下圖是PI的一款反激電源設(shè)計(jì)，紅圈部分是RCD箝位電路(也稱為關(guān)斷緩沖電路)。此部分電路主要用于限制MOS關(guān)斷時(shí)高頻變壓器漏感的能量引起的尖峰電壓和次級(jí)線圈反射電壓的疊加，減小開關(guān)應(yīng)力，提高系統(tǒng)可靠性，疊加的電壓產(chǎn)生在M0S管由飽和轉(zhuǎn)向關(guān)斷的過程中，漏感中的能量通過D向C充電，C上的電壓可能沖到反電動(dòng)勢(shì)與漏感電壓的疊加值，即:Vrest+ AVpp

參數(shù)如何選取呢，大小影響啥？

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)判斷電容選的越大，電壓尖峰越小，也就是RCD吸收的漏感能量越大。R應(yīng)該取值較小才好，R越小，電容放電越快，下個(gè)周期時(shí)就能吸收更多的能量。如果是C選大，R選小，吸收能力較強(qiáng)，且震蕩的周期變長，也就是頻率降低，EMI較好，但損耗也會(huì)較大，故要折中選取。