TNY5072K器件（U1）采用單片集成電路設(shè)計，集成了振蕩器、開關(guān)控制器、啟動保護電路及功率MOSFET。變壓器（T1）初級繞組的一端連接至 bulk電容C1和C2的正極，另一端接至U1的DRAIN引腳。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，變壓器漏感會在漏極節(jié)點產(chǎn)生電壓尖峰，該尖峰幅度由D1、R3、R4和C3組成的RCD鉗位網(wǎng)絡(luò)限制。電阻R4與電容C3協(xié)同作用可抑制高頻振蕩并改善電磁干擾（EMI）。初級側(cè)與次級側(cè)之間的Y電容CY1也有助于優(yōu)化EMI性能。
TNY5072K通過基于CONTROL引腳輸入電流調(diào)節(jié)功率MOSFET的關(guān)斷時間來穩(wěn)定輸出電壓。電源輸出電壓由次級側(cè)的穩(wěn)壓器U3檢測，并通過光耦U2將反饋信號傳輸至初級側(cè)。
線路欠壓與過壓狀態(tài)由電阻R1和R2向V引腳提供的電流判定。R5、D3和VR1用于輸出過壓保護：當(dāng)輸出電壓升高導(dǎo)致偏置繞組電壓上升時，VR1被觸發(fā)并向BP引腳注入電流，迫使U1進入關(guān)斷狀態(tài)并啟動自動重啟。
旁路電容C5用于選擇電流限制值，需盡可能靠近U1布置。該電容被配置為選擇芯片的降低電流限值模式。啟動階段，電容通過DRAIN（D）引腳充電，充電完成后U1開始開關(guān)動作。電容C4儲存充足能量以確保電源輸出達到穩(wěn)定狀態(tài)。啟動后，偏置繞組通過二極管D2和電容C4，并經(jīng)由電阻R6的電流為控制器供電。電阻R6用于設(shè)定U1的典型偏置電流。鐵氧體磁珠L2可抑制傳向BP引腳的噪聲，應(yīng)盡可能靠近芯片安裝。
