這個(gè)Ho電壓是靠HB-HS間的自舉電容實(shí)現(xiàn)的,前提是下管導(dǎo)通期間由Vdd對(duì)該電容充電!
因此,當(dāng)沒有下管(例如單獨(dú)測(cè)試芯片時(shí))或者占空比達(dá)極值時(shí),就無法充電,自然就自舉不了了!