新國(guó)標(biāo)3C測(cè)試,浪涌實(shí)驗(yàn)可控硅誤動(dòng)作,請(qǐng)教各位大俠,謝謝!
按照新國(guó)標(biāo),在EMC測(cè)試時(shí)要斷開(kāi)防浪涌裝置(如壓敏電阻),在浪涌測(cè)試(2000V)時(shí),可控硅有誤動(dòng)作(負(fù)載為馬達(dá)),加過(guò)RC吸收回路,但還是不行。且在測(cè)試過(guò)程中已斷開(kāi)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)可控硅回路,所以判斷為可控硅自身問(wèn)題,請(qǐng)教各位大俠有何建議!謝謝!