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國產(chǎn)coolmos 愿意試用的進

各位高手大家有多少在用coolmos的,COOLMOS出現(xiàn)10多年來一直是國外的品牌,國內(nèi)沒人做的出來

小弟目前使用國內(nèi)的工藝和自主技術(shù)開發(fā)了500V,600V,650V的coolmos產(chǎn)品,目前有20A的樣品,產(chǎn)品交直流參數(shù),持續(xù)電流溫升等項目和Infineon,STM,Toshiba等廠家產(chǎn)品對比,至少不比他們的差;

哪個XD正在使用coolmos,MDmesh,DTmos,并且有興趣試用國內(nèi)產(chǎn)品,可以和小弟聯(lián)系一下

QQ:48373934    或     10923054

大家一定要頂啊!

全部回復(fù)(90)
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2010-12-07 16:18
終于出來了,哈哈
0
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gbxs1984
LV.3
3
2010-12-07 16:27
@konglingzhi
終于出來了,哈哈
你認識我?
0
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basic_s
LV.2
4
2010-12-07 17:38

這個。。。。專利不是被英飛凌買了嗎?你還能做?

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gbxs1984
LV.3
5
2010-12-07 18:03
@basic_s
這個。。。。專利不是被英飛凌買了嗎?你還能做?

我們用的技術(shù)和infineon的不一樣,COOLMOS只是Infineon的注冊商標,其實只是一種超結(jié)MOSFET。Fairchild,STM,Toshiba都有自己的超結(jié)MOSFET,我所做的也是一種超結(jié)mosfet,只不過COOLMOS最有名,所以目前大家都管超結(jié)MOSFET叫coolmos了。

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2010-12-07 18:51
這個要頂!會聯(lián)系你的。
0
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flyahead
LV.5
7
2010-12-07 20:07

好樣的,頂

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zero3210
LV.7
8
2010-12-07 23:23
好的  用到跟你聯(lián)系
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2010-12-08 08:57
@gbxs1984
你認識我?

前幾天問國產(chǎn)COOLMOS有人敢用不那個帖子不就是你發(fā)的嗎,我加你Q了

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gbxs1984
LV.3
10
2010-12-08 18:41
謝謝大家支持 繼續(xù)頂 呵呵
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jepsun
LV.9
11
2010-12-08 19:40
@gbxs1984
謝謝大家支持繼續(xù)頂呵呵

好的!支持名族技術(shù)!

用到時聯(lián)系你!

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gbxs1984
LV.3
12
2010-12-09 13:41
@konglingzhi
前幾天問國產(chǎn)COOLMOS有人敢用不那個帖子不就是你發(fā)的嗎,我加你Q了
嘿嘿  是我發(fā)的
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冰上鴨子
LV.10
13
2010-12-09 14:15
可不可以給大家講講技術(shù)參數(shù)比常規(guī)的mosfe的優(yōu)缺點啊?
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destiny
LV.6
14
2010-12-09 14:18
頂!
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謝厚林
LV.12
15
2010-12-09 14:47
@gbxs1984
嘿嘿 是我發(fā)的
太牛了。
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2010-12-09 15:09
頂個先~~
0
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jepsun
LV.9
17
2010-12-09 15:59
@冰上鴨子
可不可以給大家講講技術(shù)參數(shù)比常規(guī)的mosfe的優(yōu)缺點啊?
顯著一點:導(dǎo)通電阻低!
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冰上鴨子
LV.10
18
2010-12-09 16:06
@jepsun
顯著一點:導(dǎo)通電阻低!
價格呢?
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gbxs1984
LV.3
19
2010-12-09 16:09
@冰上鴨子
可不可以給大家講講技術(shù)參數(shù)比常規(guī)的mosfe的優(yōu)缺點啊?

單從芯片上來看,由與采用了特殊技術(shù),主要優(yōu)點有:

1.超結(jié)mosfet的導(dǎo)通電阻僅相當(dāng)與相同電壓電流規(guī)格的常規(guī)MOSFET的50%左右,因此導(dǎo)通損耗低,發(fā)熱小,效率高;

2.相同電流電壓規(guī)格情況下,超結(jié)mosfet的芯片面積會會比常規(guī)的mosfet小接近50%,因此Qg要小,開關(guān)速度快,開關(guān)損耗??;

3.由于超結(jié)MOSFET芯片面積小,相同電流級別的產(chǎn)品可以使用更小的封裝,比如:20A 600V的常規(guī)mosfet一般只能封裝在T0247或T0-3P的封裝里,而超結(jié)MOSFET可以封裝在TO-220的封裝中,可以有效縮小產(chǎn)品體積

4.由于芯片工藝過程良率限制和封裝體積限制,超結(jié)MOSFET可以把電流做的比較大,47A ,52A等,常規(guī)MOSFET很難實現(xiàn)。

主要優(yōu)點差不多就這么多,主要缺點是:

1 .由于管芯面積小,超結(jié)MOSFET的Eas會比常規(guī)的MOSFET略差,在有較大感性負載的電路中的耐沖擊能力比常規(guī)MOSFET略弱;

2.價格會比常規(guī)的MOSFET略貴 20%~50%;

臨時總結(jié)了這么多,不知道全不全,歡迎高手補充。

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冰上鴨子
LV.10
20
2010-12-09 16:13
@gbxs1984
單從芯片上來看,由與采用了特殊技術(shù),主要優(yōu)點有:1.超結(jié)mosfet的導(dǎo)通電阻僅相當(dāng)與相同電壓電流規(guī)格的常規(guī)MOSFET的50%左右,因此導(dǎo)通損耗低,發(fā)熱小,效率高;2.相同電流電壓規(guī)格情況下,超結(jié)mosfet的芯片面積會會比常規(guī)的mosfet小接近50%,因此Qg要小,開關(guān)速度快,開關(guān)損耗??;3.由于超結(jié)MOSFET芯片面積小,相同電流級別的產(chǎn)品可以使用更小的封裝,比如:20A600V的常規(guī)mosfet一般只能封裝在T0247或T0-3P的封裝里,而超結(jié)MOSFET可以封裝在TO-220的封裝中,可以有效縮小產(chǎn)品體積4.由于芯片工藝過程良率限制和封裝體積限制,超結(jié)MOSFET可以把電流做的比較大,47A,52A等,常規(guī)MOSFET很難實現(xiàn)。主要優(yōu)點差不多就這么多,主要缺點是:1.由于管芯面積小,超結(jié)MOSFET的Eas會比常規(guī)的MOSFET略差,在有較大感性負載的電路中的耐沖擊能力比常規(guī)MOSFET略弱;2.價格會比常規(guī)的MOSFET略貴20%~50%;臨時總結(jié)了這么多,不知道全不全,歡迎高手補充。
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shayu1000
LV.8
21
2010-12-09 16:31
@gbxs1984
單從芯片上來看,由與采用了特殊技術(shù),主要優(yōu)點有:1.超結(jié)mosfet的導(dǎo)通電阻僅相當(dāng)與相同電壓電流規(guī)格的常規(guī)MOSFET的50%左右,因此導(dǎo)通損耗低,發(fā)熱小,效率高;2.相同電流電壓規(guī)格情況下,超結(jié)mosfet的芯片面積會會比常規(guī)的mosfet小接近50%,因此Qg要小,開關(guān)速度快,開關(guān)損耗?。?.由于超結(jié)MOSFET芯片面積小,相同電流級別的產(chǎn)品可以使用更小的封裝,比如:20A600V的常規(guī)mosfet一般只能封裝在T0247或T0-3P的封裝里,而超結(jié)MOSFET可以封裝在TO-220的封裝中,可以有效縮小產(chǎn)品體積4.由于芯片工藝過程良率限制和封裝體積限制,超結(jié)MOSFET可以把電流做的比較大,47A,52A等,常規(guī)MOSFET很難實現(xiàn)。主要優(yōu)點差不多就這么多,主要缺點是:1.由于管芯面積小,超結(jié)MOSFET的Eas會比常規(guī)的MOSFET略差,在有較大感性負載的電路中的耐沖擊能力比常規(guī)MOSFET略弱;2.價格會比常規(guī)的MOSFET略貴20%~50%;臨時總結(jié)了這么多,不知道全不全,歡迎高手補充。
有些電源的短路保護是靠Isense電阻和MOS的配合來實現(xiàn)的,直接用COOLMOS代換,后果很嚴重。建議保護做的好的電源和性能指標高的電源使用
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fsxqw
LV.9
22
2010-12-09 19:32
@tengcong1987
頂個先~~

支持國產(chǎn),頂下樓主。

回頭聯(lián)系你看看能否合作合作。

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holyfaith
LV.8
23
2010-12-09 21:20
@fsxqw
支持國產(chǎn),頂下樓主?;仡^聯(lián)系你看看能否合作合作。
有人做過的,把板子和實驗結(jié)果拍成照片發(fā)上來,大家都知道了
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holyfaith
LV.8
24
2010-12-09 21:21
@fsxqw
支持國產(chǎn),頂下樓主。回頭聯(lián)系你看看能否合作合作。
有人做過的,把板子和實驗結(jié)果拍成照片發(fā)上來,大家都知道了
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holyfaith
LV.8
25
2010-12-09 21:21
@fsxqw
支持國產(chǎn),頂下樓主?;仡^聯(lián)系你看看能否合作合作。
有人做過的,把板子和實驗結(jié)果拍成照片發(fā)上來,大家都知道了
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gbxs1984
LV.3
26
2010-12-10 20:57
@shayu1000
[圖片]有些電源的短路保護是靠Isense電阻和MOS的配合來實現(xiàn)的,直接用COOLMOS代換,后果很嚴重。建議保護做的好的電源和性能指標高的電源使用
21樓貌似高人啊,可以詳細說說不?
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心中有冰
LV.11
27
2010-12-10 21:35
正好要做個電源,PFC需要用20A左右的COOLMOS,明天加你QQ
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水蜘蛛
LV.8
28
2010-12-10 21:49

給些數(shù)據(jù)表看看吧。相信電壓電流都不會有問題;就看其他參數(shù)了。

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水蜘蛛
LV.8
29
2010-12-10 21:52

目前;國內(nèi)做FET/HVIC/IGBT的很多,可是;大多太急功近利了。連參數(shù)測試都是錯的。

任何產(chǎn)品都是需要積淀的!

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gbxs1984
LV.3
30
2010-12-10 22:15
@水蜘蛛
給些數(shù)據(jù)表看看吧。相信電壓電流都不會有問題;就看其他參數(shù)了。

具體數(shù)據(jù)可以看datasheet ,需要的加我QQ;

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水蜘蛛
LV.8
31
2010-12-10 22:26
@shayu1000
[圖片]有些電源的短路保護是靠Isense電阻和MOS的配合來實現(xiàn)的,直接用COOLMOS代換,后果很嚴重。建議保護做的好的電源和性能指標高的電源使用

所有COOLMOS短路耐量都不高,只要用這類元件就要處理好短路保護。

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