二次測的整流二極管一般都會(huì)在其兩端并聯(lián)RC snubber,有的也會(huì)在變壓器的輸出端并聯(lián).請問這兩種情況有什么不同,另外R.C的取值與什么有關(guān),產(chǎn)生的spike與什么有關(guān)?是Irr?反向恢復(fù)時(shí)間?二次測漏感?具體有什么關(guān)系?可推導(dǎo)出來嗎?flyback無續(xù)流二極管,會(huì)不會(huì)與forward的RCsnubber有不同嗎?小弟看了許多文章,好像都沒有一個(gè)定論,各有各的不同,有的就直接來一個(gè)公式,都不知道是怎么來的.
小弟現(xiàn)在求教各位前輩指點(diǎn)一二..
關(guān)于二次測snubber電路求教
全部回復(fù)(18)
正序查看
倒序查看
@coocle
從一本書上抄的一段,高頻變壓器的漏電感和二極管的結(jié)電容在管子截至?xí)r,形成了一個(gè)諧振電路,會(huì)引起瞬間電壓振蕩.一個(gè)經(jīng)驗(yàn)計(jì)算公式是R＝變壓器漏感除以二極管結(jié)電容的商開根號再乘以初級對次級的匝數(shù)比.c在0.01u-0.1u之間取.
為甚麼要乘以砸數(shù)比呢?我看有的並沒有這一項(xiàng),直接就是根號那塊.我目前所接觸的,好像變壓器的spec都只有對一次側(cè)的漏感有要求,但是好像並沒有對二次側(cè)的漏感有限制其規(guī)格.不知道這是為甚麼?
0
回復(fù)
@zgh468
為甚麼要乘以砸數(shù)比呢?我看有的並沒有這一項(xiàng),直接就是根號那塊.我目前所接觸的,好像變壓器的spec都只有對一次側(cè)的漏感有要求,但是好像並沒有對二次側(cè)的漏感有限制其規(guī)格.不知道這是為甚麼?
leakage inductance requirement in the spec is just an parameter controlling the winding method. Usually, the primary leakage inductance change to big means some mistake in the transformer. and when the structure and primary inductance, primary leakage inductance were fix, the sec. leakage inductance also fix.
That is why sec. inductance do not be test.
That is why sec. inductance do not be test.
0
回復(fù)
@gwwater
leakageinductancerequirementinthespecisjustanparametercontrollingthewindingmethod.Usually,theprimaryleakageinductancechangetobigmeanssomemistakeinthetransformer.andwhenthestructureandprimaryinductance,primaryleakageinductancewerefix,thesec.leakageinductancealsofix.Thatiswhysec.inductancedonotbetest.
gwwater:確定了一次測感值,漏感,架構(gòu),二次冊的漏感就確定了嗎?請問這是怎么算出來的?小弟愚笨,請賜教
0
回復(fù)
我前段時(shí)間正好對一個(gè)正激變換器的二次側(cè)snubber電路進(jìn)行了調(diào)試
在此把個(gè)人的心得寫下來:
二次側(cè)繞組上產(chǎn)生的電壓尖峰實(shí)際上是整流管與續(xù)流管產(chǎn)生的電壓尖峰的組合
而任意一個(gè)管子的電壓尖峰的產(chǎn)生皆來源于該管子的Irr與二次側(cè)漏感,其推導(dǎo)在上面某份帖子提供的資料里能找到較接近的的電路模型.
snubber電路有三種接法:接在二次側(cè)繞組兩端、整流管兩端或續(xù)流管兩端.
第一種接法對整流管,續(xù)流管產(chǎn)生的尖峰均有吸收作用,而后兩者只吸收其所并聯(lián)的管子的尖峰,且第一、三種接法的同時(shí)使用對續(xù)流管尖峰的吸收作用等效于將兩吸收電路同時(shí)并聯(lián)于續(xù)流管上(這句話有點(diǎn)拗口).
在此把個(gè)人的心得寫下來:
二次側(cè)繞組上產(chǎn)生的電壓尖峰實(shí)際上是整流管與續(xù)流管產(chǎn)生的電壓尖峰的組合
而任意一個(gè)管子的電壓尖峰的產(chǎn)生皆來源于該管子的Irr與二次側(cè)漏感,其推導(dǎo)在上面某份帖子提供的資料里能找到較接近的的電路模型.
snubber電路有三種接法:接在二次側(cè)繞組兩端、整流管兩端或續(xù)流管兩端.
第一種接法對整流管,續(xù)流管產(chǎn)生的尖峰均有吸收作用,而后兩者只吸收其所并聯(lián)的管子的尖峰,且第一、三種接法的同時(shí)使用對續(xù)流管尖峰的吸收作用等效于將兩吸收電路同時(shí)并聯(lián)于續(xù)流管上(這句話有點(diǎn)拗口).
0
回復(fù)
@zgh468
gwwater:確定了一次測感值,漏感,架構(gòu),二次冊的漏感就確定了嗎?請問這是怎么算出來的?小弟愚笨,請賜教
漏感的測量結(jié)果其實(shí)跟測量方法有一定的關(guān)系,
以下為實(shí)驗(yàn)證實(shí):
一個(gè)三繞組的變壓器(A,B,C繞組),某一繞組(A)的漏感值會(huì)決定于其他兩個(gè)繞組的短接情況,例如,僅短接B,僅短接C或同時(shí)短接B、C時(shí)測得的A的漏感會(huì)不同,仔細(xì)分析會(huì)發(fā)現(xiàn)這與漏感的定義有關(guān),
個(gè)人分析:不同的電路工作模態(tài)下需要分析的漏感值會(huì)決定于繞組的工作狀態(tài),例如,二次測與一次測同時(shí)工作時(shí),復(fù)位繞組處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)所討論的二次側(cè)漏感應(yīng)該為僅短接一次側(cè)繞組所測得的二次側(cè)漏感.
以下為實(shí)驗(yàn)證實(shí):
一個(gè)三繞組的變壓器(A,B,C繞組),某一繞組(A)的漏感值會(huì)決定于其他兩個(gè)繞組的短接情況,例如,僅短接B,僅短接C或同時(shí)短接B、C時(shí)測得的A的漏感會(huì)不同,仔細(xì)分析會(huì)發(fā)現(xiàn)這與漏感的定義有關(guān),
個(gè)人分析:不同的電路工作模態(tài)下需要分析的漏感值會(huì)決定于繞組的工作狀態(tài),例如,二次測與一次測同時(shí)工作時(shí),復(fù)位繞組處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)所討論的二次側(cè)漏感應(yīng)該為僅短接一次側(cè)繞組所測得的二次側(cè)漏感.
0
回復(fù)
@eastlaker
我前段時(shí)間正好對一個(gè)正激變換器的二次側(cè)snubber電路進(jìn)行了調(diào)試在此把個(gè)人的心得寫下來:二次側(cè)繞組上產(chǎn)生的電壓尖峰實(shí)際上是整流管與續(xù)流管產(chǎn)生的電壓尖峰的組合而任意一個(gè)管子的電壓尖峰的產(chǎn)生皆來源于該管子的Irr與二次側(cè)漏感,其推導(dǎo)在上面某份帖子提供的資料里能找到較接近的的電路模型.snubber電路有三種接法:接在二次側(cè)繞組兩端、整流管兩端或續(xù)流管兩端.第一種接法對整流管,續(xù)流管產(chǎn)生的尖峰均有吸收作用,而后兩者只吸收其所并聯(lián)的管子的尖峰,且第一、三種接法的同時(shí)使用對續(xù)流管尖峰的吸收作用等效于將兩吸收電路同時(shí)并聯(lián)于續(xù)流管上(這句話有點(diǎn)拗口).
但是那分資料的推導(dǎo)過程,我始終覺得不大正確.就我目前接觸的RCsnubber用于二次測的.一般我看R=10到50歐之間,電容一般取4700pf.如果依據(jù)公式算來,那就差的太遠(yuǎn)了.一般Irr都好小,如果Rbase=Vd/Irr,那么Rbase就顯得好大了.
0
回復(fù)
