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有沒有這樣結(jié)構(gòu)的開關(guān)電源?

變壓器初級是占空比50%固定脈寬和頻率的全橋半橋推挽等結(jié)構(gòu),次極為同步整流,然后控制次極同步整流的占空比來實現(xiàn)穩(wěn)壓或穩(wěn)流,這種結(jié)構(gòu)存在嗎?請各位高手指教.畫個示意圖:

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xuzhx
LV.4
2
2005-09-12 11:50
自己頂一下
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劍心
LV.8
3
2005-09-12 12:24
ICEPower D類功放
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st.you
LV.10
4
2005-09-12 13:43
有.
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xuzhx
LV.4
5
2005-09-12 13:44
@劍心
ICEPowerD類功放
是電源,不是功放,我沒說清楚嗎?D類功放是SPWM.
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xuzhx
LV.4
6
2005-09-12 14:12
@st.you
有.
請問你做過這樣的電源嗎?
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st.you
LV.10
7
2005-09-12 16:08
@xuzhx
請問你做過這樣的電源嗎?
我只見過次級整流后再穩(wěn)壓的．
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xuzhx
LV.4
8
2005-09-12 17:18
@xuzhx
自己頂一下
我的圖有問題,加續(xù)流二極管,PMOSFET認為是單向?qū)щ娖骷?沒有體二極管,把它看成三極管吧.
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xuzhx
LV.4
9
2005-09-12 17:20
@st.you
我只見過次級整流后再穩(wěn)壓的．
就是說整流后,濾波電感前加個MOSFET嗎?
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st.you
LV.10
10
2005-09-12 18:00
@xuzhx
就是說整流后,濾波電感前加個MOSFET嗎?
是整流濾波后再加一級穩(wěn)壓．
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劍心
LV.8
11
2005-09-15 12:15
@xuzhx
是電源,不是功放,我沒說清楚嗎?D類功放是SPWM.
能用來做功放就能用來做電源,但是這個貌似有專利的.
google一下ICEPower試試
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tanguojian
LV.5
12
2005-09-15 15:34
@xuzhx
我的圖有問題,加續(xù)流二極管,PMOSFET認為是單向?qū)щ娖骷?沒有體二極管,把它看成三極管吧.
PMOS 真的沒有體二極管嗎?
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xuzhx
LV.4
13
2005-09-15 15:40
@tanguojian
PMOS真的沒有體二極管嗎?
我是假設(shè),一般MOS襯底都和源極相連,所以都存在體二極管.
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tanguojian
LV.5
14
2005-09-15 15:43
@xuzhx
我是假設(shè),一般MOS襯底都和源極相連,所以都存在體二極管.
那好像就行不通了啊
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xuzhx
LV.4
15
2005-09-15 15:46
@tanguojian
那好像就行不通了啊
暈,用PNP三極管總可以了吧
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xuzhx
LV.4
16
2005-09-15 15:48
@st.you
是整流濾波后再加一級穩(wěn)壓．
如果要是在濾波前,整流后,應該有軟開關(guān)的條件.
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tanguojian
LV.5
17
2005-09-15 15:54
@xuzhx
暈,用PNP三極管總可以了吧
會熱壞掉的,退出飽和太慢了
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xuzhx
LV.4
18
2005-09-15 16:06
@tanguojian
會熱壞掉的,退出飽和太慢了
那把PMOSFET換成二極管,然后后面接個PMOSFET,再后面續(xù)流二極管、電感等.關(guān)鍵是討論這種電路形式,我覺得這種形式存在原邊軟開關(guān)的條件.
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tanguojian
LV.5
19
2005-09-15 16:09
@xuzhx
那把PMOSFET換成二極管,然后后面接個PMOSFET,再后面續(xù)流二極管、電感等.關(guān)鍵是討論這種電路形式,我覺得這種形式存在原邊軟開關(guān)的條件.
呵呵,的確,二極管的開通并不占滿50%,前后都留出時間的話,就可以了,控制起來比較麻煩啊,
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xuzhx
LV.4
20
2005-09-15 16:25
@tanguojian
呵呵,的確,二極管的開通并不占滿50%,前后都留出時間的話,就可以了,控制起來比較麻煩啊,
俺覺得對原邊來講用門就可以搭,用IR的自震蕩半橋驅(qū)動片子也行,原邊副邊用小信號變壓器做偶合,所有信號處理都在副邊,都可以是直接偶合,對環(huán)路速度很有好處,原邊有軟開關(guān)條件,應該是可靠性比較高,不知道你覺得如何?
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tanguojian
LV.5
21
2005-09-15 16:34
@xuzhx
俺覺得對原邊來講用門就可以搭,用IR的自震蕩半橋驅(qū)動片子也行,原邊副邊用小信號變壓器做偶合,所有信號處理都在副邊,都可以是直接偶合,對環(huán)路速度很有好處,原邊有軟開關(guān)條件,應該是可靠性比較高,不知道你覺得如何?
的確如你所言
但是副邊的這個“開關(guān)”怎么做損耗都比較大啊,一般來說,副邊的電流都比較大
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020046
LV.4
22
2005-09-15 16:50
這種形式可以存在,采用低壓端占空比穩(wěn)壓也行,回授電壓控制同步MOS的導通時間.
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xuzhx
LV.4
23
2005-09-15 16:57
@tanguojian
的確如你所言但是副邊的這個“開關(guān)”怎么做損耗都比較大啊,一般來說,副邊的電流都比較大
如果PMOSFET封裝的時候,襯底和源極分離,成為沒有體二極管的器件,就象模擬開關(guān)內(nèi)部的MOSFET一樣,那么就可以用它做同步整流了兼脈寬控制了,怎么也比二極管損耗小啊,可惜就是沒有這樣的MOSFET啊
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