、R204、R206和R207耗散由緩沖電容器儲(chǔ)存的能量。選擇這些電阻器的值,使它們的平均電壓不超過最大電壓額定值的80%,并且功耗低于額定功率的50%。 InnoSwitch3-AQ IC200是自啟動(dòng)的,使用內(nèi)部高壓電流源對(duì)BPP電容C210進(jìn)行充電。
INN3949CQ IC保證在30V輸入下工作,但通??梢栽谶@個(gè)水平以下啟動(dòng)。 變壓器T200的輔助繞組在正常運(yùn)行期間為初級(jí)側(cè)提供電源。這減少了從內(nèi)部高壓電流源獲取的功率,提高了整體效率并減少了IC200的發(fā)熱。輔助繞組的輸出通過二極管D203和電容器C208及C209進(jìn)行整流和濾波。濾波后的(直流)電壓通過電阻器R212饋送到BPP引腳。 在這個(gè)設(shè)計(jì)中,通過將V引腳短接到SOURCE引腳來禁用UV(欠壓)和OV(過壓)功能。