考慮可靠性，會選的余量很大，電流和電壓余量都很大，續(xù)流二極管比較頭大，流過的電流比整流的要大的多

續(xù)流二極管比較頭大，流過的電流比整流的要大的多

請教樓上這是為什么？

主開關(guān)關(guān)閉后，續(xù)流二極管一直導(dǎo)通，直到主開關(guān)再次打開

一直導(dǎo)通？ 估計得看工作裝況。

續(xù)流二極的電流一般是怎么變化的？

沒有做過正激電原，來聽課。

樓上說的沒錯，由于可靠性的考慮，會留有一定的余量

但問題又來了，電壓、電流應(yīng)力到底留多少余量才合理？還有哪些因素使得我們不得不留余量呢？

同問 為啥續(xù)流要大？

我是這么認(rèn)為，不知道對不對，電流的最大值是一樣的，但是，續(xù)流二極管導(dǎo)通的時間是比整流二極管要常的多

編輯之 不要誤導(dǎo)別人

有點答非所問了！

首先說說樓上的問題，CCM模式，原邊MOSFET關(guān)斷，磁芯退磁，次級整流管關(guān)斷（忽略其反向回復(fù)時間），那么續(xù)流管開始打開，一直到原邊MOSFET開通的時刻，續(xù)流管一直是在工作，這樣負(fù)載的電流才不會斷流，否則就成了DCM模式了。

然后才是你說的這個問題，整流管與續(xù)流管的平均電流跟占空比有關(guān)，誰大誰小不一定。      

14樓是正確的，這個跟占空比有關(guān)

整流管與續(xù)流管電流的最大值是一樣的，至于平均值與有效值都跟占空比有關(guān)

你的分析到還在理！

但你沒看到3樓是怎么說的？

如負(fù)載不變時，忽略反向恢復(fù)，一般整流管的平均電流不會小于續(xù)流管的平均電流。

我錯了 編輯之 哈哈

估計3樓是沒有說清楚前提條件導(dǎo)致的，但他說的是一般的實際情況。

那我來替他分析下吧：

在一般的設(shè)計中，考慮到效率與MOSFET的耐壓，會將最大占空比設(shè)計到0.5以下（具體還跟復(fù)位方式有關(guān)），還要考慮到電網(wǎng)電壓的波動，所以以最低電壓來設(shè)計最大占空比Dmax，那么在正常輸入電壓下，占空比D就更低了，這個時候，次級整流管的平均電流是D*Iomax，而續(xù)流管的平均電流是（1-D）*Iomax

誰大誰小，一目了然

補充一下，一般次級的電感都是工作在CCM模式

樓上也是在CCM模式下的推導(dǎo)分析

額，就接著這個說吧，

冰版所說平均電流和有效電流的說法都是對的。

問題是能用整體的平均電流和有效電流來分析嗎？

是不是應(yīng)該只取導(dǎo)通時間段的即時值來分析更合理些？

樓上的是整體和局部時間段沒分清楚，應(yīng)該是。

如果你連這個都沒有理解的話，建議你回去翻下書，找出正激電源的次級電流與電壓波形，然后推敲下，這樣你理解得更深

我這個式子其實是從能量的角度來解釋的，如果用積分的式子表示就更直觀了，可以這里不能輸入積分的式子

我怎么記得續(xù)流二極管的平均電流是：Il*（1-D），Il是指電感的平均電流而非電感峰值電流！

Il=Io

冰版說的應(yīng)該是輸出的電流，不是峰值。

如果忽略電容的漏電流，那么負(fù)載的電流跟續(xù)流二極管以及電感的平均電流都是相等的

當(dāng)然我這里說的都是指在續(xù)流管開通的時間段（忽略其反向回復(fù)）

以前從來沒有去考慮過續(xù)流二極管和整流二極管的電流關(guān)系。學(xué)習(xí)了。

仔細(xì)想想的確是如此啊，占空比小于50%時，損耗還是不一樣啊。