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困惑好久了,開關(guān)電源中,通過什么來保證讓mosfet工作在開關(guān)區(qū)?

另外我覺得開關(guān)區(qū)應(yīng)該是截止區(qū)和非飽和區(qū)(可是很多書籍怎么說是工作在飽和區(qū)?),也就是截止區(qū)和可變電阻區(qū)?誰能告訴我通過什么來做到的?還有,開關(guān)電源在工作啟動時,事高端mosfet先導(dǎo)通還是低端的先導(dǎo)通?者倆個問題困惑我好久了,誰能幫忙解答
發(fā)電資料來看看也好啊
這個問題實在讓我迷惑好久了,請您就上圖給分析一下,我替的兩個問題!
為什么開關(guān)電源中,mosfet不工作在放大狀態(tài)呢?通過什么來保證?
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ghost
LV.7
2
2005-08-01 01:04
oh yeah!被你打敗了,你去看產(chǎn)品手冊吧!還有你調(diào)整一下驅(qū)動信號讓管子在放大區(qū)試一下效果吧.
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hzjk
LV.2
3
2005-08-01 13:52
功耗
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2005-08-04 21:18
@hzjk
功耗
比較遺憾的市貌似很簡單的一個問題,沒有幾個人能回答的準(zhǔn)確!
如果mosfet工作在放大區(qū),內(nèi)租很大,而且mosfet ds 兩端電壓高,功耗大,可是要保證mosfet工作在開關(guān)狀態(tài),除了珊機電壓外,、還有Uds,就是漏源機電壓
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caolin123
LV.5
5
2005-08-05 08:29
@gyusan1978
比較遺憾的市貌似很簡單的一個問題,沒有幾個人能回答的準(zhǔn)確!如果mosfet工作在放大區(qū),內(nèi)租很大,而且mosfetds兩端電壓高,功耗大,可是要保證mosfet工作在開關(guān)狀態(tài),除了珊機電壓外,、還有Uds,就是漏源機電壓
只要你的驅(qū)動電壓夠高,保證MOSFET能導(dǎo)通在開關(guān)區(qū);
驅(qū)動電流夠大,使MOSFET對G-S,G-D的電容充放電時間縮短,也就是說,使其快速的導(dǎo)通.
不知你是不是要這個結(jié)果?
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