IGBT開通時(shí)集電極和發(fā)射級電壓為3左右伏不變(不過流的情況下),看來是錯(cuò)的.
全橋串聯(lián)逆變,調(diào)頻調(diào)功.當(dāng)上臂截止后,電流從下臂的二極管流過,此時(shí)集電極電壓為負(fù)值.經(jīng)死區(qū)后,下臂開始導(dǎo)通,但此時(shí)電壓為負(fù)值.電流開始換向后,此時(shí)IGBT起了導(dǎo)通作用,理論上,IGBT集電極和發(fā)射級電壓維持飽和壓降不變,事實(shí)上,IGBT剛留過電流時(shí),飽和壓降最高,測量結(jié)果為證.
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@wangjinchao
首先柵極電壓15伏,然后流過正向電流,按理說起始電流小,壓降應(yīng)該低.壓降應(yīng)該從低到高,但事實(shí)上相反.
剛查過資料,此種情況稱為類飽和.如果真是這樣,驅(qū)動(dòng)模塊擎住保護(hù)電壓3-5伏豈不是亂說.
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值.這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下,在負(fù)載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會(huì)上升.
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值.這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下,在負(fù)載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會(huì)上升.
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@wangjinchao
剛查過資料,此種情況稱為類飽和.如果真是這樣,驅(qū)動(dòng)模塊擎住保護(hù)電壓3-5伏豈不是亂說.這種延遲引起了類飽和(Quasi-saturation)效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值.這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下,在負(fù)載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會(huì)上升.
再附上一段網(wǎng)上介紹片段:
在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個(gè)準(zhǔn)飽和區(qū).因?yàn)榻Y(jié)的準(zhǔn)飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因?yàn)閷τ诟邏嚎焖買GB了來說,其時(shí)間常數(shù)相當(dāng)大,所以造成的損耗也比較大.標(biāo)準(zhǔn)的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負(fù)載硬開關(guān)時(shí)的電壓尾部進(jìn)行仔細(xì)分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進(jìn)行對比,并進(jìn)一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點(diǎn)對于高電壓尤其重要.下面表明當(dāng)開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時(shí),通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時(shí)的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個(gè)準(zhǔn)飽和區(qū).因?yàn)榻Y(jié)的準(zhǔn)飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因?yàn)閷τ诟邏嚎焖買GB了來說,其時(shí)間常數(shù)相當(dāng)大,所以造成的損耗也比較大.標(biāo)準(zhǔn)的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負(fù)載硬開關(guān)時(shí)的電壓尾部進(jìn)行仔細(xì)分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進(jìn)行對比,并進(jìn)一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點(diǎn)對于高電壓尤其重要.下面表明當(dāng)開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時(shí),通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時(shí)的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
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@wangjinchao
再附上一段網(wǎng)上介紹片段:在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個(gè)準(zhǔn)飽和區(qū).因?yàn)榻Y(jié)的準(zhǔn)飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因?yàn)閷τ诟邏嚎焖買GB了來說,其時(shí)間常數(shù)相當(dāng)大,所以造成的損耗也比較大.標(biāo)準(zhǔn)的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負(fù)載硬開關(guān)時(shí)的電壓尾部進(jìn)行仔細(xì)分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進(jìn)行對比,并進(jìn)一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點(diǎn)對于高電壓尤其重要.下面表明當(dāng)開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時(shí),通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時(shí)的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
從來沒有碰到你這樣的情況.
看看我們機(jī)器的VCE波形吧,只要看電壓波形就可以知道是否工作在ZCS狀態(tài)下,當(dāng)然要憑經(jīng)驗(yàn)來看.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/606791247013976.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看看我們機(jī)器的VCE波形吧,只要看電壓波形就可以知道是否工作在ZCS狀態(tài)下,當(dāng)然要憑經(jīng)驗(yàn)來看.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/606791247013976.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@igbtsy
從來沒有碰到你這樣的情況.看看我們機(jī)器的VCE波形吧,只要看電壓波形就可以知道是否工作在ZCS狀態(tài)下,當(dāng)然要憑經(jīng)驗(yàn)來看.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/606791247013976.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
從此圖判斷有點(diǎn)懸,不知波形底部前端稍微下凹的地方是否作為zvs的憑證.另外,從該圖難以顯示出我的波形,只因?yàn)榉直媛侍?建議從連接igbt的集電極上的快速二機(jī)管的正極取信號.不知你的擎住判別的電壓是多少?
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@wangjinchao
再附上一段網(wǎng)上介紹片段:在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個(gè)準(zhǔn)飽和區(qū).因?yàn)榻Y(jié)的準(zhǔn)飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因?yàn)閷τ诟邏嚎焖買GB了來說,其時(shí)間常數(shù)相當(dāng)大,所以造成的損耗也比較大.標(biāo)準(zhǔn)的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負(fù)載硬開關(guān)時(shí)的電壓尾部進(jìn)行仔細(xì)分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進(jìn)行對比,并進(jìn)一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點(diǎn)對于高電壓尤其重要.下面表明當(dāng)開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時(shí),通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時(shí)的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
說的對!在IGBT柵極的開通臨界點(diǎn)避免不了這個(gè)過程.igbt硬開通更為明顯.所以過流檢測要有一個(gè)盲區(qū).
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@wangjinchao
要準(zhǔn)確識別集電極電壓升高是否是過流現(xiàn)象還真困難,至少全過程更不易.在反向二機(jī)管到igbt的換流過程中,隨著電流增大,集電極電壓還會(huì)上升.有趣的是:igbt電流上升了,集電極電壓下降了.不知你是如何處理的?
既然檢測集電極電壓作過流保護(hù)有誤區(qū),即使檢測到了,做到了保護(hù),IGBT已受到大電流的沖擊,受到了致命的打擊,何苦還要用集電極檢測保護(hù)的方法?
用電流互感器的方法優(yōu)點(diǎn)是顯然的(門限電流值很小,過工作電流一點(diǎn)點(diǎn)就可以動(dòng)作),還有附帶的門極開路、短路檢測保護(hù)功能.
按理,橋式電路路只要有一只管子內(nèi)門極開路或短路,該IGBT不導(dǎo)通,該路橋臂中沒有電流,理論上過流保護(hù)不動(dòng)作,事實(shí)上用電流互感器法是動(dòng)作的,這是意外的收獲.
用電流互感器的方法優(yōu)點(diǎn)是顯然的(門限電流值很小,過工作電流一點(diǎn)點(diǎn)就可以動(dòng)作),還有附帶的門極開路、短路檢測保護(hù)功能.
按理,橋式電路路只要有一只管子內(nèi)門極開路或短路,該IGBT不導(dǎo)通,該路橋臂中沒有電流,理論上過流保護(hù)不動(dòng)作,事實(shí)上用電流互感器法是動(dòng)作的,這是意外的收獲.
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@igbtsy
既然檢測集電極電壓作過流保護(hù)有誤區(qū),即使檢測到了,做到了保護(hù),IGBT已受到大電流的沖擊,受到了致命的打擊,何苦還要用集電極檢測保護(hù)的方法?用電流互感器的方法優(yōu)點(diǎn)是顯然的(門限電流值很小,過工作電流一點(diǎn)點(diǎn)就可以動(dòng)作),還有附帶的門極開路、短路檢測保護(hù)功能.按理,橋式電路路只要有一只管子內(nèi)門極開路或短路,該IGBT不導(dǎo)通,該路橋臂中沒有電流,理論上過流保護(hù)不動(dòng)作,事實(shí)上用電流互感器法是動(dòng)作的,這是意外的收獲.
想來集電極保護(hù)應(yīng)該有其應(yīng)用,曾經(jīng)一個(gè)變頻器的電機(jī)負(fù)載上并聯(lián)了一個(gè)0.1uf的電容,變頻器隨即可靠保護(hù).在橋式串聯(lián)回路,集電極保護(hù)是響應(yīng)上下臂直通的.此時(shí)電流不經(jīng)過主諧振回路.不知要用幾只互感器,串在哪個(gè)回路里?
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