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求教:一個(gè)MOSFET(IRFZ44)部分參數(shù)如下,求問(wèn)結(jié)電容等!


1、在芯片說(shuō)明書(shū)中有以下參數(shù):
td(on)  turn-on delay time    14ns
tr      rise time             110ns
td(off) turn-off delay time   45ns
tf      fall time             92ns
在一些文獻(xiàn)中提到IRFZ44這個(gè)芯片的死區(qū)時(shí)間,請(qǐng)問(wèn)這個(gè)死區(qū)時(shí)間是指的什么?如何計(jì)算?
2、另一參數(shù):
Ciss    input capacitance     1900pF
Coss    output capacitance     920pF
Crss    reverse transfer capacitance   170pF
在一些文獻(xiàn)中提到結(jié)電容,請(qǐng)教該芯片的結(jié)電容是多少?如何計(jì)算?
不勝感激!
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bridge
LV.2
2
2004-05-30 11:28
MOSFET有三個(gè)電容,即Cgs(門(mén)極和源極)、Cgd(門(mén)極和漏極)和Cds(漏極和源極);一般產(chǎn)品說(shuō)明上給出的是Ciss、Coss和Crss,前后定義之間有如下關(guān)系:
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Cgd=Crss
其中Cgd和Cds是隨其兩端電壓的變化而變化的,具體各種情況下怎么計(jì)算,我給出一篇文章。
A More Realistic Characterization of Power MOSFET Output Capacitance Coss.pdf
1085887647.pdf
至于你提到的MOSFET的死區(qū)時(shí)間,還請(qǐng)清楚的兄弟指教!!
0
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chalong
LV.1
3
2004-05-30 12:11
@bridge
MOSFET有三個(gè)電容,即Cgs(門(mén)極和源極)、Cgd(門(mén)極和漏極)和Cds(漏極和源極);一般產(chǎn)品說(shuō)明上給出的是Ciss、Coss和Crss,前后定義之間有如下關(guān)系:Ciss=Cgs+CgdCoss=Cds+CgdCgd=Crss其中Cgd和Cds是隨其兩端電壓的變化而變化的,具體各種情況下怎么計(jì)算,我給出一篇文章。AMoreRealisticCharacterizationofPowerMOSFETOutputCapacitanceCoss.pdf1085887647.pdf至于你提到的MOSFET的死區(qū)時(shí)間,還請(qǐng)清楚的兄弟指教!!
十分感謝,我現(xiàn)在的電路仿真必須知道死區(qū)時(shí)間。
還請(qǐng)清楚的兄弟幫個(gè)忙!
0
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阿客東
LV.5
4
2004-11-21 11:00
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