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反激電源問題請教

本人接觸電源不長時間，有個問題想請教大家，在設(shè)計反激電源的時候，我們可以推出Vo=D*n2*Vin/（n1*（1-D）），這就是說在我們設(shè)計之初要確定一個占空比，然后根據(jù)管子的耐壓確定反激電壓Vf的大小，在設(shè)計匝數(shù)。我的問題是，當(dāng)控制芯片剛開始工作時 輸出的占空比是不是固定的？（這時反饋還沒有對占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)），如果這時輸出的占空比比設(shè)計的D大的多，這樣第一次輸出的電壓Vo是不是就要比設(shè)計的輸出大的多，從而反激電壓也大的多，這樣是不是就會損壞MOS管？在設(shè)計時這點(diǎn)要怎么考慮呢？
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hskfly
LV.2
2
2011-02-23 11:34

請參考：

【原創(chuàng)】跟我學(xué)系列之四，反激電源及變壓器的設(shè)計

http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

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2011-02-23 11:50
@hskfly
請參考：【原創(chuàng)】跟我學(xué)系列之四，反激電源及變壓器的設(shè)計http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

這個帖子我一直在看！

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2011-02-23 12:47

你的考慮的對的

這就是開機(jī)過程中的輸出電壓過沖。一般的MOSFET都有單個與重復(fù)雪崩能量這兩個指標(biāo)的，只要不超過指標(biāo)，MOSFET還是安全的

措施一般通過增加軟啟動，大功率電源可以通過增加啟動時序控制，也可以通過加快環(huán)路的響應(yīng)時間來解決

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2011-02-23 13:05
@心中有冰
你的考慮的對的這就是開機(jī)過程中的輸出電壓過沖。一般的MOSFET都有單個與重復(fù)雪崩能量這兩個指標(biāo)的，只要不超過指標(biāo)，MOSFET還是安全的措施一般通過增加軟啟動，大功率電源可以通過增加啟動時序控制，也可以通過加快環(huán)路的響應(yīng)時間來解決
哦，您說的意思我大概理解！就是說最初上電的時候 電壓峰值可能超過MOS管的耐壓，但不至于使管子損壞，當(dāng)然是在短時間內(nèi)的！隨著占空比的調(diào)節(jié)電壓降低！
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