功率管開(kāi)通時(shí)阻斷電流
功率管開(kāi)通時(shí)阻斷電流

能詳細(xì)的講一下嗎?
能詳細(xì)的講一下嗎?

為什么沒(méi)人回答呀?
為什么沒(méi)人回答呀?

此電路一般都在反激電路中用到,當(dāng)MOS管斷開(kāi)時(shí),
產(chǎn)生反向電壓,它是用來(lái)消變壓器的尖峰值和漏感!
電容取值C:332pf-10npf

再請(qǐng)問(wèn),你畫(huà)圖的是什么軟件,能否介紹一下?想用你這個(gè)畫(huà)圖的軟件,可不知道是什么軟件,請(qǐng)告知

……汗,高手哪里去了……
這個(gè)電路是最典型的CLAMPER電路吧,為的是釬位變壓器原邊.這個(gè)畫(huà)圖的軟件……PROTEL……汗……

這是一個(gè)
反激式中常見(jiàn)的RCD吸收箝位回路,一般的資料都回介紹的.對(duì)于RC值,如果太大,則對(duì)高壓尖蜂的吸收效果不好,如果太小,則在OFF期間,有可能成為次級(jí)線圈的死負(fù)載.

笨死了!
當(dāng)然是保護(hù)功率管的!

這個(gè)軟件是PROTEL99SE
這個(gè)軟件是PROTEL99SE

怎么每個(gè)人的回答都不一樣呢?
怎么每個(gè)人的回答都不一樣呢?

好啊!
你的電路上的這個(gè)二極管,是做RCD吸收的, 由于變壓器漏感,會(huì)引起很大的尖峰電壓,而RCD吸收的效果比較好,損耗小

我找到答案了.
今天翻書(shū),翻個(gè)低潮天,終于找到答案了.摘錄如下:
  當(dāng)功率管MOSFET由導(dǎo)通變成截止時(shí),在開(kāi)關(guān)電源的初級(jí)就會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓.其中的尖峰電壓是由高頻變壓器存在漏感而成的,它與感應(yīng)電壓疊加后很容易損壞MOSFET.為此,必須增加初級(jí)保護(hù)電路,對(duì)尖峰電壓進(jìn)行鉗位或者吸收.有三種解決方案:
1)利用瞬變電壓抑制二極管(TVS)和超快恢復(fù)二極管(SRD)組成TVS/SRD鉗位電路.
2)利用阻容元件和超快恢復(fù)二極管組成R/C/SRD吸收電路.
3)利用幾只高壓穩(wěn)壓管串聯(lián)而成的VDZ鉗位電路.