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電源技術綜合區(qū)
MOSFET問題,是高手的過來看看!!!求高手高手高手!
MOSFET問題,是高手的過來看看!!!求高手高手高手!
請問在開關電源中MOSFET可以并聯(lián)和串聯(lián)使用嗎?要注意那些問題,主要與其那些參數(shù)有影響?
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現(xiàn)在還沒有回復呢,說說你的想法
iceli
LV.2
2
2005-12-01 21:20
怎么樣,沒有人過來,歡迎積極發(fā)言
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sinican
LV.8
3
2005-12-01 21:59
并聯(lián):現(xiàn)在的半導體工藝非常成熟,MOSFET 并聯(lián)基本上沒有任何問題.你在 Layout 時,只要注意以下幾點:1. 到 drain 極的導線基本一致2. 從 Source 極出來的長度基本一致3. Gate 極的驅動線路長度一致串聯(lián):主要關注的是兩個MOSFET 的均壓問題,畢竟MOSFET 導通時,內阻會有一些差異,同樣兩個開通的時間不一致那你就慘啦!
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zhlun
LV.6
4
2005-12-01 22:09
高手們多發(fā)表點意見!
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hl-xie
LV.4
5
2005-12-01 22:15
有沒有用過臺灣華瑞的MOS-FET
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iceli
LV.2
6
2005-12-05 14:17
@sinican
并聯(lián):現(xiàn)在的半導體工藝非常成熟,MOSFET并聯(lián)基本上沒有任何問題.你在Layout時,只要注意以下幾點:1.到drain極的導線基本一致2.從Source極出來的長度基本一致3.Gate極的驅動線路長度一致串聯(lián):主要關注的是兩個MOSFET的均壓問題,畢竟MOSFET導通時,內阻會有一些差異,同樣兩個開通的時間不一致那你就慘啦!
謝謝啦,可不可以再詳細一點
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gavinliao
LV.4
7
2005-12-05 21:19
@hl-xie
有沒有用過臺灣華瑞的MOS-FET
SYNC POWER 的 MOSFET 管品質更上一層樓 , 內阻更低 , 更小包裝樣式 , 更省空間
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sinican
LV.8
8
2005-12-07 16:25
@iceli
謝謝啦,可不可以再詳細一點
具體要看你的應用啦!不針對應用實例進行交流的話,只能是純理論的東西,呵呵~~~~ 你認為呢?
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liuyu2002_0_0
LV.3
9
2005-12-07 16:49
@sinican
并聯(lián):現(xiàn)在的半導體工藝非常成熟,MOSFET并聯(lián)基本上沒有任何問題.你在Layout時,只要注意以下幾點:1.到drain極的導線基本一致2.從Source極出來的長度基本一致3.Gate極的驅動線路長度一致串聯(lián):主要關注的是兩個MOSFET的均壓問題,畢竟MOSFET導通時,內阻會有一些差異,同樣兩個開通的時間不一致那你就慘啦!
請教:我并聯(lián)時都要在柵極加10歐電阻,否則就燒管,是否就是不滿足您說的那三點!!
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sinican
LV.8
10
2005-12-07 17:06
@liuyu2002_0_0
請教:我并聯(lián)時都要在柵極加10歐電阻,否則就燒管,是否就是不滿足您說的那三點!!
不一定,你燒管的原因,十之八九是你在G/S極之間你沒有串泄放電阻(僅個人猜測)并聯(lián)時,一個10R 的電阻也可以同時驅動兩個 MOSFET,電阻分開的關鍵是在于你的MOSFET Qg 以及你的Layout 方便.MOSFET 燒管的原因,基本上都是自觸發(fā)導通造成的(歸根的說法).當然自觸發(fā)的原因有很多,俺也不想對這個專門寫一個長篇!
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liuyu2002_0_0
LV.3
11
2005-12-07 17:17
@sinican
不一定,你燒管的原因,十之八九是你在G/S極之間你沒有串泄放電阻(僅個人猜測)并聯(lián)時,一個10R的電阻也可以同時驅動兩個MOSFET,電阻分開的關鍵是在于你的MOSFETQg以及你的Layout方便.MOSFET燒管的原因,基本上都是自觸發(fā)導通造成的(歸根的說法).當然自觸發(fā)的原因有很多,俺也不想對這個專門寫一個長篇!
這個瀉放電阻一般是k歐級的是嗎,您的意思是加了泄放電阻就不用加10歐電阻了嗎,還是都加??
關于自觸發(fā)導通的相關論文或書籍方便相告嗎?當然如果您能貼出一些,那小弟不勝感激!!了
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sinican
LV.8
12
2005-12-07 17:37
@liuyu2002_0_0
這個瀉放電阻一般是k歐級的是嗎,您的意思是加了泄放電阻就不用加10歐電阻了嗎,還是都加?? 關于自觸發(fā)導通的相關論文或書籍方便相告嗎?當然如果您能貼出一些,那小弟不勝感激!!了
泄放電阻主要是用來防止Qg被非正常充電導致導通(被動).而10R的電阻是driver限流的(主動).當然都加是最好啦!當你的設計完畢以后,再拆掉泄放電阻,一般日本和臺灣的設計都會這樣.一個方面降耗;另一方面對抄板新手增加一定的難度.上網(wǎng)一搜,就可以找到啦! 從半導體特性方面入手就可以啦!
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莫等閑
LV.5
13
2005-12-07 19:33
要注意你的IC 能否正常驅動兩個MOS,尤其是兩個Ciss比較大的MOS.
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liuyu2002_0_0
LV.3
14
2005-12-08 08:28
@sinican
泄放電阻主要是用來防止Qg被非正常充電導致導通(被動).而10R的電阻是driver限流的(主動).當然都加是最好啦!當你的設計完畢以后,再拆掉泄放電阻,一般日本和臺灣的設計都會這樣.一個方面降耗;另一方面對抄板新手增加一定的難度.上網(wǎng)一搜,就可以找到啦!從半導體特性方面入手就可以啦!
非常感謝!!!
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caolin123
LV.5
15
2005-12-08 08:48
最好選用功率較大的代用,并聯(lián)就怕開關斷的時間不一樣.
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gavinliao
LV.4
16
2006-02-06 00:25
@gavinliao
SYNCPOWER的MOSFET管品質更上一層樓,內阻更低,更小包裝樣式,更省空間
頂
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luyongq
LV.7
17
2006-02-06 06:12
MOSFET并聯(lián)使用很方便,很多情況下,可以直接并聯(lián).
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