SJ-MOS的產(chǎn)品優(yōu)勢:
1、采用超結(jié)結(jié)構(gòu)的MOSFET能提供比常規(guī)MOSFET更低的導(dǎo)通電阻,其導(dǎo)通損耗低、發(fā)熱量小,效率提高顯著。
2、在相同電壓與電流的情況下,超結(jié)結(jié)構(gòu)的Qg更小,因此開關(guān)速度更快,開關(guān)損耗也更小。
3、超結(jié)產(chǎn)品芯片面積小、導(dǎo)通電阻小,相同電流電壓級(jí)別下,超結(jié)產(chǎn)品可以使用更小的封裝形式。
4、由于芯片工藝流程良率和封裝體積的限制,常規(guī)MOSFET很難實(shí)現(xiàn)高壓大電流,解決方法就是器件工藝及設(shè)計(jì)采用超結(jié)結(jié)構(gòu)。
無錫新潔能將繼續(xù)發(fā)揮自身工藝、設(shè)計(jì)及各種資源優(yōu)勢,為提升中國功率器件工藝流程、器件結(jié)構(gòu)和性能而努力。
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