各位高手大家有多少在用coolmos的，COOLMOS出現(xiàn)10多年來一直是國外的品牌，國內(nèi)沒人做的出來
小弟目前使用國內(nèi)的工藝和自主技術(shù)開發(fā)了500V，600V，650V的coolmos產(chǎn)品，目前有20A的樣品，產(chǎn)品交直流參數(shù)，持續(xù)電流溫升等項目和Infineon，STM，Toshiba等廠家產(chǎn)品對比，至少不比他們的差；
哪個XD正在使用coolmos，MDmesh，DTmos，并且有興趣試用國內(nèi)產(chǎn)品，可以和小弟聯(lián)系一下
QQ：48373934 或 10923054
大家一定要頂啊！
單從芯片上來看，由與采用了特殊技術(shù)，主要優(yōu)點有：
1.超結(jié)mosfet的導(dǎo)通電阻僅相當(dāng)與相同電壓電流規(guī)格的常規(guī)MOSFET的50%左右，因此導(dǎo)通損耗低，發(fā)熱小，效率高；
2.相同電流電壓規(guī)格情況下，超結(jié)mosfet的芯片面積會會比常規(guī)的mosfet小接近50%，因此Qg要小，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗??；
3.由于超結(jié)MOSFET芯片面積小，相同電流級別的產(chǎn)品可以使用更小的封裝，比如：20A 600V的常規(guī)mosfet一般只能封裝在T0247或T0-3P的封裝里，而超結(jié)MOSFET可以封裝在TO-220的封裝中，可以有效縮小產(chǎn)品體積
4.由于芯片工藝過程良率限制和封裝體積限制，超結(jié)MOSFET可以把電流做的比較大，47A ，52A等，常規(guī)MOSFET很難實現(xiàn)。
主要優(yōu)點差不多就這么多，主要缺點是：
1 .由于管芯面積小，超結(jié)MOSFET的Eas會比常規(guī)的MOSFET略差，在有較大感性負載的電路中的耐沖擊能力比常規(guī)MOSFET略弱；
2.價格會比常規(guī)的MOSFET略貴 20%～50%；
臨時總結(jié)了這么多，不知道全不全，歡迎高手補充。
有些電源的短路保護是靠Isense電阻和MOS的配合來實現(xiàn)的，直接用COOLMOS代換，后果很嚴重。建議保護做的好的電源和性能指標高的電源使用