INN3949CQ的二次側(cè)提供輸出電壓檢測(cè)、輸出電流檢測(cè)以及同步整流MOSFET（SR FET）的柵極驅(qū)動(dòng)。SR FET Q100和Q101對(duì)變壓器T200次級(jí)繞組的電壓進(jìn)行整流，然后通過輸出電容器C102、C103、C104和C105進(jìn)行濾波。由電阻R100、R101和電容器C100形成的RC型緩沖器抑制了SR FET漏源節(jié)點(diǎn)中的高頻振鈴。IC200內(nèi)部的二次側(cè)控制器控制SR FET的開關(guān)。定時(shí)基于通過電阻R109從FWD引腳檢測(cè)到的負(fù)邊電壓轉(zhuǎn)換。電容器C109和電阻R109形成一個(gè)低通濾波器，減少了FWD引腳看到的電壓尖峰，并確保不超過150V的最大額定值。

在連續(xù)導(dǎo)通模式操作中，初級(jí)側(cè)功率MOSFET在二次側(cè)控制器請(qǐng)求來自初級(jí)的新開關(guān)周期之前剛剛關(guān)閉。 在斷續(xù)模式下，當(dāng)SR MOSFET上的電壓低于某個(gè)閾值VSR(TH)時(shí)，SR MOSFET關(guān)閉。二次側(cè)對(duì)初級(jí)側(cè)功率MOSFET的控制消除了兩個(gè)開關(guān)之間交叉導(dǎo)通的可能性，并確保了可靠的SR操作。 IC的二次側(cè)由次級(jí)繞組的前向電壓（通過R109和FWD引腳）或輸出電壓（通過VOUT引腳）供電。在兩種情況下，能量都通過內(nèi)部調(diào)節(jié)器用于給去耦電容器C110充電。

INN3949CQ IC具有1.265V的內(nèi)部參考FB引腳。電阻R105和R106為InnoSwitch3-AQ設(shè)計(jì)形成基本的分壓反饋網(wǎng)絡(luò)。然而，對(duì)于此設(shè)計(jì)，由R105和R106設(shè)置的輸出電壓值比目標(biāo)輸出電壓高10-15%，這是實(shí)現(xiàn)精確電壓調(diào)節(jié)電路的要求。電容器C106提供了對(duì)影響電源操作的高頻噪聲的去耦。電容器C107和R104形成了一個(gè)前饋網(wǎng)絡(luò)，以加快反饋響應(yīng)時(shí)間并降低輸出紋波。

通過監(jiān)測(cè)并聯(lián)電阻R102和R103上的電壓降來檢測(cè)輸出電流。所得的電流測(cè)量結(jié)果通過去耦電容器C108進(jìn)行濾波，并在IS和SECONDARY GROUND引腳上進(jìn)行監(jiān)測(cè)。大約35mV的內(nèi)部電流檢測(cè)閾值用于減少損耗。一旦超過該閾值，INN3949CQ IC200將調(diào)整脈沖數(shù)量以保持固定的電流輸出（CC模式）。當(dāng)輸出電壓低于調(diào)節(jié)值的90%時(shí)，IC將進(jìn)入自動(dòng)重啟（AR）操作，并在負(fù)載電流降低到CC限制以下時(shí)恢復(fù)。 肖特基二極管D102限制了IS引腳上的電壓，以在輸出短路事件期間保護(hù)它。