mosfet耐壓值的大小取決于輸入電壓,輸出電壓,變壓器變比&一次側(cè)漏電感四個(gè)分量,我不明白為什么你要選用800V耐壓的管子;
你得告訴我們更詳細(xì)的規(guī)格才好幫你啊!

輸入190~264V,輸出20V,2A,我按最低電壓190Vac X 1.3 =247Vdc計(jì)算匝比要12:1呀,我取10:1,那么反射電壓也就很高了,200V,有人說(shuō)反射電壓取低些,比如100V左右,那么匝比才5:1,這樣的話,正常190~264輸入,占空比才開(kāi)到1/3呀,甚至更小,P.F.值很低,Ip很大啊,這是我的理解,還請(qǐng)指教,謝謝!

我之所以說(shuō)30W,是因?yàn)檩敵鲩L(zhǎng)期是15V,2A,只是短時(shí)間工作在20V,2A

還請(qǐng)問(wèn):變壓器漏感的問(wèn)題,一般說(shuō)夾層繞法漏感低,但每個(gè)繞組的層數(shù)對(duì)漏感是否也很大影響啊?我的初級(jí)要用三層,次級(jí)兩層,EI28的芯,先饒兩層在里面,中間夾兩層次級(jí)外面再饒一層初級(jí),這樣漏感一般有多大呢??%.請(qǐng)各位大俠賜教!

還請(qǐng)問(wèn):
Mosfet 的Vds需承受的電壓:最高輸入電壓370Vdc+反射電壓+漏感所造成的尖蜂電壓(一般怎么確定或控制呢?)+富余量(一般設(shè)為多大為安全呢?)

我只知道前兩個(gè)量,后面兩個(gè)我不清楚,所以不知怎么確定Mosfet的Vds啊,
變壓器還沒(méi)做,PCB已發(fā)出打版了,還清各位賜教,好讓我今天定下變壓器和Mosfet的參數(shù)啊,先謝謝各位高手了.

600V以上就夠了,

清問(wèn)你認(rèn)為我的匝比該取多少呢?反射電壓該取多少?

375V+反射+尖峰,<600*0.9就可以了.

怎么算的10:1的變比呢?
我算了一下5:1~6:1就行了,一次側(cè)采用4N60的mosfet,二次側(cè)schottky
耐壓100V以上的就行了;

非常感謝!謝謝各位幫忙!

但請(qǐng)問(wèn)這匝比設(shè)在5:1,和85~264V輸入有何區(qū)別呢?還請(qǐng)解惑!非常感謝!

問(wèn)的好!在回答此問(wèn)題之前要首先考慮我們根據(jù)什么來(lái)選擇duty,幾乎所有的書(shū)都在講設(shè)計(jì)反激變壓器時(shí)首先確定duty要小于0.5,但至于具體選多少確沒(méi)有說(shuō)明:
實(shí)際上書(shū)上講的很是形而上學(xué),例如大部分的書(shū)本都已在最低輸入電壓下
duty取0.45來(lái)計(jì)算,實(shí)際上這個(gè)值的選取是以變壓器效率最高,mosfet損耗最小為設(shè)計(jì)優(yōu)化目標(biāo)而確立的;這就是為什么你計(jì)算的變比很高的原因;
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,大部分的電源產(chǎn)品都僅僅是可行性設(shè)計(jì),即用最低的成本達(dá)到客戶的規(guī)格,那么power中成本最高的元件例如mosfet,schottky等與變壓器變比有直接聯(lián)系的器件隨著變比的變化將會(huì)有多種組合,只要duty小于0.5,就可以保證產(chǎn)品主體回路是穩(wěn)定的,剩下的那就要看哪種變比是成本最低的嘍!

非常感謝曉凡兄的解惑!這樣說(shuō)從成本考率,190V~264V輸入基本也是按85V~264V設(shè)計(jì)了嗎?如單獨(dú)設(shè)計(jì)85V~135V的產(chǎn)品就不需更改變壓器只是換輸入電容由400V改為200V,是這樣嗎?

也可以這么說(shuō)!畢竟從工程化設(shè)計(jì)角度出發(fā),只要滿足了spec,成本盡可能的低才是最有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品,如果僅在85~135v條件下使用,mosfet可以選用500V~550V的,schottky也可降低一個(gè)耐壓等級(jí)!我上網(wǎng)的時(shí)間不是很多!見(jiàn)諒!

謝謝你的答復(fù)!好,有時(shí)間我發(fā)e-mail向你請(qǐng)教!