我自己認(rèn)為也應(yīng)該不會(huì)達(dá)到那么多,但OB2202做的65W效率高壓的確有90%,我的就是達(dá)不到,只有88%,我認(rèn)為用準(zhǔn)諧振做無(wú)非就是EMI好過(guò)一點(diǎn),其他的地方不比反擊站優(yōu)勢(shì),但大家都說(shuō)是會(huì)比反擊的高,而且我想開(kāi)關(guān)損耗包括MOS和次級(jí)整流管,沒(méi)有實(shí)際測(cè)過(guò),也不知道怎樣測(cè),所以評(píng)估這些,我也不知道是不是真的會(huì)高2個(gè)百分點(diǎn).

準(zhǔn)諧振的效率會(huì)比純反擊的高2個(gè)百分點(diǎn)?
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這你都相信?QR不帶PFC 在高壓輸入能提升1%算不錯(cuò)了,低壓輸入基本是和普通反激是差不多的.你想想QR節(jié)省的就是那點(diǎn)開(kāi)關(guān)損耗,這損耗究有占那么大比率嗎?何況QR滿載是的峰值電流比普通反激的CCM下的峰值電流都大,頻率又低,占空比開(kāi)得又大,這在變壓器的損耗,和mosfet的導(dǎo)通損耗也可以比較一下.

其實(shí)你把QR里面用的19V/3A的mosfet和變壓器用在普通反激里面,把用QR加的錢(qián)用在普通反激里面選點(diǎn)好的器件你估計(jì)更郁悶.
我們客戶(hù)用我們的1043+10N60+RM10磁芯做的純反激的做19V/65W 板邊效率全電壓輸入都有89-90%了,成本比QR要低吧?.

你測(cè)他的低壓輸入嗎?你看一下他用的初級(jí)mosfet和變壓器還有次級(jí)整流管是什么型號(hào)?

當(dāng)然會(huì)高!兩部分損耗:初級(jí)mosfet開(kāi)通的容性損耗,次級(jí)diode關(guān)斷的關(guān)斷損耗.高壓部分不太明顯是因?yàn)楦邏簳r(shí)恰好工作在DCM模式,類(lèi)似于準(zhǔn)諧振.要提高效率,在匝比選定的情況下,可以考慮選用導(dǎo)通電阻和輸出電容比較低的mosfet,并適當(dāng)增大變壓器電感(要考慮最低工作頻率哦),理由:由于在DCM模式工作,電流峰值大,選用小電阻mosfet可以減小這部份增加的導(dǎo)通損耗;由于準(zhǔn)諧振的主要作用是使開(kāi)關(guān)在較低電壓下開(kāi)通,故大電感和小電容可以使諧振峰的谷值更低,且大電感可以使工作頻率降低(相同輸入電壓輸出功率和匝比確定的情況下,兩者成反比,且電流峰值不變),降低開(kāi)關(guān)損耗.澄清一下,人家可以做到89-90%的效率不是因?yàn)槟銈兊腎C,而是因?yàn)?0N60對(duì)65W來(lái)說(shuō)足夠,且最重要的是采用了RM10的變壓器,可以做到小size(磁芯小,匝數(shù)少,從而低磁損低銅損),小漏感(漏磁少,當(dāng)然這部分損耗小啦).

很簡(jiǎn)單,如果變壓器都用RM10,  mosfet依然用10N60,19V/65W,QR究竟能夠能做多少效率呢?QR做到89-89%的效率是否要加錢(qián)或成本相等或更便宜,如果成本更低或者相等用QR是有價(jià)值的,如果增加成本,那如果把這增加的成本放到普通反激里面選用更好的mosfet,更好的整流二極管,是否同樣可以提高普通反激的效率呢?如果QR用了一個(gè)更大規(guī)格,更好的變壓器那這個(gè)變壓器用在普通反激里面,考慮早點(diǎn)進(jìn)入連續(xù)模式是否也同樣可提高效率呢?
19V3A用QR提升2%的效率能不能把這比較用的QR和普通反激做的原材料BOM來(lái)看一下就知道是不是在同等條件下的比較了.如果一個(gè)20塊錢(qián)做的 ,一個(gè)用30塊錢(qián)做的,這比較就價(jià)值很小了.同樣的30塊錢(qián)成本來(lái)比較效率才知道方案價(jià)值.
在頻率低的時(shí)候初級(jí)mosfet那么小的結(jié)電容和并不高的頻率能有多大的開(kāi)關(guān)損耗?次級(jí)二極管能有多大的開(kāi)關(guān)損耗?2%的效率提升可要減少大約1.3W的損耗,有那么大嗎?何況同樣的mosfet 和整流二極管QR的導(dǎo)通損耗還要大點(diǎn).當(dāng)然一個(gè)假如用普通mosfet,另一個(gè)用coolmos這是沒(méi)有比較基礎(chǔ)的(極限推理,不要當(dāng)真,只是說(shuō)明分析思路,因?yàn)椴豢赡苡胏oolmos的).

我想這就是性?xún)r(jià)比的簡(jiǎn)單比較.
我并不討論我們方案怎么樣,這誤會(huì)了,我知識(shí)比較QR和普通反激的差異,比如普通反激如果用的是10N60,QR用比10N60更差的mosfet來(lái)做能更高效率,那QR更有價(jià)值;如果普通反激用RM10,QR用比RM10更差的變壓器能做出更高效率,那也是QR更有價(jià)值.呵呵,是不是這樣的?

另外高壓時(shí)工作與DCM不太懂,因?yàn)檫@可能上好早以前的設(shè)計(jì)方法,現(xiàn)在我看見(jiàn)的客戶(hù)是高低壓都進(jìn)入CCM 的,唯一不同的是進(jìn)入的深度不同而已.

謝謝2位的解答,我改天有時(shí)間再去調(diào)試一下,然后告訴2位結(jié)果,對(duì)于"七公",我想說(shuō)你說(shuō)現(xiàn)在高壓低壓都進(jìn)入連續(xù)模式,但是如果進(jìn)入連續(xù)模式,保證低壓不飽和,那摸磁心相對(duì)DCM模式的務(wù)必要大一號(hào)吧,這樣才能保證溫度再高,BMAX仍有余量,也就是相當(dāng)于用大一號(hào)的磁心來(lái)減少I(mǎi)PEAK值,從而提高工作效率了吧?

現(xiàn)在很多都是很早就進(jìn)入CCM,占空比開(kāi)得比原來(lái)大了.至于是否要大一號(hào),看情況.你綜合評(píng)估一下總體成本就選擇就可以了.這個(gè)世界又要馬兒跑得好,又要馬兒不吃草的事情是沒(méi)有的,唯一能做的是,馬兒跑得好,盡量讓他少吃草.

如果覺(jué)得原來(lái)的老方式都能做好,那盡量用.但通常來(lái)說(shuō)現(xiàn)在的工程師做技術(shù)久了都快成人精了,如果老方法能用,他們一般不會(huì)輕易改新方法的.就象原來(lái)做12V/5A很多都用7N60,現(xiàn)在很多都開(kāi)始用10N60了,但還是沒(méi)有用coolmos,因?yàn)楣烙?jì)是評(píng)估下來(lái)?yè)Q個(gè)10N60馬兒跑得比原來(lái)好,但草吃得較少的緣故.在可接受的范圍內(nèi)增加合適成本,而不是增加過(guò)高成本.

我們那客戶(hù)65W的adaptor裝在40多W的殼子里,安規(guī)依然過(guò),一是因?yàn)樾时仍瓉?lái)高點(diǎn),而是因?yàn)樗l率取的是100KHz,這樣變壓器出功率足點(diǎn),但頻率高可能帶來(lái)開(kāi)關(guān)損耗的增加,但其實(shí)初級(jí)mosfet的結(jié)電容很小的,一般就幾百PF,開(kāi)關(guān)損耗并沒(méi)有多大,估計(jì)0.3W就頂撐了,估計(jì)的啊,自己可以計(jì)算一下,因?yàn)槲覀円沧鐾秸鞯?如果客戶(hù)頻率低于150KHz,我們估算開(kāi)關(guān)損耗是不大的,所以都在他選擇mosfet的時(shí)候讓他不要考慮開(kāi)關(guān)損耗的影響,主要考慮導(dǎo)通損耗的影響,這樣選個(gè)一般的mosfet就可以了,不用搞個(gè)天價(jià)mosfet,省點(diǎn)錢(qián).同步整流的mosfet的結(jié)電容可動(dòng)不動(dòng)就是4000PF以上,有的10000PF了,是初級(jí)mosfet的結(jié)電容的N倍了.所以自己可以考慮下在增加的開(kāi)關(guān)損耗和減少的其他損耗之間做出一個(gè)平衡來(lái)看究竟是否劃算.

洪生，說(shuō)得很對(duì)，請(qǐng)教一下，我現(xiàn)在想讓我的馬不要一直在吃草，怎么辦才好

我現(xiàn)在在做65W的也放在40WCASE里，用的是OB2202現(xiàn)在變壓器（PQ2620）溫度好高，在低壓輸入時(shí)，有130度了，在環(huán)溫的時(shí)候，

有可能是因?yàn)榈蛪狠斎氲臅r(shí)候頻率太低，現(xiàn)在在INPUT 90VAC時(shí)，頻率才40幾K。

洪生，你們用的是哪個(gè)方案，有什么好點(diǎn)子讓我的適配器溫度低下來(lái)。

板主好，我現(xiàn)在也在用OB2202，能否請(qǐng)教一下，我現(xiàn)在做的65W在INPUT低壓轉(zhuǎn)高壓時(shí)，輸出電壓，會(huì)下降個(gè)0。1V左右。，，不知道是哪出現(xiàn)了問(wèn)題，2）現(xiàn)在變壓器溫度好高，我的也是PQ2620的，改什么地方可以提高頻率，我想提高頻率試一下（因?yàn)槲椰F(xiàn)在90V輸入時(shí)，頻率才40多K，還有什么地方可以改的嗎，這顆IC，還有些什么要注意的，兄臺(tái)是用OB2202的前輩，小弟特在這請(qǐng)教，謝謝，