@tanguojian
也許是13N80有問題,我也碰到過這樣的問題,同樣的電路,用13N80耐沖擊的特性就差很多,換11N90后,雖然熱一點(diǎn),但是比13N80就好多了
多謝各位的幫助!
目前基本確定了原因,應(yīng)該說是FQA13N80驅(qū)動(dòng)的問題,我將驅(qū)動(dòng)電阻改為120R,所有功能正常,今天還沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但很明顯,驅(qū)動(dòng)波形有變形,溫升也比原來的要高出10度;
確定此原因后,將MOSFET改為Vishay MOSFET IRFPE50測試,沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但是最大的問題為MOSFET溫度過高,170VAC時(shí)接近150度(IP44,散熱環(huán)境不好).
故目前又產(chǎn)生了兩個(gè)問題:
1,是否FQA13N80驅(qū)動(dòng)真有問題,若有問題,該怎樣解決?若加大驅(qū)動(dòng)能解決,那驅(qū)動(dòng)器件參數(shù)怎樣確定?
2, 各位能否推薦一款其他型號的MOSFET來替代 FQA13N80?最好對EMI影響較小,因此產(chǎn)品目前用FQA13N80 EMI已經(jīng)可以通過,11N90我將買樣板試試.