先介紹常規(guī)的參數(shù)。

1、Vbo    轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓；通用標(biāo)準(zhǔn)28-36V

2、Ibo    轉(zhuǎn)折點(diǎn)電流，就是在轉(zhuǎn)折點(diǎn)的漏電，通用標(biāo)準(zhǔn)是100uA。

3、ΔV回彈電壓，VBO-V(@I=10mA）  通用標(biāo)準(zhǔn)為5V

雖然3個(gè)參數(shù)很簡(jiǎn)單，但不能正確認(rèn)識(shí)的人并不在少數(shù)。尤其是在線路里面遇到問(wèn)題時(shí)不能正確的理解3個(gè)參數(shù)。

DB3在電路里面主要是3個(gè)地方。

1是啟動(dòng)部分。

2是保護(hù)部分。

3調(diào)速電路。本電路和照明無(wú)關(guān)，不說(shuō)了。

先簡(jiǎn)單說(shuō)一下，最好和廠家說(shuō)明你是哪一部分用，可以省去一些可能會(huì)有的麻煩。

關(guān)于塑封和玻封的區(qū)別

下面是在另外一個(gè)帖子里面的內(nèi)容：

玻封、塑封指的是封裝體。芯片的根本結(jié)構(gòu)不一樣，塑封的采用OJ的芯片，玻封的每個(gè)芯片周圍有氧化硅保護(hù)。他們的差別就像一般的4007和GPP的4007一樣。玻封的芯片要比塑封的芯片可靠性要高，壽命長(zhǎng)，高溫特性要好。這一點(diǎn)是不可否認(rèn)的。

但具體到市場(chǎng)上常見(jiàn)的玻封、塑封DB3哪種好。這是在不好說(shuō)。千差萬(wàn)別。建議大家還是通過(guò)統(tǒng)計(jì)和實(shí)驗(yàn)來(lái)確認(rèn)。但對(duì)于同樣的主流品牌，應(yīng)該是玻封的要好。

上面有朋友說(shuō)，高溫時(shí)玻璃有裂紋，這沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)。除非是買到質(zhì)量不好的貨或者在使用中存在異常。

很多的大公司在考慮了價(jià)格因素后，高端的產(chǎn)品用玻封的，便宜的用塑封的。大家自己衡量。但還有句話，夠用就好，也請(qǐng)大家衡量。

下面這個(gè)表供參考

塑封DB3和玻封DB3的對(duì)比

 不錯(cuò),頂一你.你還差個(gè)圖,幫你補(bǔ)上.

越大越好，這樣你設(shè)計(jì)電路上的那個(gè)電容可以小些。不過(guò)電容確定了，就要選合適的回彈電壓，保證能啟動(dòng)和小功耗

串個(gè)電阻，如果能把電容改小就改小。DB3也怕熱的

確實(shí)怕熱,我將它加熱到100度,彈回電壓就有不小的變化了,降溫后回不到初始狀態(tài)了.大概要相差4V左右,

電阻已經(jīng)加了,電流也從1.2A降到0.8A,這個(gè)電流對(duì)三極管和電容會(huì)有多大的影響?

先傳一張用晶體管圖示儀測(cè)試DB3時(shí)的圖形。 

V3是VBO.曾經(jīng)有客戶認(rèn)為v2是VBO,據(jù)說(shuō)是某塑封DB3廠家這樣給他們介紹的。只要明白vbo的意義應(yīng)該不難明白，那些給別人介紹說(shuō)V2是VBO的工程師，你可是夠壞的，要么就是夠笨。下圖是這只DB3用規(guī)格書里面的測(cè)試線路測(cè)試時(shí)，DB3兩端的波形。條件如下：輸入電壓45Vdc，電容104，串聯(lián)電阻82K,負(fù)載電阻為0.

在解釋上面圖形。

1、ΔV是V3-V1

2、實(shí)際特性圖形和規(guī)格書里面的圖形差別很大，可能會(huì)引起誤解，曾經(jīng)就有人說(shuō)“我就要你們規(guī)格書里面那種圖形的”，那種圖形基本上是見(jiàn)不到的，除非是壞了。

3、ΔV在當(dāng)成標(biāo)準(zhǔn)時(shí)是特指10mA時(shí)的回彈電壓。在實(shí)際電路里面的回彈電壓是和電流由關(guān)系的，參考示波器的波形可知，在該電路條件下，回彈電壓為22.8V

我發(fā)現(xiàn)手頭上的樣品中大廠出的價(jià)格高的都是回彈電壓約等于轉(zhuǎn)折電壓(電路上實(shí)測(cè)電容上的電壓波形),一些小廠出的多是和你第二圖差不多的波形,導(dǎo)致這個(gè)現(xiàn)象的原因是什么?和芯片有關(guān)嗎?

我喜歡用回彈電壓高的,在鎮(zhèn)流器上啟動(dòng)性能會(huì)比較好,

你說(shuō)的這個(gè)現(xiàn)象是芯片的特點(diǎn)造成的。但這不決定器件的好與壞。

另外，你的電容是否是223？電容越小，不同的芯片差別越大。

但DB3在電流越大時(shí)的（導(dǎo)通）電壓越小，這是肯定的。

只要回彈電壓達(dá)到一定的值就可以了，啟動(dòng)沒(méi)有影響。實(shí)際上影響啟動(dòng)的不是回彈電壓的高低，而是在回彈電壓低的時(shí)候，某些其它的參數(shù)不是很好。

另外，如果你可以測(cè)試觸發(fā)時(shí)電流的話可以發(fā)現(xiàn)，你認(rèn)為大廠的那些電流要小。

電子變壓器中的DB3就是一直在工作的。

當(dāng)然，DB3不是功率器件，散熱不好。但實(shí)際上，只要他是觸發(fā)作用，功耗是很小的，這個(gè)可以算出來(lái)。

一般的DB3都是按照規(guī)格書里面的曲線變化的。到100℃時(shí)大概要增大1-2V。其它的變化都是異常的。但這種異常是比較常見(jiàn)的，有的會(huì)影響使用，有的沒(méi)有影響。

但溫度恢復(fù)后，特性也會(huì)恢復(fù)，否則勿用。

高溫時(shí)，漏電不要變得異常大，否則勿用。

VBO需要注意的地方。

1、VBO不是一個(gè)定值，和兩端的電壓上升率有關(guān)。

2、在啟動(dòng)電路里面，VBO的絕對(duì)值是沒(méi)有意義的，不會(huì)因?yàn)槠蠡蚱∮绊憜?dòng)。我想學(xué)線路的都應(yīng)該明白，也非常清楚。如果對(duì)這一點(diǎn)還有異議的，自己多學(xué)學(xué)電路。當(dāng)然，這么說(shuō)并不是要求各位不對(duì)這個(gè)參數(shù)要求，只是碰到問(wèn)題時(shí)不要朝這兒使勁。但凡事都有例外，有一些非常特殊的電路會(huì)有影響，但這種線路非常少見(jiàn)。各位可以不考慮。

IBO需要注意的地方。

曾經(jīng)碰到過(guò)兩個(gè)比較大的客戶，（其中一個(gè)是國(guó)內(nèi)最大之一）是由于沒(méi)有注意IBO而導(dǎo)致異常的。設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)按100uA設(shè)計(jì)。

下面幾種情況請(qǐng)留意：

1、DB3前面的電容是通過(guò)一串電阻的組合加到高壓端的。

2、需要低壓?jiǎn)?dòng)的。

另外，我也想問(wèn)各位。

有沒(méi)有人可以明確的提出，電路啟動(dòng)時(shí)，DB3的電流要求怎樣？包括峰值、脈寬。

過(guò)去曾經(jīng)在某帖子里面問(wèn)過(guò)，當(dāng)時(shí)有一位提出過(guò)一個(gè)算法。我覺(jué)得有一定道理，是可以解釋的通的。依據(jù)該算法，實(shí)際需要電流是非常小的。而且有位工程師曾經(jīng)提過(guò)一個(gè)線路，他認(rèn)為很好。該線路的電流非常小。因此我也沒(méi)有刻意的去研究電流的下限。但前一段時(shí)間，某公司出現(xiàn)過(guò)由于該電流?。―B3已經(jīng)觸發(fā)，電流約500mA）導(dǎo)致電路無(wú)法啟動(dòng)，請(qǐng)大家適當(dāng)留意。

是223,

確實(shí)線路都可以調(diào)到用回彈電壓很小的DB3也能觸發(fā),但有些在半橋已經(jīng)調(diào)到很好工作狀態(tài)的時(shí)候需要回彈電壓大的,而為了適應(yīng)回彈電壓小的DB3往往要改參數(shù),有些會(huì)增加成本,,,

玻封DB3會(huì)有變化異常的，但是還沒(méi)有見(jiàn)過(guò)變化到影響使用的。

塑封的DB3聽(tīng)說(shuō)過(guò)有變化到不能用的，但沒(méi)有批量見(jiàn)過(guò)。也只是偶爾測(cè)試到明顯異常的。

關(guān)于封裝形式。

現(xiàn)在市面常見(jiàn)的是塑封DO-41；玻封DO-35；玻封MINIMELF表貼。

另外，為了便于自動(dòng)貼片，為了適合長(zhǎng)插生產(chǎn)工藝。也有SOD-123;SOT-23等

 在啟動(dòng)電路里面，真正起作用的是DB3觸發(fā)時(shí)給后級(jí)電路（三極管）提供的電流值。在其他條件一樣的情況下VBO、ΔV、電容值、線路等效電阻等都分別會(huì)對(duì)電流產(chǎn)生影響，這是大家都知道的，也是比較好理解的。但另外請(qǐng)注意，即使以上參數(shù)都一樣，不同廠家的DB3產(chǎn)生的電流也有比較大的差別，線路里面RC越短，差別越大。下面是市場(chǎng)常見(jiàn)的主流的DB3不同電流圖形2mA/mV.電容223，負(fù)載電阻為0.

給大家推薦一下平面形式的表貼，市面常見(jiàn)的是SOT-23.

特點(diǎn)是，表貼、平面、超薄。適合自動(dòng)化生產(chǎn)，適合長(zhǎng)插工藝，可以后切腳。這些特點(diǎn)使得它比玻封MINMELF使用方便?？梢韵７鈹喙?、拋料等固有的不良。另外內(nèi)部采用“焊接”方式，玻封產(chǎn)品初期不良率相對(duì)較大的毛病也沒(méi)有了。另外，芯片的特點(diǎn)和玻封的一樣，高溫特性等和玻封產(chǎn)品一樣，比塑封同軸的要好。

另外，誰(shuí)說(shuō)好也白搭。廠家都說(shuō)自己的東西好。

最重要的還是要自己建立評(píng)價(jià)體系，包括產(chǎn)品的入廠檢驗(yàn)、可靠性考核、不良率的統(tǒng)計(jì)。