我們知道MOSFET的開關(guān)速度相對于三極管已經(jīng)有相當大的改善,可以達到數(shù)百K,甚至上M;但我們想想,當我們需要MOSFET有更高的開關(guān)速度,更小的損耗時,限制MOSFET的開關(guān)速度有哪些因素在作怪呢?
歡迎大家討論!
我們知道MOSFET的開關(guān)速度相對于三極管已經(jīng)有相當大的改善,可以達到數(shù)百K,甚至上M;但我們想想,當我們需要MOSFET有更高的開關(guān)速度,更小的損耗時,限制MOSFET的開關(guān)速度有哪些因素在作怪呢?
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高壓功率器件速度越來越快,最早的SCR/BJT速度是大約4~20微秒開關(guān)速度;后來BJT/IGBT提高到150納秒左右,現(xiàn)在實際可以達到8納秒水平。在不久將來;會達到1納秒左右。
驅(qū)動要求也越來越高;僅以驅(qū)動線長為例,早期的驅(qū)動線沒啥特別要求;只要雙絞就基本夠用了。后來的高速IGBT/FET的柵線;除雙絞外;長度被限制在10CM以內(nèi)。從現(xiàn)在的測試看;要求未來的高速器件的驅(qū)動線被限制在1CM以內(nèi)。
就這驅(qū)動線長的問題;估計大多數(shù)工程師只是經(jīng)驗所談;沒多少人能從理論上說清楚而自覺的設(shè)定工程參數(shù)。
理論的缺乏和經(jīng)驗口口相傳的不確定性;直接拖了應(yīng)用后退。找各種理由去解釋?就上面提出的假設(shè);多是出自于此。
水大師是站在MOSFET的前沿技術(shù),以及理想應(yīng)用特性的高度,給我們很好的上了一課
我想在這里跟大家討論下,實際工程應(yīng)用中,MOSFET的開關(guān)速度跟哪些因素有關(guān),以及我們在應(yīng)用中如何去折衷,平衡各個參數(shù),以達到較好的綜合性能。
,張知識了'什么叫 雙絞線啊?
怎么都不愿意說呢?我來開個頭吧
先來說說MOSFET的開通過程
我們知道,MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態(tài);當MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),Vgs會持續(xù)一段時間不再上升,此時Id已經(jīng)達到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值,此時MOSFET進入電阻區(qū),此時Vds徹底降下來,開通結(jié)束。
大家從這個開通過程來說說,到底哪些因素在這里影響了MOSFET的開通速度?