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這是最簡(jiǎn)單的后級(jí),抽出時(shí)間一塊聊!!!

單硅和其它各種后級(jí)gqd86大蝦曾經(jīng)發(fā)帖綜合講過(guò),以單硅講述為主.老師可以看看

其實(shí)我們應(yīng)該好好對(duì)前人的經(jīng)典單硅機(jī)設(shè)計(jì)思想和---意圖進(jìn)行分析,并和現(xiàn)在的多硅機(jī)進(jìn)行諸多方面的性能比較探討,從設(shè)計(jì)思想理念上解決問(wèn)題,試想一想我們的前輩們難道那么多電子高手都是酒囊飯袋設(shè)計(jì)不出現(xiàn)在的多硅機(jī)?????
難道中國(guó)電子落后發(fā)達(dá)的西方也如此酒囊飯袋????
為是么沒(méi)那么做??
為是么???
再想想為是么???
這是一個(gè)值得值得思考的問(wèn)題!!!!

我是非常支持單硅的.它的電感發(fā)熱,但是有尖峰,多硅沒(méi)有

要求尖峰那是容易的事,在關(guān)斷電用和電感之間并個(gè)102J2000V的保證尖峰夠尖

說(shuō)句挨磚的話.白金機(jī)的波形電魚(yú)相對(duì)來(lái)說(shuō)是最好的.在輸出電壓,功率足夠的情況下.只要有合適的頻率,脈寬,已是很好了.它的缺點(diǎn)就是高成本,笨重.單硅后級(jí)本質(zhì)上也是對(duì)白金機(jī)的模仿.要拍磚的手輕輕拍!

尖是夠尖,請(qǐng)問(wèn)脈寬呢?

由于本人不是專業(yè)做機(jī),設(shè)備不足,這些東西還要大師傅們細(xì)心研究,因?yàn)槲抑皇亲酝孀詷?lè)

是啊、做到20-150HZ,保證功率足夠效果是最好的.

一部份能量用來(lái)發(fā)熱,簡(jiǎn)直浪費(fèi)能量.

頂

魚(yú)機(jī)不是以電源使用效率來(lái)做評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)的.記得也有人說(shuō)過(guò)

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LC關(guān)斷直流可控硅,工業(yè)上早就應(yīng)用了

好帖!頂一下~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

陳大師單硅雖好,但還是不好調(diào)試的,很多人通常都不會(huì)先考慮一下自己的前級(jí)功率,就盲目的搭配LC,這樣只會(huì)事得其反.

分析的很細(xì)致!不錯(cuò),堅(jiān)決要頂干預(yù)發(fā)表自己見(jiàn)解的高手!

基本正確!

gqd86 的帖子:
http://bbs.dianyuan.com/topic/69800

上面的分析大部是對(duì)的,下面是我個(gè)人的圖解分析**

LC 決定著脈寬,也就是平頂.和電源疊加能量越大,LC利用率就越大.
另可控硅是被反壓強(qiáng)迫關(guān)斷,而不是由小于維持電流而關(guān)斷.

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樓上提出了可控硅是被電感自感所關(guān)斷,而不是被電容電壓關(guān)斷一說(shuō),我不認(rèn)同.(LC諧振是周期性的,放電--充電--放電--)
  當(dāng)可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通后,電容通過(guò)可控硅向電感放電,放電一定時(shí)間后,電流減小,電感自感電動(dòng)勢(shì)阻礙這一電流減少而向電容充電,電感電動(dòng)勢(shì)隨著充電時(shí)間而自感小到“0”時(shí),電容上充得的電已是最高.此時(shí),電容極性是左正右負(fù),電容又企圖向電感放電,但此時(shí),可控硅PN電壓反向截止.(由于沒(méi)有電流流過(guò)可控硅,一些人認(rèn)為的電流關(guān)斷,所以不成立),電容電壓與主電壓疊加形成尖峰電壓.
  以上還望斧正.

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把你圖中L,C位置互換下C釋放完后L又通過(guò)可控硅正向給C充電的過(guò)程就存在

我們先來(lái)個(gè)假設(shè),也就是可控硅反壓立刻關(guān)閉斷開(kāi),那么可控硅可以去掉,(圖中虛線)電路就會(huì)簡(jiǎn)化成下面的形狀:由于電感電流已經(jīng)為零,很大的總電流會(huì)流過(guò)電感感性元件,電感的電流突然劇增電感電流不能突變會(huì)產(chǎn)生很大的反電動(dòng)勢(shì),電動(dòng)勢(shì)作用方向和電源電容供電方向相反,陡變的劇烈變化率產(chǎn)生的反電勢(shì)會(huì)幾乎抵消掉所有的電容和電源電壓之和,這樣瞬間負(fù)載電壓不會(huì)很高反而幾乎為零,而實(shí)際上波形里面并沒(méi)有出現(xiàn)這種情況而是持續(xù)的平頂波,那么到底是怎么回事呢?合理的解釋應(yīng)該是可控硅這個(gè)時(shí)候并不是我們想象的立刻關(guān)閉,仍在導(dǎo)通.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/3525911258364678.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">從另一個(gè)角度說(shuō)電容反向充電之所以能達(dá)到和原來(lái)方向相反的數(shù)值,就是因?yàn)殡姼须娏鬟^(guò)零時(shí)巨大的變化率所致,同樣電流反向的瞬間也具有同樣的變化率,也就是說(shuō)幾乎抵消掉了電容上的電壓,電感電流又要從零開(kāi)始,負(fù)載電流很大不要說(shuō)大于I0,就是I0那么這么大的電流這時(shí)跑哪去了?結(jié)果只有一條路可控硅,要不瞬間負(fù)載電流為零,但實(shí)際波形不是這樣,也就是這時(shí)可控硅電流仍然很大,然后經(jīng)過(guò)一定時(shí)間減小,直到小于維持電流自行關(guān)閉,在這個(gè)時(shí)候所有負(fù)載上的電流全部流過(guò)電容電感支路,反向電壓短時(shí)到來(lái),兩個(gè)電壓開(kāi)始疊加,全部加在負(fù)載上快速上升形成反峰波形,過(guò)程一直進(jìn)行到電容電荷全部放完,這個(gè)時(shí)間也不一定是半個(gè)LC周期,還取決于負(fù)載性質(zhì),之后電源開(kāi)始對(duì)電容從右向左反過(guò)來(lái)充電直到電源電壓結(jié)束.這是全部的分析過(guò)程,僅供參考.

互換后是一樣的.C對(duì)L的放電是通過(guò)硅開(kāi)通實(shí)現(xiàn)的,因?yàn)楣枋菃蜗驅(qū)щ娫?L是不可能通過(guò)它對(duì)C充電的.就算有充電也是疊 加電源電壓后,流過(guò)了電源再經(jīng)負(fù)載過(guò)來(lái)再給C充的電.這樣就得到了脈峰.

其實(shí)可控硅電流減小到維持電流后先關(guān)閉,這是要一定時(shí)間的,也就是我們前面看到的1/2T之后的延時(shí)段,這一段電容電不但沒(méi)有有效輸出,反而把從電源先前獲得的總能量的一部分饋送進(jìn)了電源,當(dāng)這個(gè)過(guò)程結(jié)束之后,然后才是反壓加上去在急速升高出現(xiàn)在負(fù)載上的高壓有效波形.

好!!!精辟!!!

等我把計(jì)算稍微整理好后,再把硅關(guān)短與電感L電容C負(fù)載的制約關(guān)系條件的計(jì)算公式和過(guò)程給大家示出,讓我們有一個(gè)全面的了解.