1.8KW大功率逆變電源,初級(jí)繞組在里面還是外面好?!!!
請(qǐng)大俠救急!推挽電路12V變220V1800W逆變電源,初級(jí)銅帶是安排在里面好還是外面好?為啥我的在里面或是外面,變壓器都發(fā)熱嚴(yán)重啊!!!!!第一次做這么大輸入電流的逆變電源請(qǐng)各位大俠不吝指導(dǎo)!先發(fā)一張請(qǐng)?zhí)?搞好了請(qǐng)大家吃飯.
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@木劍
書上說(shuō)先繞初級(jí)的好,這樣可以減小漏磁以減小空載電流
一、1800w,12V的逆變器,電流就將近在200A左右,采用再好的變壓器,任你怎樣更改變壓器的參數(shù)繞法,始終發(fā)熱量集與一身,再大的努力都將是發(fā)熱太大,得不嘗矢.可采取兩個(gè)或多個(gè)變壓器來(lái)并聯(lián)分擔(dān),但在注意并聯(lián)時(shí)的各變壓器的電流分配問(wèn)題.
二、逆變器的PWM初級(jí)是工作在全橋還是推挽狀態(tài)下?如在推挽狀態(tài)下,變壓器可采用三明治的多股并繞法,先繞初級(jí)一個(gè)繞組,再繞次級(jí)繞組的一半,再進(jìn)行初級(jí)的另一組的并繞,最后再進(jìn)行次級(jí)另一半的完成.
三、逆變器工作時(shí),變壓器溫升高以外,同時(shí)MOSFET的左右推挽管發(fā)熱量對(duì)稱嗎?如果不對(duì)稱原因有三:1)、你的LAYOUT就有問(wèn)題,電流分布不均;2)、變壓器的匝比、參數(shù)、繞法有問(wèn)題;3)、PWM的工作頻率就不對(duì);
四、空載工作時(shí)MOSFET左右溫升對(duì)稱嗎?電流大嗎?請(qǐng)更改變壓器參數(shù),適當(dāng)?shù)卦龃?減小驅(qū)動(dòng)電阻.
二、逆變器的PWM初級(jí)是工作在全橋還是推挽狀態(tài)下?如在推挽狀態(tài)下,變壓器可采用三明治的多股并繞法,先繞初級(jí)一個(gè)繞組,再繞次級(jí)繞組的一半,再進(jìn)行初級(jí)的另一組的并繞,最后再進(jìn)行次級(jí)另一半的完成.
三、逆變器工作時(shí),變壓器溫升高以外,同時(shí)MOSFET的左右推挽管發(fā)熱量對(duì)稱嗎?如果不對(duì)稱原因有三:1)、你的LAYOUT就有問(wèn)題,電流分布不均;2)、變壓器的匝比、參數(shù)、繞法有問(wèn)題;3)、PWM的工作頻率就不對(duì);
四、空載工作時(shí)MOSFET左右溫升對(duì)稱嗎?電流大嗎?請(qǐng)更改變壓器參數(shù),適當(dāng)?shù)卦龃?減小驅(qū)動(dòng)電阻.
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@alina594
一、1800w,12V的逆變器,電流就將近在200A左右,采用再好的變壓器,任你怎樣更改變壓器的參數(shù)繞法,始終發(fā)熱量集與一身,再大的努力都將是發(fā)熱太大,得不嘗矢.可采取兩個(gè)或多個(gè)變壓器來(lái)并聯(lián)分擔(dān),但在注意并聯(lián)時(shí)的各變壓器的電流分配問(wèn)題.二、逆變器的PWM初級(jí)是工作在全橋還是推挽狀態(tài)下?如在推挽狀態(tài)下,變壓器可采用三明治的多股并繞法,先繞初級(jí)一個(gè)繞組,再繞次級(jí)繞組的一半,再進(jìn)行初級(jí)的另一組的并繞,最后再進(jìn)行次級(jí)另一半的完成.三、逆變器工作時(shí),變壓器溫升高以外,同時(shí)MOSFET的左右推挽管發(fā)熱量對(duì)稱嗎?如果不對(duì)稱原因有三:1)、你的LAYOUT就有問(wèn)題,電流分布不均;2)、變壓器的匝比、參數(shù)、繞法有問(wèn)題;3)、PWM的工作頻率就不對(duì);四、空載工作時(shí)MOSFET左右溫升對(duì)稱嗎?電流大嗎?請(qǐng)更改變壓器參數(shù),適當(dāng)?shù)卦龃?減小驅(qū)動(dòng)電阻.
首先感謝“alina594”大俠這么晚還回貼!我這個(gè)電路是推挽方式,按照你的第“二”種繞法的話不會(huì)人為增加兩初級(jí)的不平衡度?以前的做法都是兩初級(jí)緊艾著一起繞制,要么同時(shí)放在里面、中間或外面,這種分開的繞法還沒有嘗試過(guò),不知道會(huì)是怎樣的結(jié)果.不知道“alina594”大俠在這種繞法上是不是有獨(dú)特的地方?怎樣控制兩繞組間漏感引起的不平衡問(wèn)題?對(duì)了我這個(gè)電路是3525和B647,D667驅(qū)動(dòng)的,芯片供電由一個(gè)小DC/DC提供,很穩(wěn)定的!
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@alina594
一、1800w,12V的逆變器,電流就將近在200A左右,采用再好的變壓器,任你怎樣更改變壓器的參數(shù)繞法,始終發(fā)熱量集與一身,再大的努力都將是發(fā)熱太大,得不嘗矢.可采取兩個(gè)或多個(gè)變壓器來(lái)并聯(lián)分擔(dān),但在注意并聯(lián)時(shí)的各變壓器的電流分配問(wèn)題.二、逆變器的PWM初級(jí)是工作在全橋還是推挽狀態(tài)下?如在推挽狀態(tài)下,變壓器可采用三明治的多股并繞法,先繞初級(jí)一個(gè)繞組,再繞次級(jí)繞組的一半,再進(jìn)行初級(jí)的另一組的并繞,最后再進(jìn)行次級(jí)另一半的完成.三、逆變器工作時(shí),變壓器溫升高以外,同時(shí)MOSFET的左右推挽管發(fā)熱量對(duì)稱嗎?如果不對(duì)稱原因有三:1)、你的LAYOUT就有問(wèn)題,電流分布不均;2)、變壓器的匝比、參數(shù)、繞法有問(wèn)題;3)、PWM的工作頻率就不對(duì);四、空載工作時(shí)MOSFET左右溫升對(duì)稱嗎?電流大嗎?請(qǐng)更改變壓器參數(shù),適當(dāng)?shù)卦龃?減小驅(qū)動(dòng)電阻.
第二種繞法可以增加緊耦合,但是否也會(huì)增加分布電容啊.
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@voltec
首先感謝“alina594”大俠這么晚還回貼!我這個(gè)電路是推挽方式,按照你的第“二”種繞法的話不會(huì)人為增加兩初級(jí)的不平衡度?以前的做法都是兩初級(jí)緊艾著一起繞制,要么同時(shí)放在里面、中間或外面,這種分開的繞法還沒有嘗試過(guò),不知道會(huì)是怎樣的結(jié)果.不知道“alina594”大俠在這種繞法上是不是有獨(dú)特的地方?怎樣控制兩繞組間漏感引起的不平衡問(wèn)題?對(duì)了我這個(gè)電路是3525和B647,D667驅(qū)動(dòng)的,芯片供電由一個(gè)小DC/DC提供,很穩(wěn)定的!
注意高頻大電流的集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng),應(yīng)該是采用夾心繞法比較好,注意要將初級(jí)分3-4層分組繞制,然后將線頭合并引出才可以,電流密度一般只能取到3A/mm2左右,過(guò)高的載流密度會(huì)加劇鄰近效應(yīng)的影響.鄰近效應(yīng)不管是交流還是直流都有.如果你是采用推挽方式,建議磁心不留器隙以減少圈數(shù),此外,為防止單向偏磁,還建議采用UC3846,UC3825之類的電流型控制PWM IC,可有效地防止單向偏磁.
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@lyticast
注意高頻大電流的集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng),應(yīng)該是采用夾心繞法比較好,注意要將初級(jí)分3-4層分組繞制,然后將線頭合并引出才可以,電流密度一般只能取到3A/mm2左右,過(guò)高的載流密度會(huì)加劇鄰近效應(yīng)的影響.鄰近效應(yīng)不管是交流還是直流都有.如果你是采用推挽方式,建議磁心不留器隙以減少圈數(shù),此外,為防止單向偏磁,還建議采用UC3846,UC3825之類的電流型控制PWMIC,可有效地防止單向偏磁.
SG3525,UC3846之類的IC都是可以直接推動(dòng)MOSFET的,加了晶體管純粹是畫蛇添足.有時(shí)候效果適得其反.
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@voltec
首先感謝“alina594”大俠這么晚還回貼!我這個(gè)電路是推挽方式,按照你的第“二”種繞法的話不會(huì)人為增加兩初級(jí)的不平衡度?以前的做法都是兩初級(jí)緊艾著一起繞制,要么同時(shí)放在里面、中間或外面,這種分開的繞法還沒有嘗試過(guò),不知道會(huì)是怎樣的結(jié)果.不知道“alina594”大俠在這種繞法上是不是有獨(dú)特的地方?怎樣控制兩繞組間漏感引起的不平衡問(wèn)題?對(duì)了我這個(gè)電路是3525和B647,D667驅(qū)動(dòng)的,芯片供電由一個(gè)小DC/DC提供,很穩(wěn)定的!
逆變器是DC TO AC的產(chǎn)品不同與AC TO DC,且你的電路又是推挽的,又何嘗要去考慮到變壓器的漏感呢!這種繞法我們一直在使用,關(guān)且我現(xiàn)在做的功率還是你的倍數(shù)關(guān)系呢!3525用在前級(jí)也是一種較好的IC,因?yàn)槟阌玫腂647,D667管子是通過(guò)一個(gè)幾十R的電阻到3625的圖騰輸出的,所以你也應(yīng)對(duì)此電阻在實(shí)驗(yàn)中做適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié),建意采用的驅(qū)動(dòng)管的導(dǎo)通電流較大的,而非功率大的為好!因?yàn)槟愕?525是一個(gè)小的DC/DC提供,不要人為地加入了電源的輸入紋波,且最好是其它的苡片的供電如也是從小DC提供的話最好有一個(gè)電感將VCC隔開.
我不知你的變壓器的初級(jí)是多少的,如是12V輸入,可將圈數(shù)盡可能地減少,利于損耗最小,同時(shí)如果你的變壓器初級(jí)采用銅帶來(lái)做就最好是銅帶引出腳,不要在銅帶的輸入端再用銅線焊接后引出,這樣會(huì)是瓶頸的200A通過(guò)你說(shuō)能不發(fā)熱嗎!或者是多股銅線并起來(lái)代替銅帶.不要忘了,并線不能焊接在變壓器的PIN腳上,一定要銅線直插機(jī)板呀.
另一方面你可看看你的左右MOSFET在帶輕載時(shí)其尖鋒電壓是不同的,一個(gè)超出了很多,可能在50V以上(針對(duì)12V來(lái)說(shuō)),而另一可能在30V左右,這就是你的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻不當(dāng),當(dāng)然跟驅(qū)動(dòng)管也有關(guān)啰!再者就是你在LAYOUT時(shí)可能沒有注意A、B輸出交義或以重地平行所致.(同時(shí)我講這話是有前提的,就是你的變壓器匝比是正確的,且PWM的脈寬深度不是很大的前提)!
我不知你的變壓器的初級(jí)是多少的,如是12V輸入,可將圈數(shù)盡可能地減少,利于損耗最小,同時(shí)如果你的變壓器初級(jí)采用銅帶來(lái)做就最好是銅帶引出腳,不要在銅帶的輸入端再用銅線焊接后引出,這樣會(huì)是瓶頸的200A通過(guò)你說(shuō)能不發(fā)熱嗎!或者是多股銅線并起來(lái)代替銅帶.不要忘了,并線不能焊接在變壓器的PIN腳上,一定要銅線直插機(jī)板呀.
另一方面你可看看你的左右MOSFET在帶輕載時(shí)其尖鋒電壓是不同的,一個(gè)超出了很多,可能在50V以上(針對(duì)12V來(lái)說(shuō)),而另一可能在30V左右,這就是你的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻不當(dāng),當(dāng)然跟驅(qū)動(dòng)管也有關(guān)啰!再者就是你在LAYOUT時(shí)可能沒有注意A、B輸出交義或以重地平行所致.(同時(shí)我講這話是有前提的,就是你的變壓器匝比是正確的,且PWM的脈寬深度不是很大的前提)!
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@alina594
逆變器是DCTOAC的產(chǎn)品不同與ACTODC,且你的電路又是推挽的,又何嘗要去考慮到變壓器的漏感呢!這種繞法我們一直在使用,關(guān)且我現(xiàn)在做的功率還是你的倍數(shù)關(guān)系呢!3525用在前級(jí)也是一種較好的IC,因?yàn)槟阌玫腂647,D667管子是通過(guò)一個(gè)幾十R的電阻到3625的圖騰輸出的,所以你也應(yīng)對(duì)此電阻在實(shí)驗(yàn)中做適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié),建意采用的驅(qū)動(dòng)管的導(dǎo)通電流較大的,而非功率大的為好!因?yàn)槟愕?525是一個(gè)小的DC/DC提供,不要人為地加入了電源的輸入紋波,且最好是其它的苡片的供電如也是從小DC提供的話最好有一個(gè)電感將VCC隔開.我不知你的變壓器的初級(jí)是多少的,如是12V輸入,可將圈數(shù)盡可能地減少,利于損耗最小,同時(shí)如果你的變壓器初級(jí)采用銅帶來(lái)做就最好是銅帶引出腳,不要在銅帶的輸入端再用銅線焊接后引出,這樣會(huì)是瓶頸的200A通過(guò)你說(shuō)能不發(fā)熱嗎!或者是多股銅線并起來(lái)代替銅帶.不要忘了,并線不能焊接在變壓器的PIN腳上,一定要銅線直插機(jī)板呀.另一方面你可看看你的左右MOSFET在帶輕載時(shí)其尖鋒電壓是不同的,一個(gè)超出了很多,可能在50V以上(針對(duì)12V來(lái)說(shuō)),而另一可能在30V左右,這就是你的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻不當(dāng),當(dāng)然跟驅(qū)動(dòng)管也有關(guān)啰!再者就是你在LAYOUT時(shí)可能沒有注意A、B輸出交義或以重地平行所致.(同時(shí)我講這話是有前提的,就是你的變壓器匝比是正確的,且PWM的脈寬深度不是很大的前提)!
用銅帶分段繞確實(shí)可以減少漏感,單寄生電容也大大增加了,這個(gè)電容反復(fù)充放電也很了得,當(dāng)然你的電流密度是太大了,3A還差不多,沒計(jì)算一下繞組直流電阻及溫升?就算只有1毫歐也了不得!我碰到的情況比你還糟糕,后來(lái)只好降低頻率用多股線,當(dāng)然輸入電流比你的小,只有120A不到
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