承蒙大家厚愛,原來那個帖子有點亂,因為有些回復(fù)在前面,所以經(jīng)??床坏竭z漏了,所以在這新開一個,歡迎大家一起探討電源相關(guān)問題,謝謝
系列二:電源行業(yè),你想問什么,我?guī)湍愦?每天回答一次,有興趣的可以試試)
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@charlievictory
謝謝回答。我的電路中需要兩路輸出來控制兩個管子,當(dāng)輸入為50V,輸出為30V時,占空比就是60%,這個時候芯片輸出的控制信號占空比只有達到0.6才可以啊
噢,明白你的意思了,但是你這樣兩個BUCK的并聯(lián),就相當(dāng)于完全獨立的兩個拓撲,關(guān)于這個問題,我上一個帖子里說了一下。兩個獨立的芯片控制兩個獨立的拓撲當(dāng)然就可以大于50%了。但是這樣兩個拓撲的直接并聯(lián)不僅僅是控制芯片的問題了,還有關(guān)于穩(wěn)壓,環(huán)流和均流等一系列問題。
我也不知道是否有直接把兩個芯片封裝到一起的集成芯片,正常應(yīng)該有吧。
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@lq3698
你好!我想問一下MOS管的驅(qū)動電阻如何選用,有什么公式可以套用嗎?IGBT的驅(qū)動電阻又該如何選用,謝謝!
MOSFET的驅(qū)動電阻,我不知道哦有沒有人總結(jié)成型的公式,即使總結(jié)了這個也很簡單。驅(qū)動電阻,實際就是一個限制充電時間的電阻。根據(jù)你的驅(qū)動電壓,根據(jù)管子的門極Qg值,以及驅(qū)動電阻積分就可以算出管子的開通上升沿時間。驅(qū)動電阻大小的選取,是根據(jù)你要調(diào)整的開關(guān)速度決定的。
IGBT的驅(qū)動實際跟MOSFET相差不大,但是由于IGBT從原理上存在電流拖尾現(xiàn)象,所以關(guān)斷的時候驅(qū)動下降的速度一般要求比較高,都會反抽,而IGBT驅(qū)動的難點在于在電流拖尾過程中一旦出現(xiàn)直通,怎么能夠有效的保護管子,而這部分保護電路往往被跟驅(qū)動做在一起,所以看起來比較復(fù)雜。
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