我們知道MOSFET的開關(guān)速度相對于三極管已經(jīng)有相當大的改善，可以達到數(shù)百K，甚至上M；但我們想想，當我們需要MOSFET有更高的開關(guān)速度，更小的損耗時，限制MOSFET的開關(guān)速度有哪些因素在作怪呢？
歡迎大家討論！
【討論】限制MOSFET開關(guān)速度的因素
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你自己@冰上鴨子
不理解 為什么是騙自己的理由?
高壓功率器件速度越來越快，最早的SCR/BJT速度是大約4~20微秒開關(guān)速度；后來BJT/IGBT提高到150納秒左右，現(xiàn)在實際可以達到8納秒水平。在不久將來；會達到1納秒左右。
驅(qū)動要求也越來越高；僅以驅(qū)動線長為例，早期的驅(qū)動線沒啥特別要求；只要雙絞就基本夠用了。后來的高速IGBT/FET的柵線；除雙絞外；長度被限制在10CM以內(nèi)。從現(xiàn)在的測試看；要求未來的高速器件的驅(qū)動線被限制在1CM以內(nèi)。
就這驅(qū)動線長的問題；估計大多數(shù)工程師只是經(jīng)驗所談；沒多少人能從理論上說清楚而自覺的設(shè)定工程參數(shù)。
理論的缺乏和經(jīng)驗口口相傳的不確定性；直接拖了應(yīng)用后退。找各種理由去解釋？就上面提出的假設(shè)；多是出自于此。
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@水蜘蛛
高壓功率器件速度越來越快，最早的SCR/BJT速度是大約4~20微秒開關(guān)速度；后來BJT/IGBT提高到150納秒左右，現(xiàn)在實際可以達到8納秒水平。在不久將來；會達到1納秒左右。驅(qū)動要求也越來越高；僅以驅(qū)動線長為例，早期的驅(qū)動線沒啥特別要求；只要雙絞就基本夠用了。后來的高速IGBT/FET的柵線；除雙絞外；長度被限制在10CM以內(nèi)。從現(xiàn)在的測試看；要求未來的高速器件的驅(qū)動線被限制在1CM以內(nèi)。就這驅(qū)動線長的問題；估計大多數(shù)工程師只是經(jīng)驗所談；沒多少人能從理論上說清楚而自覺的設(shè)定工程參數(shù)。理論的缺乏和經(jīng)驗口口相傳的不確定性；直接拖了應(yīng)用后退。找各種理由去解釋？就上面提出的假設(shè)；多是出自于此。
水大師是站在MOSFET的前沿技術(shù)，以及理想應(yīng)用特性的高度，給我們很好的上了一課
我想在這里跟大家討論下，實際工程應(yīng)用中，MOSFET的開關(guān)速度跟哪些因素有關(guān)，以及我們在應(yīng)用中如何去折衷，平衡各個參數(shù)，以達到較好的綜合性能。
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@水蜘蛛
高壓功率器件速度越來越快，最早的SCR/BJT速度是大約4~20微秒開關(guān)速度；后來BJT/IGBT提高到150納秒左右，現(xiàn)在實際可以達到8納秒水平。在不久將來；會達到1納秒左右。驅(qū)動要求也越來越高；僅以驅(qū)動線長為例，早期的驅(qū)動線沒啥特別要求；只要雙絞就基本夠用了。后來的高速IGBT/FET的柵線；除雙絞外；長度被限制在10CM以內(nèi)。從現(xiàn)在的測試看；要求未來的高速器件的驅(qū)動線被限制在1CM以內(nèi)。就這驅(qū)動線長的問題；估計大多數(shù)工程師只是經(jīng)驗所談；沒多少人能從理論上說清楚而自覺的設(shè)定工程參數(shù)。理論的缺乏和經(jīng)驗口口相傳的不確定性；直接拖了應(yīng)用后退。找各種理由去解釋？就上面提出的假設(shè)；多是出自于此。
,張知識了'什么叫 雙絞線啊?
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怎么都不愿意說呢？我來開個頭吧
先來說說MOSFET的開通過程
我們知道，MOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時Id已經(jīng)達到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區(qū)，此時Vds徹底降下來，開通結(jié)束。
大家從這個開通過程來說說，到底哪些因素在這里影響了MOSFET的開通速度？
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