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關(guān)于IGBT/MOSFET驅(qū)動峰值電流的問題

小弟請教有經(jīng)驗的前輩，要使IGBT/MOSFET能快速開關(guān)，必須提供足夠的驅(qū)動峰值電流，一般驅(qū)動芯片（VCC=15V）的輸出都接了10歐左右的限流電阻，如果驅(qū)動大功率的IGBT（需要3~4A驅(qū)動峰值電流），這個限流電阻可否省略？請各位不吝賜教！
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gz.daheng
LV.8
2
2010-01-30 18:07
我是新手！

回答點僅供參考。（有錯誤引起想笑的請去沒人的地方）

回答：只能是阻值大小選擇，最好別省去。（詳細(xì)請參考有關(guān)廠家資料）

RG阻值正規(guī)的生產(chǎn)廠在IGBT資料都有詳細(xì)說明，當(dāng)然，具體阻值最好在電路構(gòu)件調(diào)整中稍加修正。
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2010-01-30 20:12
@gz.daheng
我是新手！回答點僅供參考。（有錯誤引起想笑的請去沒人的地方）回答：只能是阻值大小選擇，最好別省去。（詳細(xì)請參考有關(guān)廠家資料）RG阻值正規(guī)的生產(chǎn)廠在IGBT資料都有詳細(xì)說明，當(dāng)然，具體阻值最好在電路構(gòu)件調(diào)整中稍加修正。

加驅(qū)動電阻的目的是為了保護(hù)被驅(qū)動的管子,防止大的電流損傷管子.同時,利用限流電阻還可以控制管子的開啟時間.

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2010-01-31 09:57
@我是技術(shù)宅
加驅(qū)動電阻的目的是為了保護(hù)被驅(qū)動的管子,防止大的電流損傷管子.同時,利用限流電阻還可以控制管子的開啟時間.
謝謝各位，再請教一個問題，如果驅(qū)動峰值電流達(dá)到4A的話，那么限流電阻是不是要用大功率電阻啊？
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hardisli
LV.2
5
2010-01-31 17:12
MOSFE和IGBT的驅(qū)動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關(guān)斷時的VDS和IDS上升和下降時間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅(qū)動電阻可以加快開通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內(nèi)阻很小，一般要加個驅(qū)動電阻，更加細(xì)致的設(shè)計需要將開通和關(guān)斷電阻分開設(shè)計，以使開通和關(guān)斷速度都做到最大，同時不會損壞管子，可以去算下開關(guān)時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現(xiàn)在許多管子的極限。


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2010-01-31 18:48
@hardisli
MOSFE和IGBT的驅(qū)動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關(guān)斷時的VDS和IDS上升和下降時間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅(qū)動電阻可以加快開通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內(nèi)阻很小，一般要加個驅(qū)動電阻，更加細(xì)致的設(shè)計需要將開通和關(guān)斷電阻分開設(shè)計，以使開通和關(guān)斷速度都做到最大，同時不會損壞管子，可以去算下開關(guān)時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現(xiàn)在許多管子的極限。
從該MOSFET的PDF文檔上看，它的導(dǎo)通電阻為18毫歐，外接1歐的限流電阻也行，如果用10V電壓驅(qū)動的話，那么驅(qū)動峰值電流可以達(dá)到10A，下面是MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)，請各位幫小弟看看。如果驅(qū)動芯片的輸出電壓為12V，輸出峰值電流上限為4A的話，限流電阻取3歐應(yīng)該可以吧？但是問題是電阻的功率怎么選擇，有沒有經(jīng)驗值可供參考呢？請各位大蝦幫忙指點一下！

 

（點擊放大） 
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2010-02-03 10:55
@kuernikewa
[圖片]從該MOSFET的PDF文檔上看，它的導(dǎo)通電阻為18毫歐，外接1歐的限流電阻也行，如果用10V電壓驅(qū)動的話，那么驅(qū)動峰值電流可以達(dá)到10A，下面是MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)，請各位幫小弟看看。如果驅(qū)動芯片的輸出電壓為12V，輸出峰值電流上限為4A的話，限流電阻取3歐應(yīng)該可以吧？但是問題是電阻的功率怎么選擇，有沒有經(jīng)驗值可供參考呢？請各位大蝦幫忙指點一下！[圖片] （點擊放大） 
小弟初學(xué)，請各位大蝦幫忙看看吧！
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2010-02-03 15:00
@kuernikewa
小弟初學(xué)，請各位大蝦幫忙看看吧！

一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻 ，使用多的是3W的電阻。驅(qū)動電阻要求耐沖擊電流，寄生電感小。

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gz.daheng
LV.8
9
2010-02-03 15:12
@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻，使用多的是3W的電阻。驅(qū)動電阻要求耐沖擊電流，寄生電感小。
還有最好幾只并聯(lián).
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LV.1
10
2010-02-04 11:10
@gz.daheng
還有最好幾只并聯(lián).
對，并聯(lián)可以減小電感。

同時柵極電阻可以將功率耗散從驅(qū)動管轉(zhuǎn)移到自己。
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kuernikewa
LV.3
11
2010-02-24 22:53
@
對，并聯(lián)可以減小電感。同時柵極電阻可以將功率耗散從驅(qū)動管轉(zhuǎn)移到自己。
謝謝各位指點！
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hvic
LV.4
12
2010-02-25 12:12
@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻，使用多的是3W的電阻。驅(qū)動電阻要求耐沖擊電流，寄生電感小。
太夸張了吧， 電流只是峰值而已，就是一瞬間有這么大的電流，電阻也有短脈沖時功率參數(shù)，比如0.25W的電阻，短脈沖時能耐好幾瓦，

有條件查查你用的電阻的數(shù)據(jù)手冊。

還有一個要注意，驅(qū)動芯片本身輸出也是有內(nèi)阻的。
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braverider
LV.4
13
2010-02-25 19:36
@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻，使用多的是3W的電阻。驅(qū)動電阻要求耐沖擊電流，寄生電感小。

門極電阻不需要這么大的功率，因為只有觸發(fā)瞬間的峰值電流很大，一般用125mW的普通電阻就可以了。



同時這個電阻是為了防止由于雜散參數(shù)引起的振蕩，從而損壞開關(guān)管。



通過這個電阻可以控制開關(guān)管的開通和截止時間。公式為 ton=2.2RgCiss. Ciss:MOSFET的輸入電容(pF). Rg:門極電阻。

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kuernikewa
LV.3
14
2010-02-28 18:44
@braverider
門極電阻不需要這么大的功率，因為只有觸發(fā)瞬間的峰值電流很大，一般用125mW的普通電阻就可以了。同時這個電阻是為了防止由于雜散參數(shù)引起的振蕩，從而損壞開關(guān)管。通過這個電阻可以控制開關(guān)管的開通和截止時間。公式為ton=2.2RgCiss.Ciss:MOSFET的輸入電容(pF).Rg:門極電阻。

謝謝

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stayreal
LV.1
15
2020-04-10 16:42
@braverider
門極電阻不需要這么大的功率，因為只有觸發(fā)瞬間的峰值電流很大，一般用125mW的普通電阻就可以了。同時這個電阻是為了防止由于雜散參數(shù)引起的振蕩，從而損壞開關(guān)管。通過這個電阻可以控制開關(guān)管的開通和截止時間。公式為ton=2.2RgCiss.Ciss:MOSFET的輸入電容(pF).Rg:門極電阻。
請問一下，計算中ton的單位是什么？
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