補(bǔ)充說明:1,采用infineon cool mosfet 11N80 也出現(xiàn)過炸機(jī)現(xiàn)象2,燒壞器件為MOSFET,UC3844及電流采樣電阻(0.27R*2 3W)3,電源電壓在230V時(shí)測試沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)現(xiàn)象,因調(diào)試EMI,多次插拔均沒出現(xiàn)過炸機(jī)的現(xiàn)象高手提供點(diǎn)拔,不勝感激!
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@tonee_wcz
補(bǔ)充說明:1,采用infineoncoolmosfet11N80也出現(xiàn)過炸機(jī)現(xiàn)象2,燒壞器件為MOSFET,UC3844及電流采樣電阻(0.27R*23W)3,電源電壓在230V時(shí)測試沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)現(xiàn)象,因調(diào)試EMI,多次插拔均沒出現(xiàn)過炸機(jī)的現(xiàn)象高手提供點(diǎn)拔,不勝感激!
我估計(jì)是你的電流采樣沒有及時(shí)的有效關(guān)斷輸出,或者是變壓器沒有完全磁復(fù)位.
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@dengyuan
你可以用示波器抓波形啊,在復(fù)位繞組沒有正常工作之前,磁芯復(fù)位不好,很容易炸MOS.我估計(jì)應(yīng)該是耐壓不夠,你可以在170VAC和270VAC分別進(jìn)行沖擊測試.看什么情況下最容易出問題,這樣基本就可以肯定了.正激設(shè)計(jì)的MOS耐壓值一般為電解電容最高電壓的2.6-3倍.
有進(jìn)行過開機(jī)時(shí)測試mosfet Vds 電壓,并成功測試到一次炸機(jī)時(shí)的波形,但沒抓到高電壓,實(shí)際上,MOSFET在此時(shí)已經(jīng)完全擊穿,抓到高電壓僅400V的樣子.
說是磁芯飽和,降低工作頻率應(yīng)該炸機(jī)的機(jī)率會大大增加,實(shí)際上也沒顯差別.理論來講,正激電源在開機(jī)瞬間占空比會達(dá)最大(UC3844 48%),同時(shí)在高電壓作用下,可能會出現(xiàn)磁芯飽和.經(jīng)再次核算,40T初級線圈略少,但實(shí)際上,之前我設(shè)計(jì)另一款時(shí)初級線圈僅34T也沒出現(xiàn)過此現(xiàn)象(量產(chǎn)了幾十K).
請問示波器怎樣抓波形來確認(rèn)磁芯飽和與否?
說是磁芯飽和,降低工作頻率應(yīng)該炸機(jī)的機(jī)率會大大增加,實(shí)際上也沒顯差別.理論來講,正激電源在開機(jī)瞬間占空比會達(dá)最大(UC3844 48%),同時(shí)在高電壓作用下,可能會出現(xiàn)磁芯飽和.經(jīng)再次核算,40T初級線圈略少,但實(shí)際上,之前我設(shè)計(jì)另一款時(shí)初級線圈僅34T也沒出現(xiàn)過此現(xiàn)象(量產(chǎn)了幾十K).
請問示波器怎樣抓波形來確認(rèn)磁芯飽和與否?
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@hypower
有沒有軟啟動(dòng)電路
不錯(cuò)!分析得有理,加軟起動(dòng)可能會有一定幫助.
目前產(chǎn)品無軟啟動(dòng)線路,但我設(shè)計(jì)多款(用UC3844)電源均沒有使用軟啟動(dòng),從沒
出現(xiàn)此情況,而等同功率的也有一款產(chǎn)品正在順利生產(chǎn).
有沒可能是布線的問題?比如地線過長,產(chǎn)生了振蕩?若是,有沒方法解決?
目前我重點(diǎn)懷疑還是磁芯飽和,但初級線圈從32T改為40T也出現(xiàn)過炸機(jī),頻率從
45K改為60K 還是會炸機(jī).
目前產(chǎn)品無軟啟動(dòng)線路,但我設(shè)計(jì)多款(用UC3844)電源均沒有使用軟啟動(dòng),從沒
出現(xiàn)此情況,而等同功率的也有一款產(chǎn)品正在順利生產(chǎn).
有沒可能是布線的問題?比如地線過長,產(chǎn)生了振蕩?若是,有沒方法解決?
目前我重點(diǎn)懷疑還是磁芯飽和,但初級線圈從32T改為40T也出現(xiàn)過炸機(jī),頻率從
45K改為60K 還是會炸機(jī).
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@tonee_wcz
不錯(cuò)!分析得有理,加軟起動(dòng)可能會有一定幫助.目前產(chǎn)品無軟啟動(dòng)線路,但我設(shè)計(jì)多款(用UC3844)電源均沒有使用軟啟動(dòng),從沒出現(xiàn)此情況,而等同功率的也有一款產(chǎn)品正在順利生產(chǎn).有沒可能是布線的問題?比如地線過長,產(chǎn)生了振蕩?若是,有沒方法解決?目前我重點(diǎn)懷疑還是磁芯飽和,但初級線圈從32T改為40T也出現(xiàn)過炸機(jī),頻率從45K改為60K還是會炸機(jī).
問題可能在輸出電感上,270V時(shí)占空比在最小 輸出電感要加大
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@tanguojian
也許是13N80有問題,我也碰到過這樣的問題,同樣的電路,用13N80耐沖擊的特性就差很多,換11N90后,雖然熱一點(diǎn),但是比13N80就好多了
多謝各位的幫助!
目前基本確定了原因,應(yīng)該說是FQA13N80驅(qū)動(dòng)的問題,我將驅(qū)動(dòng)電阻改為120R,所有功能正常,今天還沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但很明顯,驅(qū)動(dòng)波形有變形,溫升也比原來的要高出10度;
確定此原因后,將MOSFET改為Vishay MOSFET IRFPE50測試,沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但是最大的問題為MOSFET溫度過高,170VAC時(shí)接近150度(IP44,散熱環(huán)境不好).
故目前又產(chǎn)生了兩個(gè)問題:
1,是否FQA13N80驅(qū)動(dòng)真有問題,若有問題,該怎樣解決?若加大驅(qū)動(dòng)能解決,那驅(qū)動(dòng)器件參數(shù)怎樣確定?
2, 各位能否推薦一款其他型號的MOSFET來替代 FQA13N80?最好對EMI影響較小,因此產(chǎn)品目前用FQA13N80 EMI已經(jīng)可以通過,11N90我將買樣板試試.
目前基本確定了原因,應(yīng)該說是FQA13N80驅(qū)動(dòng)的問題,我將驅(qū)動(dòng)電阻改為120R,所有功能正常,今天還沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但很明顯,驅(qū)動(dòng)波形有變形,溫升也比原來的要高出10度;
確定此原因后,將MOSFET改為Vishay MOSFET IRFPE50測試,沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但是最大的問題為MOSFET溫度過高,170VAC時(shí)接近150度(IP44,散熱環(huán)境不好).
故目前又產(chǎn)生了兩個(gè)問題:
1,是否FQA13N80驅(qū)動(dòng)真有問題,若有問題,該怎樣解決?若加大驅(qū)動(dòng)能解決,那驅(qū)動(dòng)器件參數(shù)怎樣確定?
2, 各位能否推薦一款其他型號的MOSFET來替代 FQA13N80?最好對EMI影響較小,因此產(chǎn)品目前用FQA13N80 EMI已經(jīng)可以通過,11N90我將買樣板試試.
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@tonee_wcz
多謝各位的幫助!目前基本確定了原因,應(yīng)該說是FQA13N80驅(qū)動(dòng)的問題,我將驅(qū)動(dòng)電阻改為120R,所有功能正常,今天還沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但很明顯,驅(qū)動(dòng)波形有變形,溫升也比原來的要高出10度;確定此原因后,將MOSFET改為VishayMOSFETIRFPE50測試,沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但是最大的問題為MOSFET溫度過高,170VAC時(shí)接近150度(IP44,散熱環(huán)境不好).故目前又產(chǎn)生了兩個(gè)問題:1,是否FQA13N80驅(qū)動(dòng)真有問題,若有問題,該怎樣解決?若加大驅(qū)動(dòng)能解決,那驅(qū)動(dòng)器件參數(shù)怎樣確定?2,各位能否推薦一款其他型號的MOSFET來替代FQA13N80?最好對EMI影響較小,因此產(chǎn)品目前用FQA13N80EMI已經(jīng)可以通過,11N90我將買樣板試試.
目前線路MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻為39R明天我會與FAIRCHILD 工程師確認(rèn)此問題,會將最新發(fā)現(xiàn)通報(bào)各位.也希望各位多提建議,不勝感激!也希望與各位多交流.
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@tonee_wcz
多謝各位的幫助!目前基本確定了原因,應(yīng)該說是FQA13N80驅(qū)動(dòng)的問題,我將驅(qū)動(dòng)電阻改為120R,所有功能正常,今天還沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但很明顯,驅(qū)動(dòng)波形有變形,溫升也比原來的要高出10度;確定此原因后,將MOSFET改為VishayMOSFETIRFPE50測試,沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但是最大的問題為MOSFET溫度過高,170VAC時(shí)接近150度(IP44,散熱環(huán)境不好).故目前又產(chǎn)生了兩個(gè)問題:1,是否FQA13N80驅(qū)動(dòng)真有問題,若有問題,該怎樣解決?若加大驅(qū)動(dòng)能解決,那驅(qū)動(dòng)器件參數(shù)怎樣確定?2,各位能否推薦一款其他型號的MOSFET來替代FQA13N80?最好對EMI影響較小,因此產(chǎn)品目前用FQA13N80EMI已經(jīng)可以通過,11N90我將買樣板試試.
可能是快速關(guān)斷時(shí)漏感與走線電感形成VDS尖峰,關(guān)斷越快尖峰電壓和dv/dt越高,導(dǎo)致?lián)舸?示波器高壓探頭頻響不夠,抓不到電壓最高的瞬間
在開機(jī)過程中輸出電壓上升到接近穩(wěn)壓值的時(shí)候,電源達(dá)到最大功率,管子同時(shí)工作在高壓和大電流狀態(tài),這個(gè)尖峰最高(無論有沒有軟啟動(dòng)都是如此),可能造成高壓開機(jī)炸機(jī).
處理方法:
檢查高壓過載是否炸機(jī)
檢查RCD吸收電路的PCB布局,盡量減小電流環(huán)路密度
加大電阻到100歐以上太影響效率,下策
不行就換900V MOS
以前有人發(fā)現(xiàn)Fairchild的MOS承受dv/dt容易莫名其妙的損壞
使用IR同容量的老MOS就不壞
在開機(jī)過程中輸出電壓上升到接近穩(wěn)壓值的時(shí)候,電源達(dá)到最大功率,管子同時(shí)工作在高壓和大電流狀態(tài),這個(gè)尖峰最高(無論有沒有軟啟動(dòng)都是如此),可能造成高壓開機(jī)炸機(jī).
處理方法:
檢查高壓過載是否炸機(jī)
檢查RCD吸收電路的PCB布局,盡量減小電流環(huán)路密度
加大電阻到100歐以上太影響效率,下策
不行就換900V MOS
以前有人發(fā)現(xiàn)Fairchild的MOS承受dv/dt容易莫名其妙的損壞
使用IR同容量的老MOS就不壞
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