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驅(qū)動(dòng)電阻問(wèn)題

驅(qū)動(dòng)MOSFET 47N60需要多大功率的柵極電阻呢?40K工作頻率,我現(xiàn)在用0.25W的,有些發(fā)燙,但是不是很厲害這樣正常嗎?
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hlp330
LV.9
2
2009-08-20 15:56
能過(guò)EMI的情況下,小點(diǎn)比較好
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amtf1982
LV.4
3
2009-08-20 15:59
@hlp330
能過(guò)EMI的情況下,小點(diǎn)比較好
我現(xiàn)在是15偶,0.25W,EMI現(xiàn)在倒是沒(méi)有要求,就是有些發(fā)燙,不知道正常不正常?
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hlp330
LV.9
4
2009-08-20 16:31
@amtf1982
我現(xiàn)在是15偶,0.25W,EMI現(xiàn)在倒是沒(méi)有要求,就是有些發(fā)燙,不知道正常不正常?
看看驅(qū)動(dòng)電流,算算功率就知道了
一般問(wèn)題不大
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harry1982
LV.6
5
2009-08-21 10:20
@amtf1982
我現(xiàn)在是15偶,0.25W,EMI現(xiàn)在倒是沒(méi)有要求,就是有些發(fā)燙,不知道正常不正常?
大小是可以的·
不知道你是否有電流對(duì)管放大.有的化是不會(huì)發(fā)熱的.
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amtf1982
LV.4
6
2009-08-21 22:22
@harry1982
大小是可以的·不知道你是否有電流對(duì)管放大.有的化是不會(huì)發(fā)熱的.
我用得是現(xiàn)成的變壓器隔離的驅(qū)動(dòng)器,就是有一些發(fā)熱,工作應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題的,但是心里有些不踏實(shí).
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hust2008
LV.4
7
2009-08-21 22:30
兄弟:
MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻選型應(yīng)該注意下面幾點(diǎn):
1、驅(qū)動(dòng)上升沿和下降沿,快的話影響EMC,但會(huì)提高效率
2、柵極電阻的選型應(yīng)該很好計(jì)算吧,就是Ciss的充放電嘛,當(dāng)然需要注意兩個(gè)問(wèn)題,一個(gè)是MOS的Gate resistor,一個(gè)是有晶體管的問(wèn)題動(dòng)態(tài)電阻
3、熱問(wèn)題,直接測(cè)下溫度,算降額不就得了,不夠就并
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sunjoy
LV.5
8
2009-08-21 23:11
@amtf1982
我用得是現(xiàn)成的變壓器隔離的驅(qū)動(dòng)器,就是有一些發(fā)熱,工作應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題的,但是心里有些不踏實(shí).
如果用的是隔離變壓器,要考慮直流偏置電流的問(wèn)題.有可能正是因?yàn)檫@樣才會(huì)引起你的電阻很湯
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hust2008
LV.4
9
2009-08-21 23:32
@amtf1982
我用得是現(xiàn)成的變壓器隔離的驅(qū)動(dòng)器,就是有一些發(fā)熱,工作應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題的,但是心里有些不踏實(shí).
只要降額夠了就沒(méi)問(wèn)題...做技術(shù)要用數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)話的
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jepsun
LV.9
10
2010-10-13 10:05
@hust2008
兄弟:MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻選型應(yīng)該注意下面幾點(diǎn):1、驅(qū)動(dòng)上升沿和下降沿,快的話影響EMC,但會(huì)提高效率2、柵極電阻的選型應(yīng)該很好計(jì)算吧,就是Ciss的充放電嘛,當(dāng)然需要注意兩個(gè)問(wèn)題,一個(gè)是MOS的Gateresistor,一個(gè)是有晶體管的問(wèn)題動(dòng)態(tài)電阻3、熱問(wèn)題,直接測(cè)下溫度,算降額不就得了,不夠就并

我還想知道,它的上升沿和下降沿,快了的話,MOS的溫度會(huì)升高嗎?

這個(gè)電阻大了,MOS的損耗大了,溫度會(huì)升高;這個(gè)電阻小了,通斷的時(shí)間更短,會(huì)不會(huì)導(dǎo)致它的溫度的上升呢?

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hlp330
LV.9
11
2010-10-13 10:08
@jepsun
我還想知道,它的上升沿和下降沿,快了的話,MOS的溫度會(huì)升高嗎?這個(gè)電阻大了,MOS的損耗大了,溫度會(huì)升高;這個(gè)電阻小了,通斷的時(shí)間更短,會(huì)不會(huì)導(dǎo)致它的溫度的上升呢?

通斷時(shí)間短,會(huì)降低開(kāi)關(guān)損耗

MOS的溫度會(huì)低很多的。

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jepsun
LV.9
12
2010-10-13 10:18
@hlp330
通斷時(shí)間短,會(huì)降低開(kāi)關(guān)損耗MOS的溫度會(huì)低很多的。

那為什么我現(xiàn)在測(cè)試的,驅(qū)動(dòng)電阻小的,溫度反而高?

開(kāi)始質(zhì)疑我的儀器了~

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hlp330
LV.9
13
2010-10-13 10:20
@jepsun
那為什么我現(xiàn)在測(cè)試的,驅(qū)動(dòng)電阻小的,溫度反而高?開(kāi)始質(zhì)疑我的儀器了~
看看是否有其他條件的改變,例如溫度,測(cè)試方法,測(cè)試位置,元件的更換,等等。
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jepsun
LV.9
14
2010-10-13 10:30
@hlp330
看看是否有其他條件的改變,例如溫度,測(cè)試方法,測(cè)試位置,元件的更換,等等。

好的!

謝謝 hlp330。慢慢去鉆研吧~~

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冰上鴨子
LV.10
15
2013-12-30 15:08
@jepsun
那為什么我現(xiàn)在測(cè)試的,驅(qū)動(dòng)電阻小的,溫度反而高?開(kāi)始質(zhì)疑我的儀器了~
我也遇到過(guò)這樣的情況,驅(qū)動(dòng)電阻小了,看波形的米勒平臺(tái)下沖大了 是否會(huì)引起開(kāi)關(guān)管尖峰電壓導(dǎo)致?lián)p耗加大溫度上升?
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