久久久国产精品视频袁燕,99re久久精品国产,亚洲欧美日韩国产综合v,天天躁夜夜躁狠狠久久,激情五月婷婷激情五月婷婷

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點(diǎn)贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

一個(gè)改善DS尖峰的案例

 今天做了一個(gè)對(duì)比試驗(yàn)，就是關(guān)于消除DS尖刺試驗(yàn)，效果還可以！但是有個(gè)問(wèn)題就是，待機(jī)功耗會(huì)增加！現(xiàn)在只是拋磚引玉，歡迎大家品論！數(shù)據(jù)見(jiàn)圖：

 

全部回復(fù)(24)
正序查看
倒序查看
米老鼠
LV.8
2
2010-09-30 15:48

謝謝分享

這個(gè)一次端接法看著真糾結(jié)

0
回復(fù)
gaohq
LV.8
3
2010-09-30 16:07

有的還加個(gè)二極管的。一次端接法看著確實(shí)糾結(jié)

0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
4
2010-09-30 16:43
@gaohq
有的還加個(gè)二極管的。一次端接法看著確實(shí)糾結(jié)

不光看，還要提一些意見(jiàn)呀！

0
回復(fù)
2010-10-01 09:14
建議多花些思想在降低變壓器漏感上吧，看見(jiàn)原因的源頭比一味防堵跟吸收來(lái)得強(qiáng)。以上提供參考。
0
回復(fù)
chendelei
LV.8
6
2010-10-01 14:48
@peterchen0721
建議多花些思想在降低變壓器漏感上吧，看見(jiàn)原因的源頭比一味防堵跟吸收來(lái)得強(qiáng)。以上提供參考。
這樣會(huì)影響很多效率的吧.樓主.
0
回復(fù)
jepsun
LV.9
7
2010-10-01 15:54
可否告知。改善之前與之后的RCD參數(shù)。
0
回復(fù)
2010-10-01 21:33

應(yīng)該不僅僅影響待機(jī)損耗吧，整個(gè)效率都會(huì)受影響。

0
回復(fù)
hlp330
LV.9
9
2010-10-01 22:30
@fly
應(yīng)該不僅僅影響待機(jī)損耗吧，整個(gè)效率都會(huì)受影響。

總覺(jué)的在MOS上面并電容和電阻是下下策。不得已而為之才用。

還真的不如在變壓器和LAYOUT上面多動(dòng)動(dòng)腦筋，事半功倍。

0
回復(fù)
jepsun
LV.9
10
2010-10-02 16:37
@hlp330
總覺(jué)的在MOS上面并電容和電阻是下下策。不得已而為之才用。還真的不如在變壓器和LAYOUT上面多動(dòng)動(dòng)腦筋，事半功倍。
降低漏感是根本。
0
回復(fù)
xuzhx
LV.4
11
2010-10-02 20:24
@hlp330
總覺(jué)的在MOS上面并電容和電阻是下下策。不得已而為之才用。還真的不如在變壓器和LAYOUT上面多動(dòng)動(dòng)腦筋，事半功倍。
漏感再降低也是消除不掉的，RC可明顯改善EMI，不過(guò)低的漏感可使RC耗能減少很多。
0
回復(fù)
songxium
LV.7
12
2010-10-02 23:20

單獨(dú)并電容你試過(guò)嗎。

0
回復(fù)
jepsun
LV.9
13
2010-10-03 17:59
@songxium
單獨(dú)并電容你試過(guò)嗎。
上班了，我會(huì)去試試樓主的方式。
0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
14
2010-10-08 10:25
@peterchen0721
建議多花些思想在降低變壓器漏感上吧，看見(jiàn)原因的源頭比一味防堵跟吸收來(lái)得強(qiáng)。以上提供參考。

即使你把漏感降的很小，尖峰也存在，而且隨著主路負(fù)載的變化，還有所變化，所以這個(gè)只是一個(gè)保護(hù)電路，而且還測(cè)量了一下，只要參數(shù)合適，功耗也不會(huì)很大！那你能否給一些降低漏感的意見(jiàn)，不要很籠統(tǒng)的提一下，大家都知道降低漏感可以，缺少的是好的方法！我們要的Know-how！

先再貼上一副主路沒(méi)有載，沒(méi)有加RC的DS波形

0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
15
2010-10-08 10:26
@ly_milan
即使你把漏感降的很小，尖峰也存在，而且隨著主路負(fù)載的變化，還有所變化，所以這個(gè)只是一個(gè)保護(hù)電路，而且還測(cè)量了一下，只要參數(shù)合適，功耗也不會(huì)很大！那你能否給一些降低漏感的意見(jiàn)，不要很籠統(tǒng)的提一下，大家都知道降低漏感可以，缺少的是好的方法！我們要的Know-how！先再貼上一副主路沒(méi)有載，沒(méi)有加RC的DS波形
 
0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
16
2010-10-08 10:28
@ly_milan
[圖片] 
這是沒(méi)有負(fù)載，加了RC的波形圖 
0
回復(fù)
hlp330
LV.9
17
2010-10-08 10:30
@ly_milan
即使你把漏感降的很小，尖峰也存在，而且隨著主路負(fù)載的變化，還有所變化，所以這個(gè)只是一個(gè)保護(hù)電路，而且還測(cè)量了一下，只要參數(shù)合適，功耗也不會(huì)很大！那你能否給一些降低漏感的意見(jiàn)，不要很籠統(tǒng)的提一下，大家都知道降低漏感可以，缺少的是好的方法！我們要的Know-how！先再貼上一副主路沒(méi)有載，沒(méi)有加RC的DS波形

降低漏感的主要方法就是在變壓器上下功夫了。

主要是增加初次級(jí)之間的耦合，所以改變一些繞法，像三明治，初次級(jí)交叉都不錯(cuò)。再就是繞線不能重疊，盡量平整。

0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
18
2010-10-08 10:30
@hlp330
總覺(jué)的在MOS上面并電容和電阻是下下策。不得已而為之才用。還真的不如在變壓器和LAYOUT上面多動(dòng)動(dòng)腦筋，事半功倍。

太籠統(tǒng)了，能不能具體和量化，我希望看到具體的分析和量化的東西，負(fù)責(zé)就是紙上談兵和空談！?。。?/p>

0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
19
2010-10-08 10:35
@songxium
單獨(dú)并電容你試過(guò)嗎。
曾經(jīng)在相同的位置加了壓敏電阻，相當(dāng)于一個(gè)小電容，效果很好，主要是吸收瞬間尖刺！
0
回復(fù)
hlp330
LV.9
20
2010-10-08 10:47
@ly_milan
曾經(jīng)在相同的位置加了壓敏電阻，相當(dāng)于一個(gè)小電容，效果很好，主要是吸收瞬間尖刺！
好是好，但是你這樣是增加了MOS的輸出電容，對(duì)開(kāi)關(guān)的損耗是有影響的。
0
回復(fù)
bode
LV.9
21
2010-10-08 10:54

加RC吸收，一般都會(huì)增大損耗，降低效率～

0
回復(fù)
ly_milan
LV.5
22
2010-10-08 11:38
@bode
加RC吸收，一般都會(huì)增大損耗，降低效率～

想問(wèn)一下，RC吸收的應(yīng)該是尖峰和阻尼振蕩的，那一部分！它本身的損耗，應(yīng)該不是太大的？？？

0
回復(fù)
hlp330
LV.9
23
2010-10-08 13:30
@ly_milan
想問(wèn)一下，RC吸收的應(yīng)該是尖峰和阻尼振蕩的，那一部分！它本身的損耗，應(yīng)該不是太大的？？？
會(huì)影響MOS的開(kāi)通和關(guān)斷速度的，這個(gè)是損耗加大的原因。
0
回復(fù)
songxium
LV.7
24
2010-10-08 13:47
這是個(gè)有損吸收電路。
0
回復(fù)
bode
LV.9
25
2010-10-08 14:06
@hlp330
會(huì)影響MOS的開(kāi)通和關(guān)斷速度的，這個(gè)是損耗加大的原因。

我覺(jué)得它對(duì)mos的開(kāi)通和關(guān)斷速度影響不大～

損耗主要是產(chǎn)生在RC吸收中的R上～

0
回復(fù)
立
即
發(fā)
帖