最近要做一款5V2A的電源,輸入是176-264VAC,想問下大家效率能做到多少,
比如用RCC方案,效率能做到多少??
用集成MOS的芯片,效率又能做到多少??
還有一種就是用ACT30,效率能做到多少??
最近要做一款5V2A的電源,輸入是176-264VAC,想問下大家效率能做到多少,
比如用RCC方案,效率能做到多少??
用集成MOS的芯片,效率又能做到多少??
還有一種就是用ACT30,效率能做到多少??
對(duì)于5V 2A用集成MOSFET的IC做到76%~80%有懷疑,除非不計(jì)成本的去做,否則合理的效率應(yīng)該在70%~75%。
次級(jí)肖特基的壓降是個(gè)大頭,初級(jí)MOSFET的開關(guān)損耗,導(dǎo)通損耗,Transformer的損耗,吸收電路的損耗,啟動(dòng),反饋以及EMI電路的損耗等,加起來應(yīng)該不??;當(dāng)然如果舍得成本的話,這些損耗是可以降低的。
以前做過相似的案子,如果我沒記錯(cuò)的話,樣機(jī)效率大概76%-77%,量產(chǎn)的一般在74%-75%;當(dāng)然,也可能是我的水平有限
冰版主那么謙虛,
現(xiàn)在有個(gè)5V2A的案子,客戶的技術(shù)要求是效率要大于80%,而且板子的空間不足,,把EE16的變壓器放上后,放個(gè)DIP-8的IC都放不下了,,還要求過3C,,所以發(fā)帖問下大家,效率能不能達(dá)到。。
EE16的變壓器在輸出5V 2A,頻率怎么也得跑150K以上,這個(gè)時(shí)候鐵損與銅損將非常大,做到80%的效率幾乎不可能
而且你這個(gè)體積小,要做這個(gè)效率,更是天方夜譚,你們總工說能做,就讓他做吧!你可以到時(shí)看笑話,看他到時(shí)怎么收?qǐng)觥?img src="http://www.15119.cn/statics/js/kindeditor/plugins/emoticons/images/44.gif" />
嗯,是的。他QQ資料上寫的有5年開關(guān)電源的經(jīng)驗(yàn),,我來這個(gè)公司才1個(gè)月,到底具體怎么樣,我心里還沒個(gè)低。。
不過公司現(xiàn)在用的都是國(guó)產(chǎn)的IC、MOS,,像12N60、20N60都用國(guó)產(chǎn)的,現(xiàn)在準(zhǔn)備兩套方案,一套是RCC的,另一套就是用集成MOS的IC,將IC放在另一塊小板上。。
頭大
哇,5年就能做總工,佩服,難道是博士?
善意提醒:IC做在小板上插于PCB上,到時(shí)EMI處理起來是個(gè)頭疼的問題
嘿嘿,最近客戶在我這定做5V2A電源,也是176V-264V輸入,體積要求的估計(jì)比你的還小點(diǎn)?,F(xiàn)在剛搭出試驗(yàn)電路,效率約80%,加點(diǎn)測(cè)量誤差,恰好卡邊。沒你那么幸運(yùn),還能用上EE16的磁芯,我用的EE13的磁芯做的變壓器。輸出10W的時(shí)候,功率機(jī)上顯示的在12.4-12.7W之間波動(dòng),雖然損耗只有2.5W左右,主要的器件最高都到70度了,環(huán)境溫度約25度,看來做正式樣機(jī)的時(shí)候,性能還得想辦法改進(jìn)才行。
信息只能提供這么多了,看對(duì)你有沒有參考價(jià)值。畢竟客戶是花錢雇我來做設(shè)計(jì)的,具體的東西是不能外傳的,畢竟協(xié)議上有明確規(guī)定。
這位老兄更牛,EE13做10W,還能上80%的效率,佩服
工作頻率多少?肖特基的溫度只有70度?也就是說溫升只有70-25=45度?強(qiáng)烈懷疑中
請(qǐng)說明使用的是什么肖特基,熱阻多少,輸出滿載的時(shí)候肖特基的壓降是多少?數(shù)據(jù)能說明一切問題。
樓上的兄弟,不可能的事多著呢!
我現(xiàn)在在公司設(shè)計(jì)石油行業(yè)的高溫電源的,環(huán)境溫度在175度,可以把功率做到輸出12W,體積在為 長(zhǎng) 41mm*寬42mm*高13mm 現(xiàn)在的15W電源還在改造之中。終極目的是要做到185度,15W。
我只是懷疑你說的參數(shù),沒有說不可能!做技術(shù)就是需要有強(qiáng)烈的懷疑精神。
對(duì)于你說的175度的環(huán)境溫度,我也是有點(diǎn)懷疑,這個(gè)時(shí)候電源的整體溫升多少?變壓器的磁芯溫度又是多少?
不知兄弟用的是什么方案??EE13做10W,變壓器中加了屏蔽沒有??效率能做到80%,。你也是牛人
如果方便的話可以站內(nèi)短信給我
不僅僅是這兩個(gè)元件,所有的元件都面臨著高溫的考驗(yàn),用常規(guī)的元器件肯定做不到
打個(gè)比方吧,MOSFET的結(jié)溫一般不超過155度,當(dāng)環(huán)境溫度為175度時(shí),那么MOS管即使內(nèi)部不發(fā)熱,都要掛了,所以,必須用特殊工藝制作
既然有80%的效率,以正常工作時(shí)MOS管的溫升30度來算,那么MOS管的溫度就有205度,假設(shè)MOSFET的熱阻非常小,外殼到內(nèi)部芯片以5度算,那么MOS管的結(jié)溫都將達(dá)到210度
但能耐這么高溫度的MOS管,應(yīng)該比較難找,至少我還不知道