關(guān)硅能否靠負(fù)半周反壓,半波電魚一定比直流好,試想裝一個試試,目的去掉耗電的LC電路,第3個圖用的是BT33觸發(fā)大家看下是否成立

豆師傅手繪的電路圖畫的真不錯!沖這個,頂一下.

好啊!這樣夠簡單了,繼續(xù)關(guān)注

不知道整流二極管后的電容多大的,如果是儲能電容我想可能關(guān)不斷,如果是抗干擾電容,容量很小的話應(yīng)該能關(guān)斷,看了電路,另外不知道是高頻逆變還是低頻逆變,如果是低頻逆變,輸出最高頻率受前級頻率限制

前級是高頻的話這幾個電路都不成立,前級是推挽震蕩的話這幾個電路也不成立,都是關(guān)不斷的,不知道對不對.

因?yàn)檎骱笥须娙軨的存在,半波被C濾波變?yōu)橹绷?電路因此而失敗.

如果把電容C放到硅的后面.硅因半波而可以關(guān)斷.電路由于沒有儲能效果而低效.

前級低頻,濾波電容不要,應(yīng)該三種都成立.

多謝各位捧場,但如缺少了電容這個電路就失去仿制的意義

自控機(jī)輸出就是電容儲能輸出
橋四硅可以輕松模擬
電壓根據(jù)要求要多少就多少
頻率連續(xù)可調(diào)
儲能電容可以分檔調(diào)節(jié)
最重要一點(diǎn)就是
整機(jī)效率比自控機(jī)
高了一倍多

豆師付.你這三個電路都是半波整流.什么元件都不接就是半波輸出.圖三只不過加了一個半波調(diào)壓器控制半波的輸出.這個電路變壓器如果是一體.輸出半波控制是成立的.圖二因不同變壓器.是它控方式.不是同步.半波充電快.電路放電慢.是大家所說的關(guān)不斷.第一個圖如果變壓器也是一體的那控制電容的大小會使這個電路在一個半波內(nèi)控制電路工作同時還可調(diào)半個波的脈寬

自控機(jī)是反激儲能正激觸發(fā)輸出的,前級低頻

謝謝各位參與解說,是的,我也想過不太現(xiàn)實(shí)才發(fā)帖的,有辦法嗎?大家多出主意

不用試,結(jié)果:失敗.原因:理論行不通.可控硅無法關(guān)斷,直通.

沒必要爭辯,不服就裝電路試一下,上試驗(yàn)結(jié)果給大家看.

服了!算我沒說過

就是電容放電而已,2硅或4硅均可完美實(shí)現(xiàn)

拋開半波電路,直接仿輸出波形,就海闊天空了

前級用單邊自激就行了.