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想做一臺(tái)2500A18V的電鍍電源，求方案指導(dǎo)

想做一臺(tái)2500A18V的電鍍電源，18KHz，想采用一個(gè)全橋制作，IGBT和整流橋采用多少A的合適呢

磁芯打算用130/80*40的納米晶磁芯兩只，初級(jí)串聯(lián)共26砸，次級(jí)1：1

前輩們給指導(dǎo)一下，謝謝了，不知道IGBT和三相整流橋留有多大裕量合適

 

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pgdy
LV.3
2
2011-03-05 22:00

預(yù)計(jì)使用18個(gè)肖特基模塊400100

IGBT模塊不知道選擇200A的是否小？

請(qǐng)各位幫幫忙指點(diǎn)一下

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pgdy
LV.3
3
2011-03-06 12:20
@pgdy
預(yù)計(jì)使用18個(gè)肖特基模塊400100IGBT模塊不知道選擇200A的是否?。空?qǐng)各位幫幫忙指點(diǎn)一下

另外整流橋和IGBT之間的濾波電容需要多少u(mài)F

高手給指導(dǎo)下吧

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dls168
LV.4
4
2011-03-06 19:12
@pgdy
另外整流橋和IGBT之間的濾波電容需要多少u(mài)F高手給指導(dǎo)下吧
IGBT300A整流橋200A,濾波電容1KW1.2uF
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pgdy
LV.3
5
2011-03-06 19:57
@dls168
IGBT300A整流橋200A,濾波電容1KW1.2uF

謝謝您。還有個(gè)問(wèn)題，濾波電容我們是采用并聯(lián)的方式實(shí)現(xiàn)大容量，是采取多個(gè)電容量小的CBB電容并聯(lián)好呢，還是采用數(shù)量較少的大容量電容并聯(lián)效果好？例如40uF，采用18*2.2uF和4*10uF相比，哪個(gè)更好？

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timeyxk
LV.2
6
2011-03-06 22:07
我建議采用兩個(gè)全橋或半橋電路并聯(lián).
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pgdy
LV.3
7
2011-03-06 23:07
@timeyxk
我建議采用兩個(gè)全橋或半橋電路并聯(lián).
那控制上還需要均流？
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dls168
LV.4
8
2011-03-06 23:45
@pgdy
謝謝您。還有個(gè)問(wèn)題，濾波電容我們是采用并聯(lián)的方式實(shí)現(xiàn)大容量，是采取多個(gè)電容量小的CBB電容并聯(lián)好呢，還是采用數(shù)量較少的大容量電容并聯(lián)效果好？例如40uF，采用18*2.2uF和4*10uF相比，哪個(gè)更好？

電容質(zhì)量好,效果應(yīng)該差不多!小容量并的安裝麻煩但價(jià)格便宜,大容量的好安裝價(jià)格貴!

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pgdy
LV.3
9
2011-03-07 08:29
@dls168
電容質(zhì)量好,效果應(yīng)該差不多!小容量并的安裝麻煩但價(jià)格便宜,大容量的好安裝價(jià)格貴!

謝謝您耐心的指導(dǎo)

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timeyxk
LV.2
10
2011-03-07 22:19
@pgdy
那控制上還需要均流？
如果對(duì)電流精度要求不是太高的話,可以不用.在焊接電源中可用,我對(duì)電鍍電源的要求不太清楚.
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2011-03-08 12:38
變壓器初級(jí)并聯(lián)好一些以避免由于個(gè)別肖特基短路而造成另一個(gè)變壓器電壓升高輸出電流不均衡損壞更多肖特基，18V并聯(lián)22匝就可以了，線徑比串聯(lián)時(shí)少一半。
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pgdy
LV.3
12
2011-03-08 14:52
@黃源峰啊
變壓器初級(jí)并聯(lián)好一些以避免由于個(gè)別肖特基短路而造成另一個(gè)變壓器電壓升高輸出電流不均衡損壞更多肖特基，18V并聯(lián)22匝就可以了，線徑比串聯(lián)時(shí)少一半。
謝謝您，也有朋友說(shuō)串聯(lián)比較好，初級(jí)匝數(shù)少，漏感??？
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