有關(guān)逆變橋上MOSFET爆炸的問題
各位同仁:最近我在作一個(gè)單相逆變試驗(yàn),用的是IRFP450MOSFET作為全橋逆變的開關(guān)器件,當(dāng)我用單相整流出的310v直流作為逆變橋的主電源時(shí),卻造成四個(gè)MOSFET的全部爆炸損毀,都是在器件的3腳(漏極)形成一個(gè)孔,或者開裂,分析一下,覺得有兩種可能,一,死區(qū)設(shè)置的過小,導(dǎo)致器件上下橋臂直通,從而損毀,二,器件耐壓不夠,IRFP450耐壓是500V,有人說器件的耐壓要大于電源電壓的兩倍以上,這樣的話就要大于兩倍的310V,即620V,不知道是不是這兩種情況,請大家提提建議.
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@lijinger
是不是因?yàn)槲以诤竺娼拥腖C濾波網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)致的?也就是說,由于LC的阻抗太小,導(dǎo)致MOSFET的過電流太大損毀管子,參數(shù)為:C為40uF,L為0.7mH.還有個(gè)可能,會不會是因?yàn)槲业弥绷?310V)電源不穩(wěn)的原因?因?yàn)槲以趩蜗嗾鳂虻妮敵龆藘H用一個(gè)10uF的電容進(jìn)行濾波,這樣是不是會使得逆變橋的電源不穩(wěn)?但是我在示波器上看到的是穩(wěn)定的.
40uF的電容?你用的是什么類型的?若為方波/50Hz,你的這個(gè)LC回路不加也罷,沒有多大的實(shí)際意義.反而震蕩會使FET發(fā)燙嚴(yán)重,燒管.
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@lhgjuly
弱弱的問,你是第一次實(shí)驗(yàn)就爆了,還是做了很多次實(shí)驗(yàn),后來才暴的呀?你說:"都是在器件的3腳(漏極)形成一個(gè)孔"我就不解了,3腳不應(yīng)該是S端(源極)嗎?大哥,是我搞錯(cuò)了,還是你說錯(cuò)了怎么的,不然要是你把MOSFET的三個(gè)管腳都接錯(cuò)了,那爆的幾率應(yīng)該是蠻大的吧!
我最初用的是低壓直流35V穩(wěn)壓電源,后來做的高壓310V,一上電就爆炸了,第一次爆炸了 一個(gè),我以為是管子的質(zhì)量有問題,就換上了一個(gè)好的,繼續(xù)作,結(jié)果第二次全爆炸了!這里是我得電路圖的示意,請大家看看.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122707117.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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@lijinger
我最初用的是低壓直流35V穩(wěn)壓電源,后來做的高壓310V,一上電就爆炸了,第一次爆炸了一個(gè),我以為是管子的質(zhì)量有問題,就換上了一個(gè)好的,繼續(xù)作,結(jié)果第二次全爆炸了!這里是我得電路圖的示意,請大家看看.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122707117.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
還有,我的整流橋的輸出并沒有用大的電容進(jìn)行濾波,而是用的一般的無極性的10UF的濾波電容,是不是與這個(gè)也有關(guān)系?
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@lijinger
我最初用的是低壓直流35V穩(wěn)壓電源,后來做的高壓310V,一上電就爆炸了,第一次爆炸了一個(gè),我以為是管子的質(zhì)量有問題,就換上了一個(gè)好的,繼續(xù)作,結(jié)果第二次全爆炸了!這里是我得電路圖的示意,請大家看看.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122707117.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
個(gè)人感覺,是過壓擊穿.
1 整流后的電壓由于濾波電容太小,所以紋波很大.(不知能否看到整流后的電壓波形)
2 mos 管沒有加吸收,會有很高的spike.
1 整流后的電壓由于濾波電容太小,所以紋波很大.(不知能否看到整流后的電壓波形)
2 mos 管沒有加吸收,會有很高的spike.
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