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請(qǐng)高手講解一下IGBT和MOS差異

最近新機(jī)型用到IGBT,對(duì)IGBT“性情”不太了解,調(diào)試中燒壞了10多只IGBT。請(qǐng)路過的高手講解講解。目前有幾個(gè)疑問:

1、IGBT的Icm值通常有備注:脈沖能量不能超出最大結(jié)溫,可是IGBT的PDF里好像沒有標(biāo)出這參數(shù)。

2、MOS電流過載能力是不是比IGBT要強(qiáng)?

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