一直以來，對于雷達(dá)發(fā)射機(jī)等地方使用的開關(guān)，多為各種觸發(fā)管，如真空管、閘流管等。用此來做成的開關(guān)，有電路復(fù)雜、體積大、壽命短、使用條件苛刻等缺點(diǎn)。而近年來，隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，尤其是MOSFET和IGBT技術(shù)的逐步成熟，性能的不斷提高，以及其應(yīng)用技術(shù)的突破與發(fā)展，這兩種晶體管的直接串、并聯(lián)技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)，也就是說在比單個(gè)元件高得多的電壓和電流等級(jí)實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)通、斷控制。這種固態(tài)開關(guān)完全解決了原有開關(guān)電路復(fù)雜、體積大、壽命短、使用條件苛刻等缺點(diǎn)，可以通過簡單的電路，將MOS管或IGBT串聯(lián)，通過低感且較小的布局，實(shí)現(xiàn)任意頻率任意脈寬的開關(guān)，且壽命長，易維修，可以完全取代原有的開關(guān)。目前該技術(shù)成功應(yīng)用于民用、軍事等領(lǐng)域，并引導(dǎo)了在其它應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展。

本開關(guān)具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：1由大量的MOSFET或IGBT通過串聯(lián)、并聯(lián)，并通過緊湊、低感的布局組成的，體積小，性能好。2自身包含驅(qū)動(dòng)電路，是一個(gè)小體積的組件，具有極高的可靠性和優(yōu)異的開關(guān)性能（包括低的導(dǎo)通阻抗，高的截止阻抗，納秒量級(jí)的控制傳輸延時(shí)和百納秒量級(jí)的開啟和關(guān)斷時(shí)間）。3同時(shí)控制驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)電路的全隔離，保證了開關(guān)即可以用于高端開關(guān)，也可以用于低端開關(guān)，還可以用于兩個(gè)高壓開關(guān)組成的推挽電路。4開關(guān)的使用也是極其簡單的，只要提供一個(gè)5V的供電和TTL的開關(guān)控制信號(hào)，開關(guān)即可以工作在固定的脈寬下，也可以工作在可變的脈寬下。5所選用器件均為常用器件，成本低。高壓開關(guān)可以通過系列化的生產(chǎn)，具有極寬的負(fù)載電壓和電流范圍。

由于晶體管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是來源于輸入的TTL信號(hào)，因此開關(guān)管導(dǎo)通關(guān)斷與輸入信號(hào)基本保持一致，輸出脈沖電壓的頻率與脈寬與輸入TTL信號(hào)同樣基本保持一致（有納秒量級(jí)的控制傳輸延時(shí)），由此實(shí)現(xiàn)開關(guān)的工作脈寬從200ns到連續(xù)，而且即可以工作在固定的脈寬下，也可以工作在可變的脈寬下。

由于晶體管快速開關(guān)的特點(diǎn)與良好的導(dǎo)通關(guān)斷一致性，使輸出電壓的前后沿達(dá)到百納秒量級(jí)。 每個(gè)晶體管組均接有保護(hù)電路部分，以防電路在打火等情況下對晶體管起到保護(hù)作用，所以很強(qiáng)的抗負(fù)載打火能力。

圖傳了半天也沒傳上去，真是郁悶

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