想請問各問先進(jìn)一個問題，先前我的變壓器繞法如下
P - Shield - Aux - S - Shield - P
三明治繞法，Secondary 用三層絕緣線！
這樣的繞法會導(dǎo)致 PWM IC 炸機(jī)，但以下的繞法就不會：
P - Shield - S - Shield - P - AUX
有人知道為什麼嗎？
變壓器繞法對雷擊的影響
全部回復(fù)(5)
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@隱形專家
同意以上觀點(diǎn)
我也不認(rèn)為有問題，但是我老闆說 Aux 放在內(nèi)側(cè)耦合會比較好，所以雷擊會有比較大的影響！
但是一般我們會把接 Mos 那一端的 pin 繞在內(nèi)側(cè)，Bulk CAP 的那一 pin 繞在外側(cè)，這樣雷擊打下來，Bulk CAP 那一 pin 首當(dāng)其衝，所以 Aux 繞在外側(cè)，不就是更糟？？
我們 team 已經(jīng)有很多實(shí)驗(yàn) Aux 繞在內(nèi)側(cè) 雷擊會比較差！但是沒一個理論基礎(chǔ)！
只知道 Aux 繞在內(nèi)側(cè)對 EMI 會比較好！
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