據(jù)說是：在CCM下防止震蕩時(shí) Mosfet電流倒流~

如何倒流，能否細(xì)說。。。

又看了看，分析：

的確是防止MOSFET電流倒流，主要是發(fā)生在當(dāng)漏感和電容較大時(shí)，振蕩幅值到低于0時(shí)，而不應(yīng)該是發(fā)生在CCM模式。。。

不很明白，學(xué)習(xí)下

你的第一句話有點(diǎn)問題，你自己再仔細(xì)想想

還有就是加入這個(gè)二極管之后，電源的整體效率是提高了還是降低了？

謝謝冰版，應(yīng)該是電感。對(duì)于效率沒有實(shí)測(cè)，不大清楚。。。估計(jì)測(cè)也測(cè)不出來。。。

斑竹聰明，我的筆誤，是DCM ，呵呵~

請(qǐng)問你說的LC振蕩是哪個(gè)L和哪個(gè)C啊？

這個(gè)諧振是一次側(cè)電感量L和FET漏源極間的寄生電容Cds產(chǎn)生的。如果在D極加個(gè)二極管，根本無法諧振了啊，諧振是能量從L傳遞給C，然后C再傳遞給L。現(xiàn)在加了個(gè)二極管，能量直接都給Cds了，所以就出現(xiàn)下面的圖，Cds的電壓很高，把VDS的電壓給拉高了。

是的,但設(shè)計(jì)者怎么去考慮呢?

對(duì)于DCM這個(gè)VDS波形的后段振蕩，應(yīng)該是漏感上初級(jí)勵(lì)磁電感與電路的雜散電容（包括變壓器的分布電容）以及MOSFET的Coss諧振

還有一個(gè)疑問就是，為何說效率測(cè)試不出來？

雜散電容是有的，這個(gè)我沒有考慮到。

可“漏感上初級(jí)勵(lì)磁電感”整么去理解呢？你是指勵(lì)磁電感嗎？

上圖為反激變壓器等效圖，我認(rèn)為振蕩的電感是LS+LP。也就是我們測(cè)到的原邊電感。。。

sorry，少打了一個(gè)字

應(yīng)該是是“漏感加上初級(jí)勵(lì)磁電感”

冰版沒有用過這中電路嗎？這個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)芯片中好像挺多的哦，PI最新出的L-PH推薦電路里也有這個(gè)二極管啊！我只是不知道成熟產(chǎn)品為什么要加，不加在什么時(shí)候會(huì)出現(xiàn)什么問題。。。

問題是諧振電容不完全是Cds呀？

變壓器的雜散電容呢？

這個(gè)準(zhǔn)諧振，不是二極管的功勞，

是類似“谷底”檢測(cè)，然后發(fā)出指令的結(jié)果~

這個(gè)跟諧振沒有關(guān)系，大家仔細(xì)看帖。這這是普通的反激式DCM模式的開關(guān)電源。加入二級(jí)管電路我也只是在做LED項(xiàng)目中看到有LED芯片給出這樣的電路圖。那個(gè)谷底應(yīng)該只是碰巧測(cè)到的。。。。

上一個(gè)PI的電路圖：

就沒人用過嗎？納悶了。。。沒用過，大家可以分析下啊，或者我上面的分析對(duì)嗎？

冰版，這里應(yīng)該只有Lm來影響這個(gè)吧。

這個(gè)振蕩，在DCM模式下才有，CCM沒有。和變壓器漏感沒有關(guān)系吧。

漏感只是和尖峰那里的振蕩有關(guān)？