CISS=Cgs+Cgd

指的是mosfet的輸入電容。

Qg只是在一個(gè)柵電容的充電電荷。關(guān)系的是一個(gè)MOSFET的充電損耗。

理論上來(lái)說(shuō)，兩者是越小越好啊。

Qg是一個(gè)mos管從關(guān)斷狀態(tài)到飽和導(dǎo)通狀態(tài)，

驅(qū)動(dòng)電路需要向G注入的電荷總數(shù)~

見(jiàn)下圖，

QG是MOSFET的柵極的電容一部分，實(shí)際上的QG=QGS+QGD+QOD,其中QOD是miller電容充滿后的過(guò)充電荷。

Qod是Qgs和Qgd的一部分吧.驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)了miller點(diǎn)后,Vgs繼續(xù)升高,這個(gè)時(shí)候仍然對(duì)Cgs和Cgd充電的啊,所以Qod并不能獨(dú)立出來(lái).

Qg=Qgs+Qgd

Qg=Ciss*Vgs

 

剛剛我仔細(xì)看看了看啟動(dòng)模型:我昨天回復(fù)的關(guān)系式不正確.

liuhou大大說(shuō)的對(duì).

Qod是單獨(dú)存在的,Qod=Vds*Cds

Qg=Qgs+Qgd+Qod

Qg=Ciss*Vgs+Vds*Cds