集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋 AC-DC 電源管理芯片
DK8518BD特點：
? 內置兩顆氮化鎵功率管
? 集成不對稱半橋控制及半橋驅動
? 最高支持 800KHz 開關頻率
? 待機功耗低于 50mW
? 自適應死區(qū)時間
? 外圍極致精簡
? 內置全程抖頻電路有效改善 EMI
? 無鹵素且符合 ROHs 要求
? 內置高壓啟動和 X 電容放電電路
? 內置諧振電容放電功能
產品絲印:
產品概述： DK8518BD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 DK8518BD 能夠在較大的負載范圍內實現原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。 同時軟開關還可以降低功率管應力，減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。 DK8518BD 外圍精簡，極大的簡化了 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功 率密度的產品。DK8518BD 具備完善的保護功能：包括過載保護、輸出過壓保護、輸出短路保護、VCC 過/欠壓保護、VS 引腳異常保護、初級過流保護、過溫保護等。
典型應用：
典型應用圖：
電路結構框圖：
極限參數：
AHB 不對稱半橋架構：
不對稱半橋架構工作波形
AHB 工作模態(tài)分為四個階段 t1-t2 階段：下管開通，上管關斷，此時輸 入電感存儲能量，電感勵磁電流線性上升，當 Vcs 觸發(fā)到 Vcs 限值時，下管關斷。此階段輸出 續(xù)流管承受反向電壓并處于關閉狀態(tài)；
t2-t3 階段：下管關斷后，進入死區(qū)時間 Tdead1，此階段上下兩個功率管均為關斷狀態(tài)， 保證電源系統(tǒng)的安全。在 Tdead1 時間內，下管 Cds 電容充電到 Vin，上管 Cds 電容放電；
t3-t4 階段：經過上一個階段 Tdead1，上 管 Cds 電容電荷放電后，氮化鎵上管反向導通， 此時再開通上管，上管可以實現 ZVS 開通，此 時輸出續(xù)流管導通，變壓器向次級傳遞能量。 變壓器勵磁電感電壓反向并被輸出繞組電壓鉗 位，勵磁電流 Imag 線性下降。變壓器漏感 Lr 和諧振電容 Cr 諧振，諧振電流為 Ir。諧振電流 和勵磁電流的差值即為輸出續(xù)流管電流 Id（通 過變壓器匝比折算）;
t4-t5 階段：上管關斷后，上管 Cds 電容充 電，下管 Cds 電容放電，經過 Tdead2，上管 Cds 電容電壓充電到 Vin，下管 Cds 電容電壓放電到 零，此時再開通下管，下管可以實現 ZVS 開通， 從而進入下一個循環(huán)。另外，死區(qū)時間保證上 下管不會共通，從而保證電源系統(tǒng)的可靠性。 詳細介紹： DK8518BD 是一顆基于不對稱半橋架構，集成 了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關芯片。 采用峰值電流模式，通過諧振電感和諧振電容組 成諧振腔從而實現原邊開關管零電壓開通（ZVS）， 副邊開關管零電流關斷（ZCS）。
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參考資料
[1] https://www.dkpower.cn/詳情可咨詢東科官網聯系原廠人員亦可撥打原廠業(yè)務人員 鄭小姐19874769315
[2] AHB氮化鎵IC 的交流學習
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