Boost電路中的功率元件是IGBT，要求耐壓600V，電流200A，選用的IGBT為CM200DY－12E。在用Pspice對(duì)該電路仿真時(shí)，當(dāng)IGBT由導(dǎo)通到關(guān)斷的瞬時(shí)，其兩端的電壓沒有與實(shí)際相符合的尖峰電壓，其兩端的電壓基本上是平的，太理想化。請(qǐng)問這個(gè)尖峰電壓與IGBT的哪些參數(shù)有關(guān)？在仿真時(shí)應(yīng)該考慮IGBT的哪些模型參數(shù)？？請(qǐng)各位高手多多指教！這個(gè)問題比較緊急?。?！