如果其他參數(shù)一樣,那肯定是2好,壓降小,發(fā)熱就小,

謝謝你的回復(fù),我也有同感,我還想請(qǐng)問(wèn)一下是Vce太小影響啟動(dòng)性能還是Vbe太小影響啟動(dòng)(其它參數(shù)一樣的情況下).

我覺(jué)得對(duì)啟動(dòng)來(lái)說(shuō)這兩者都不是很重要,對(duì)燈管來(lái)說(shuō),重要的是加在它
上面的電壓有多高,也就是電路諧振時(shí)啟動(dòng)電容兩端的電壓,從這一點(diǎn)
來(lái)考慮的話(huà)VCE小的會(huì)好一些,回路中的阻抗越小,電流就越大,啟動(dòng)
電容上的電壓就越高.

我想請(qǐng)問(wèn)下你這兩個(gè)參數(shù)是那種型號(hào)的三極管啊?
不知道是1300幾啊?怎么這管子的Vce這么大呢?
三極管很容易高溫的

還有比他們更小?在那里告訴我.

可是我很想知道的就是你這兩個(gè)參數(shù)是那個(gè)型號(hào)啊?
01?03?05?還是07?09?
給我個(gè)站內(nèi)短信,留下你的電話(huà),我和你聯(lián)系.

給你看下我司產(chǎn)品的測(cè)試數(shù)據(jù)1124797036.
01的參數(shù)很大,那是我們芯片很大的原因.0.913*0.913的

長(zhǎng)電的13001,應(yīng)該不是很大吧.

請(qǐng)問(wèn)你測(cè)試的條件參數(shù)是多少?比如說(shuō)Ib是多少?Ic是多少?

IC=500mA IB=10mA

你的三極管的放大倍數(shù)是多少?你用Ib=1MA合適嗎?是不是太小了呢?

不好意思,打錯(cuò)了,已經(jīng)修改

像你推存我司的MOS管,HIRF730 HIRF740 HIRF830 HIRF840
產(chǎn)品是由在IR工作了17年的工程師設(shè)計(jì)的.

和IR的有什么差別嗎?價(jià)位有優(yōu)勢(shì)嗎?

如果你現(xiàn)在用的是IR的全新貨,那我們有價(jià)位優(yōu)勢(shì),如果你用的是散新貨,那價(jià)格就不是有很好的優(yōu)勢(shì).質(zhì)量上和全新IR產(chǎn)品沒(méi)有區(qū)別

VCE是和測(cè)試條件有密切關(guān)系的,VBE和啟動(dòng)沒(méi)什么關(guān)系.

啟動(dòng)和你整個(gè)電路的參數(shù)都是相關(guān)的,如同4樓提到的,另外要注意的是與三極管相匹配的驅(qū)動(dòng).

不錯(cuò),Vce的測(cè)試和測(cè)試條件確實(shí)是有很大關(guān)系.
我想請(qǐng)教一下你們測(cè)試13001時(shí)的條件參數(shù)是多少?
我是用Ib=10mA, Ic=100mA.

謝謝你的回復(fù),我是說(shuō)在其它參數(shù)都相同的條件下,誰(shuí)適應(yīng)的啟動(dòng)電壓會(huì)更低一些.