我現(xiàn)在用3780做個(gè)140W的電源,輸入8~33Vdc,輸出28.2V、5A.
目前的問(wèn)題是,低端輸入時(shí)最大只能帶2A的載,還有就是輸入電壓高的時(shí)候,測(cè)試MOSFET C管和D管的Vds波形在波動(dòng),占空比在變動(dòng),看起來(lái)好像振蕩的樣子,還伴有響聲.
麻煩高手幫忙分析一下是什么問(wèn)題,謝謝.
用LTC3780做140W電源遇到的問(wèn)題,緊急求助
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圖?
1579621249111197.pdf
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1579621249111223.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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這是原理圖和板圖,看有什么問(wèn)題沒(méi)有?
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這是原理圖和板圖,看有什么問(wèn)題沒(méi)有?
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@zhangjunfuabc
1579621249111197.pdf[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1579621249111223.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1579621249111394.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/80/1579621249111405.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">這是原理圖和板圖,看有什么問(wèn)題沒(méi)有?
我是沒(méi)法看清你的PCB圖,但你這種要特別注意走線(xiàn)引起的干擾.
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@非揚(yáng)
我是沒(méi)法看清你的PCB圖,但你這種要特別注意走線(xiàn)引起的干擾.
斗膽說(shuō)幾句.PCB板設(shè)計(jì)得很漂亮,但PCB圖上的絲印確實(shí)不清楚,看起來(lái)很吃力,只好猜.
關(guān)注到輸入輸出電容,如果SCH圖的元件都是正確的用SMD陶瓷電容并聯(lián)(PCB圖上也看不出極性),我想問(wèn)題可能由此產(chǎn)生的:并聯(lián)后的電容等效電阻ESR過(guò)小了,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不穩(wěn).LINEAR的數(shù)據(jù)表介紹上也建議輸入輸出可以采用SMD陶瓷電容并聯(lián)電解電容的方式.如果由于高度的限制,可以嘗試換一些鉭電容并陶瓷電容的方法試一試.雖然全SMD陶瓷電容并聯(lián)對(duì)于設(shè)計(jì)排版PCB方便,但結(jié)果并不是我們期望的.
如果方便,能否告知輸出紋波多少?效率達(dá)到多少?PCB實(shí)際的尺寸有多大?謝謝!
關(guān)注到輸入輸出電容,如果SCH圖的元件都是正確的用SMD陶瓷電容并聯(lián)(PCB圖上也看不出極性),我想問(wèn)題可能由此產(chǎn)生的:并聯(lián)后的電容等效電阻ESR過(guò)小了,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不穩(wěn).LINEAR的數(shù)據(jù)表介紹上也建議輸入輸出可以采用SMD陶瓷電容并聯(lián)電解電容的方式.如果由于高度的限制,可以嘗試換一些鉭電容并陶瓷電容的方法試一試.雖然全SMD陶瓷電容并聯(lián)對(duì)于設(shè)計(jì)排版PCB方便,但結(jié)果并不是我們期望的.
如果方便,能否告知輸出紋波多少?效率達(dá)到多少?PCB實(shí)際的尺寸有多大?謝謝!
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@ttkx365
斗膽說(shuō)幾句.PCB板設(shè)計(jì)得很漂亮,但PCB圖上的絲印確實(shí)不清楚,看起來(lái)很吃力,只好猜.關(guān)注到輸入輸出電容,如果SCH圖的元件都是正確的用SMD陶瓷電容并聯(lián)(PCB圖上也看不出極性),我想問(wèn)題可能由此產(chǎn)生的:并聯(lián)后的電容等效電阻ESR過(guò)小了,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不穩(wěn).LINEAR的數(shù)據(jù)表介紹上也建議輸入輸出可以采用SMD陶瓷電容并聯(lián)電解電容的方式.如果由于高度的限制,可以嘗試換一些鉭電容并陶瓷電容的方法試一試.雖然全SMD陶瓷電容并聯(lián)對(duì)于設(shè)計(jì)排版PCB方便,但結(jié)果并不是我們期望的.如果方便,能否告知輸出紋波多少?效率達(dá)到多少?PCB實(shí)際的尺寸有多大?謝謝!
非常感謝您的提示,謝謝.
輸出紋波要求150mV,效率85%(實(shí)測(cè)目前為95%左右),pcb為四分之一磚.
輸出紋波要求150mV,效率85%(實(shí)測(cè)目前為95%左右),pcb為四分之一磚.
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@zhangjunfuabc
非常感謝您的提示,謝謝.輸出紋波要求150mV,效率85%(實(shí)測(cè)目前為95%左右),pcb為四分之一磚.
呵呵,效率什么定得怎么低啊?應(yīng)該不是極端條件下的效率吧?你實(shí)測(cè)95%的效率是在什么輸入條件下測(cè)得的?升壓?降壓?升降壓相等?我曾嘗試做過(guò)與你尺寸基本相同的,只是輸出電壓沒(méi)有這么高,沒(méi)敢用鉭電容(怕失效率太高,有短路或者燃燒的危險(xiǎn),帶保險(xiǎn)絲的又不容易購(gòu)買(mǎi))更不敢全部只用SMD陶瓷電容(原因同上),所以高度就高多了.你的板在25度時(shí)的溫升多少?我的在40度左右,紋波我的在200mV左右.
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@ttkx365
呵呵,效率什么定得怎么低啊?應(yīng)該不是極端條件下的效率吧?你實(shí)測(cè)95%的效率是在什么輸入條件下測(cè)得的?升壓?降壓?升降壓相等?我曾嘗試做過(guò)與你尺寸基本相同的,只是輸出電壓沒(méi)有這么高,沒(méi)敢用鉭電容(怕失效率太高,有短路或者燃燒的危險(xiǎn),帶保險(xiǎn)絲的又不容易購(gòu)買(mǎi))更不敢全部只用SMD陶瓷電容(原因同上),所以高度就高多了.你的板在25度時(shí)的溫升多少?我的在40度左右,紋波我的在200mV左右.
在24V輸入時(shí),升壓狀態(tài),目前具體的溫升還沒(méi)有測(cè)試過(guò),帶2A負(fù)載時(shí)感覺(jué)溫度還可以,帶載多了就不行了,在低端輸入時(shí),后面兩個(gè)MOSFET溫度很高,且最后MOSFET旁的那個(gè)二極管很容易燒壞,不知道后面的那個(gè)二極管選多大的好,今天用了個(gè)12CWQ03FN的管子都給燒了.
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@zhangjunfuabc
在24V輸入時(shí),升壓狀態(tài),目前具體的溫升還沒(méi)有測(cè)試過(guò),帶2A負(fù)載時(shí)感覺(jué)溫度還可以,帶載多了就不行了,在低端輸入時(shí),后面兩個(gè)MOSFET溫度很高,且最后MOSFET旁的那個(gè)二極管很容易燒壞,不知道后面的那個(gè)二極管選多大的好,今天用了個(gè)12CWQ03FN的管子都給燒了.
如果是工作在升壓狀態(tài),我們的效率就差不多了,我做的板在運(yùn)行穩(wěn)定后在96.3左右,當(dāng)然,我沒(méi)有測(cè)試其他的輸入電壓,只做了12V輸入的,當(dāng)處于升壓狀態(tài),效率都基本相似,在輸出24V/4.2A(也就100W左右),在12V輸出的情況下,效率能達(dá)到97.6左右/70W負(fù)載(四舍五入的話(huà),就能達(dá)到LINEAR所廣告的98%效率了,不知道LINEAR是不是就是怎么干的:)).紋波在恒頻狀態(tài)下,只有60mV左右,降壓的效率就低一些,在93~94之間,例如6V/10A,溫升都在40度左右.不知道你指的后面2個(gè)是不是LINEAR數(shù)據(jù)表圖例的代號(hào)C\D的控制管,是的話(huà)表明管子的運(yùn)行狀態(tài)是正確的,12CWQ03FN顯然是錯(cuò)誤的,30V的峰值耐壓(這點(diǎn)上一定要留意,至少要選擇40V的耐壓)在MOS振鈴處理得很好的情況下,24V輸出電壓的情況下都用不了10分鐘,你28V的輸出電壓下,估計(jì)能挺3~5分鐘.針對(duì)溫度的問(wèn)題,你可以臨時(shí)上幾個(gè)低ESR的電解電容試驗(yàn)一下,太低的ESR不單會(huì)造成系統(tǒng)不穩(wěn)還會(huì)造成MOSFET上的應(yīng)力過(guò)大.
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@ttkx365
如果是工作在升壓狀態(tài),我們的效率就差不多了,我做的板在運(yùn)行穩(wěn)定后在96.3左右,當(dāng)然,我沒(méi)有測(cè)試其他的輸入電壓,只做了12V輸入的,當(dāng)處于升壓狀態(tài),效率都基本相似,在輸出24V/4.2A(也就100W左右),在12V輸出的情況下,效率能達(dá)到97.6左右/70W負(fù)載(四舍五入的話(huà),就能達(dá)到LINEAR所廣告的98%效率了,不知道LINEAR是不是就是怎么干的:)).紋波在恒頻狀態(tài)下,只有60mV左右,降壓的效率就低一些,在93~94之間,例如6V/10A,溫升都在40度左右.不知道你指的后面2個(gè)是不是LINEAR數(shù)據(jù)表圖例的代號(hào)C\D的控制管,是的話(huà)表明管子的運(yùn)行狀態(tài)是正確的,12CWQ03FN顯然是錯(cuò)誤的,30V的峰值耐壓(這點(diǎn)上一定要留意,至少要選擇40V的耐壓)在MOS振鈴處理得很好的情況下,24V輸出電壓的情況下都用不了10分鐘,你28V的輸出電壓下,估計(jì)能挺3~5分鐘.針對(duì)溫度的問(wèn)題,你可以臨時(shí)上幾個(gè)低ESR的電解電容試驗(yàn)一下,太低的ESR不單會(huì)造成系統(tǒng)不穩(wěn)還會(huì)造成MOSFET上的應(yīng)力過(guò)大.
非常感謝您的支持,您說(shuō)的太對(duì)了.
我在調(diào)試的過(guò)程中,壞了好幾個(gè)3780,損壞情況各不相同,出現(xiàn)在震蕩或刪除短路時(shí),有兩三個(gè)芯片壞的是SW1或SW2處對(duì)地有擊穿的現(xiàn)象,還有個(gè)是TG1和SW1間出現(xiàn)了擊穿現(xiàn)象,從幾個(gè)芯片壞的情況看,壞的都是自舉驅(qū)動(dòng)部分.不知道具體原因?
還有我想咨詢(xún)下,LTC3780做28.2V輸出是不是有點(diǎn)牽強(qiáng)啊?
我在調(diào)試的過(guò)程中,壞了好幾個(gè)3780,損壞情況各不相同,出現(xiàn)在震蕩或刪除短路時(shí),有兩三個(gè)芯片壞的是SW1或SW2處對(duì)地有擊穿的現(xiàn)象,還有個(gè)是TG1和SW1間出現(xiàn)了擊穿現(xiàn)象,從幾個(gè)芯片壞的情況看,壞的都是自舉驅(qū)動(dòng)部分.不知道具體原因?
還有我想咨詢(xún)下,LTC3780做28.2V輸出是不是有點(diǎn)牽強(qiáng)啊?
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@ttkx365
如果是工作在升壓狀態(tài),我們的效率就差不多了,我做的板在運(yùn)行穩(wěn)定后在96.3左右,當(dāng)然,我沒(méi)有測(cè)試其他的輸入電壓,只做了12V輸入的,當(dāng)處于升壓狀態(tài),效率都基本相似,在輸出24V/4.2A(也就100W左右),在12V輸出的情況下,效率能達(dá)到97.6左右/70W負(fù)載(四舍五入的話(huà),就能達(dá)到LINEAR所廣告的98%效率了,不知道LINEAR是不是就是怎么干的:)).紋波在恒頻狀態(tài)下,只有60mV左右,降壓的效率就低一些,在93~94之間,例如6V/10A,溫升都在40度左右.不知道你指的后面2個(gè)是不是LINEAR數(shù)據(jù)表圖例的代號(hào)C\D的控制管,是的話(huà)表明管子的運(yùn)行狀態(tài)是正確的,12CWQ03FN顯然是錯(cuò)誤的,30V的峰值耐壓(這點(diǎn)上一定要留意,至少要選擇40V的耐壓)在MOS振鈴處理得很好的情況下,24V輸出電壓的情況下都用不了10分鐘,你28V的輸出電壓下,估計(jì)能挺3~5分鐘.針對(duì)溫度的問(wèn)題,你可以臨時(shí)上幾個(gè)低ESR的電解電容試驗(yàn)一下,太低的ESR不單會(huì)造成系統(tǒng)不穩(wěn)還會(huì)造成MOSFET上的應(yīng)力過(guò)大.
還想問(wèn)下,你的電感用多少u(mài)H的?電感計(jì)算時(shí),是分別計(jì)算buck和boost情況下電感量,然后取其小的嗎?對(duì)此,我有點(diǎn)暈.
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@zhangjunfuabc
還想問(wèn)下,你的電感用多少u(mài)H的?電感計(jì)算時(shí),是分別計(jì)算buck和boost情況下電感量,然后取其小的嗎?對(duì)此,我有點(diǎn)暈.
LTC3780做28.2V輸出應(yīng)該沒(méi)有問(wèn)題的,LINEAR的數(shù)據(jù)表已說(shuō)明了.電感感量并不是最大的問(wèn)題,相信誰(shuí)也不會(huì)隨便找一個(gè)感量的電感裝上去,問(wèn)題在于電感的飽和電流.頻率我也是用200K的,電路沒(méi)有設(shè)計(jì)的那么復(fù)雜,沒(méi)有輸入濾波電感,基本與LINEAR的DEMO原理圖一樣,連元件的選擇都基本照搬的(PCB改進(jìn)定型后才改選其他元件).也曾在試制的初試階段碰到這樣那樣問(wèn)題,搞不定,參考了LINEAR的DEMOPCB圖,并仿做了板,不知道是什么地方?jīng)]有仿制正確,紋波和噪音都很大,溫升也比較大,但電路基本能正常工作了.做了很多板都存在類(lèi)似問(wèn)題,下決心重改,現(xiàn)在經(jīng)過(guò)多次改進(jìn)的板不僅尺寸小(原來(lái)仿制的尺寸要在50*50mm),原來(lái)存在的問(wèn)題也都解決了,當(dāng)然代價(jià)是時(shí)間和精力.從你描述的SW1或SW2擊穿現(xiàn)象,TG1和SW1間出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,除了布線(xiàn)間距問(wèn)題,基板材質(zhì)問(wèn)題,我覺(jué)得你應(yīng)該留意這幾個(gè)短路的腳的波形,SW1或SW2都是DI/DT的節(jié)點(diǎn)處,布線(xiàn)不合理造成MOS振鈴過(guò)大,結(jié)果都有可能將造成SW1或SW2瞬態(tài)電壓過(guò)高造成擊穿等故障.但最主要的問(wèn)題關(guān)鍵是地的處理要合適,無(wú)論任何DC-DC變換器的關(guān)鍵都應(yīng)該是地線(xiàn)回路的布局,DI/DT節(jié)點(diǎn)布線(xiàn)不合理(一定范圍內(nèi))只會(huì)造成紋波大,EMI大,MOSFET等相關(guān)元件容易損壞,而地線(xiàn)布置的不合理將出現(xiàn)非常多的問(wèn)題,嚴(yán)重的電路都無(wú)法工作.就我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)所限,我無(wú)法看出別人的布線(xiàn)是否合理,殺牛殺屁股,各有各的章法,所以,很多的問(wèn)題需要自己去實(shí)驗(yàn)自己找高手指點(diǎn)了.
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@ttkx365
LTC3780做28.2V輸出應(yīng)該沒(méi)有問(wèn)題的,LINEAR的數(shù)據(jù)表已說(shuō)明了.電感感量并不是最大的問(wèn)題,相信誰(shuí)也不會(huì)隨便找一個(gè)感量的電感裝上去,問(wèn)題在于電感的飽和電流.頻率我也是用200K的,電路沒(méi)有設(shè)計(jì)的那么復(fù)雜,沒(méi)有輸入濾波電感,基本與LINEAR的DEMO原理圖一樣,連元件的選擇都基本照搬的(PCB改進(jìn)定型后才改選其他元件).也曾在試制的初試階段碰到這樣那樣問(wèn)題,搞不定,參考了LINEAR的DEMOPCB圖,并仿做了板,不知道是什么地方?jīng)]有仿制正確,紋波和噪音都很大,溫升也比較大,但電路基本能正常工作了.做了很多板都存在類(lèi)似問(wèn)題,下決心重改,現(xiàn)在經(jīng)過(guò)多次改進(jìn)的板不僅尺寸小(原來(lái)仿制的尺寸要在50*50mm),原來(lái)存在的問(wèn)題也都解決了,當(dāng)然代價(jià)是時(shí)間和精力.從你描述的SW1或SW2擊穿現(xiàn)象,TG1和SW1間出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,除了布線(xiàn)間距問(wèn)題,基板材質(zhì)問(wèn)題,我覺(jué)得你應(yīng)該留意這幾個(gè)短路的腳的波形,SW1或SW2都是DI/DT的節(jié)點(diǎn)處,布線(xiàn)不合理造成MOS振鈴過(guò)大,結(jié)果都有可能將造成SW1或SW2瞬態(tài)電壓過(guò)高造成擊穿等故障.但最主要的問(wèn)題關(guān)鍵是地的處理要合適,無(wú)論任何DC-DC變換器的關(guān)鍵都應(yīng)該是地線(xiàn)回路的布局,DI/DT節(jié)點(diǎn)布線(xiàn)不合理(一定范圍內(nèi))只會(huì)造成紋波大,EMI大,MOSFET等相關(guān)元件容易損壞,而地線(xiàn)布置的不合理將出現(xiàn)非常多的問(wèn)題,嚴(yán)重的電路都無(wú)法工作.就我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)所限,我無(wú)法看出別人的布線(xiàn)是否合理,殺牛殺屁股,各有各的章法,所以,很多的問(wèn)題需要自己去實(shí)驗(yàn)自己找高手指點(diǎn)了.
恩,謝謝.
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@ttkx365
LTC3780做28.2V輸出應(yīng)該沒(méi)有問(wèn)題的,LINEAR的數(shù)據(jù)表已說(shuō)明了.電感感量并不是最大的問(wèn)題,相信誰(shuí)也不會(huì)隨便找一個(gè)感量的電感裝上去,問(wèn)題在于電感的飽和電流.頻率我也是用200K的,電路沒(méi)有設(shè)計(jì)的那么復(fù)雜,沒(méi)有輸入濾波電感,基本與LINEAR的DEMO原理圖一樣,連元件的選擇都基本照搬的(PCB改進(jìn)定型后才改選其他元件).也曾在試制的初試階段碰到這樣那樣問(wèn)題,搞不定,參考了LINEAR的DEMOPCB圖,并仿做了板,不知道是什么地方?jīng)]有仿制正確,紋波和噪音都很大,溫升也比較大,但電路基本能正常工作了.做了很多板都存在類(lèi)似問(wèn)題,下決心重改,現(xiàn)在經(jīng)過(guò)多次改進(jìn)的板不僅尺寸小(原來(lái)仿制的尺寸要在50*50mm),原來(lái)存在的問(wèn)題也都解決了,當(dāng)然代價(jià)是時(shí)間和精力.從你描述的SW1或SW2擊穿現(xiàn)象,TG1和SW1間出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,除了布線(xiàn)間距問(wèn)題,基板材質(zhì)問(wèn)題,我覺(jué)得你應(yīng)該留意這幾個(gè)短路的腳的波形,SW1或SW2都是DI/DT的節(jié)點(diǎn)處,布線(xiàn)不合理造成MOS振鈴過(guò)大,結(jié)果都有可能將造成SW1或SW2瞬態(tài)電壓過(guò)高造成擊穿等故障.但最主要的問(wèn)題關(guān)鍵是地的處理要合適,無(wú)論任何DC-DC變換器的關(guān)鍵都應(yīng)該是地線(xiàn)回路的布局,DI/DT節(jié)點(diǎn)布線(xiàn)不合理(一定范圍內(nèi))只會(huì)造成紋波大,EMI大,MOSFET等相關(guān)元件容易損壞,而地線(xiàn)布置的不合理將出現(xiàn)非常多的問(wèn)題,嚴(yán)重的電路都無(wú)法工作.就我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)所限,我無(wú)法看出別人的布線(xiàn)是否合理,殺牛殺屁股,各有各的章法,所以,很多的問(wèn)題需要自己去實(shí)驗(yàn)自己找高手指點(diǎn)了.
兩年前的貼子了，還是頂一下看。最近我在用LTC3780，輸入18~30V，輸出25V。使用中不時(shí)會(huì)有LTC3780損壞的情況，損壞的芯片都是TG1、SW1對(duì)地?fù)舸，F(xiàn)在不知是何原因造成的。
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