死區(qū)電路原理
H橋電路當(dāng)中一側(cè)高低MOS管 高端在導(dǎo)通最后時刻與低端變高時產(chǎn)生重疊就叫死區(qū)時間
當(dāng)電路當(dāng)中元件參數(shù)不同 MOS管門極受到外界干擾在高低交替時刻兩個功率管會發(fā)生短暫同時導(dǎo)通這種情況
是因為在電路中兩組波形通過后續(xù)電路不可避免會受到不同時間長短延時或輸出負載影響是高低MOS同時導(dǎo)通
這樣會在供電HV產(chǎn)生很大的穿刺電流不僅增大功耗，而且容易損壞器件解決辦法是，向?qū)ǖ腗OS發(fā)觸脈沖結(jié)束時刻至少比
向與關(guān)斷的MOS發(fā)觸發(fā)脈沖延時一段時間，實現(xiàn)高低MOS器件接通和關(guān)斷序列協(xié)調(diào)
