為提高大家的興趣,我先講一點變壓器.
大家都知道變壓器有兩種繞法:順序繞法和夾層繞法.這兩種繞法對EMI和漏感有不同的影響.
順序繞法一般漏感為電感量的5%左右,但由于初,次級只有一個接觸面,耦合電容較小,所以EMI比較好.
夾層繞法一般漏感為電感量的1-3%左右,但由于初,次級只有兩個接觸面,耦合電容較大,所以EMI比較難過.一般30-40W以下,功率不大,漏感能量還可以接受,所以用順序繞法比較多,40W以上,漏感的能量較大,一般只能用夾層繞法.

變壓器的漏感主要與哪些因素有關(guān)呢?
我看到你的關(guān)于變壓器的繞法,覺得你的經(jīng)驗很豐富.我想請教一個問題:變壓器的漏感主要與哪些因素有關(guān)呢?

幾個因素,最重要的兩個.
繞組順序:夾層繞法一般是先初級,后次級的1/2-1/3.
變壓器形狀:長寬比越大的變壓器漏感越小.

如何確定功率?
在反激式開關(guān)電源中,變壓器相當(dāng)于電感的作用.在開關(guān)管導(dǎo)通時,變壓器儲能,開關(guān)管關(guān)斷時,變壓器向次級釋放能量.那么功率由開關(guān)管導(dǎo)通電流確定還是電感量確定?
在反激開關(guān)電源變壓器設(shè)計時,如何計算變壓器的氣隙?
能否詳細(xì)介紹開關(guān)電源的斜率補償?shù)淖饔?原理?

你這個問題問的不是很科學(xué).
功率既不是由電感量確定,也不是由開關(guān)管確定,是由你的需要確定.
一般程序是這樣,由功率和經(jīng)驗效率確定變壓器的型號,也可以由“AP”等書上介紹的方法確定變壓器,我一般是根據(jù)經(jīng)驗確定,要求比較嚴(yán)格時用允許溫升確定變壓器型號.確定變壓器后其他參數(shù)可算出.包括開關(guān)管的電流,這樣就可以選管子.
變壓器的氣隙有相關(guān)的公式計算,但注意氣息一般不要大于1毫米,否則可能引起邊緣磁通效應(yīng)使初級有過熱點.
反激電壓方式不需要斜率補償.電流方式大于50%脈寬,或為了防止噪音影響需要加,計算方法可參考3842應(yīng)用指南.

都有關(guān)
非連續(xù)狀態(tài)下: 初級電感中的單位時間儲存的能量:W=1/2*Lp*Ip^2*f
Lp:初級電感量
Ip:初級電流峰值
f:頻率

開關(guān)管關(guān)閉時,上述能量向次級傳送,一部分被損耗,剩下的為輸出功率.

GO ON:變壓器的兩種屏蔽層.
在小功率電源變壓器中,一般有兩種兩種屏蔽層,銅薄和繞組.銅薄的原理是切斷了初次級間雜散電容的路徑,讓其都對地形成電容,其屏蔽效果非常好,但工藝,成本都上升.繞組屏蔽有兩種原理都在起作用:切斷電容路徑和電場平衡.所以繞組的匝數(shù),繞向和位置對EMI的結(jié)果都有很大影響.可惜我不會在這里畫圖來講解,總之有一點:屏蔽繞組感應(yīng)的電壓要和被屏蔽繞組工作時的電壓方向相反.
屏蔽繞組的位置對電源的待機功耗有較大的影響.下節(jié)講變壓器浸漆和屏蔽繞組位置對待機功耗的影響.

能否再詳細(xì)一些
最好還是能夠用例圖來說明.變壓器是電源里非常非常重要的器件,有很多設(shè)計技巧在里面.你的選題都特別好,是我們特別想知道的,所以如果能象LEO那樣用圖和理論分析加以說明,一定會對大家大有裨益的.最好能結(jié)合FLYBACK電路來講.

你都試過什么文件格式?

你說的屏蔽層是不是這個意思
只是起隔離作用的一個隔離層?(對不起,我接觸的都是些通訊電源和儀表電源都是體積小的二次片式電源,所用的變壓器也都是采用體積小的表貼變壓器,沒有用什么屏蔽層,也沒有見過其它同類電源用屏蔽層),你所說的用了屏蔽層的電源主要用在哪方面?這樣一來是不是體積就大了呢?還有你的“屏蔽繞組感應(yīng)的電壓要和被屏蔽繞組工作時的電壓方向相反”是什么意思?還有,你的屏蔽繞組輸出接哪兒?最好能圖文結(jié)合,這樣大家的興趣不是就來了嗎?

對啊,我也想知道
銅薄和繞組屏蔽分別用在什么場合?

對,還是詳細(xì)些好 .
繞組屏蔽的匝數(shù),繞向和位置對EMI怎樣產(chǎn)生影響呢?

你的結(jié)論性的敘述確實很難討論的.

屏蔽的“接地”
屏蔽在初次級間時,其接地可以不接,接原邊地,接次邊地,接大地幾種形式,一般接原邊的地的情況較多.不知道cmg兄是如何處理的.
變壓器的外部加屏蔽,特別在flyback中,由于要加氣隙,在批量小或簡單起見,不是只在中間加,而是磁心截面全有氣隙,為減小外部氣隙的磁場干擾,而加屏蔽的,此屏蔽一般接大地.

是EMI屏蔽,非安全屏蔽.
可以接原邊的地線,也可以接原邊的高壓端,EMI幾乎沒有分別,因為有高壓電容存在,上下對共模信號(一般大于1M后以共模干擾為主)來說是等電位的.
變壓器的外部屏蔽可以不接,也可以接初級地線,其對EMI的影響看繞組內(nèi)部的情況,但注意安規(guī)的問題,接初級地線,磁芯就是初級.

漏感很重要嗎?
設(shè)計出一個變壓器,你能說說一步一步該怎么走么,就是你設(shè)計的流程!

贊同!
建議:如果有相關(guān)的資料下載就好了!

你再詳細(xì)的看一下此BBS的所有帖子.
有很多人都說過了,都差不多,我不在重復(fù)了.

可我才參加討論
我設(shè)計了個輔助電源,磁芯給定了,我就不會算匝數(shù),每本書上的公式都不一樣,我看了你們的討論,也沒有一個人詳細(xì)的說說,其實討論這么多,還不如具體的舉一個例子,一步一步的教會大家做了,然后再展開討論,你說呢?

屏蔽繞組的位置對電源的待機功耗有較大的影響?不太明白
是不是這個意思:屏蔽繞組對變壓器的工作有影響,例如漏感,尖峰,離散電容等?

屏蔽繞組對變壓器的工作有影響
屏蔽繞組為了起到很好的作用,一般緊靠初級,這樣它跟初級繞組之間形成一個電容,屏蔽繞組一般接初級地線或高壓端,這個電容就相當(dāng)于接在MOS的D-S端,很明顯造成很大的開通損耗.影響了待機功耗,對3842控制來說還可能引起空載不穩(wěn)定.當(dāng)然,加屏蔽也會使漏感增大,但此影響在空載時是次要的.

明白了.那是不是減小了關(guān)斷損耗呢?
如果關(guān)斷損耗比開通損耗大呢?

理論上關(guān)斷損耗會小.
但由于關(guān)斷電路作用都很強,MOS速度又快,所以對關(guān)斷的損耗影響很小.
另外屏蔽引起的損耗嚴(yán)格來說不全算開通損耗,有一部分是導(dǎo)通損耗,在開通瞬間和導(dǎo)通后,電容放電.用電流探頭可以很明顯看到導(dǎo)通瞬間有一個很大的尖峰.

我所在的公司用的方法跟你的有一點不一樣.
我公司很多人都是先初級1/2-次級-初級1/2,大家叫這為三明治繞法

CMG,我很欣賞你的觀點,
你說的過熱點指的是鐵芯還是線包,我所做的變壓器都是中柱加氣隙,加氣隙是磨掉一點,以實際調(diào)整為準(zhǔn).在CCM模式下,計算的電感量往往不夠,要大點才行,我這樣做行嗎?

加屏蔽銅箔增加不了多少成本
假如銅箔接在初級地上,問題在于加了屏氣銅箔,對地的分布電容會增加,初次馺什么信號會落地?我有試過有加了銅箔,特別在低壓輸入滿載輸出效果會更差的情況,實在是想不出是什么原因.
   繞組屏蔽我有見過博儀的電源,基本上就相當(dāng)于銅箔,也接在初級的地上,經(jīng)測試EMI,二者沒有大的區(qū)別

再請教一下
\"屏蔽繞組一般接初級地線或高壓端,這個電容就相當(dāng)于接在MOS的D-S端\"說得很對,只是在開通時,MOSFET導(dǎo)通,此時這個電容應(yīng)該不起作用,相反在關(guān)斷時,因此電容的存在,我覺得損耗會大,我理解得同你差別太大,能解釋一下嗎.你可是我的崇拜者喲!

接地點很重要
!

屏蔽層的位置
屏蔽層,可能有幾種位置.我想問一下,在最里層、初次級中間和最外層有什么區(qū)別?

問個入門的問題!
Ip:初級電流峰值,怎么確定?

夾層?
好象是先原邊的二分之一,再逼邊,再原邊的二分之一吧!

很大的電流尖峰?
我看到很大的電流尖峰,你說的尖峰是不是在FLYBACK的MOSFET開通時有一個很大的尖峰,我以前一直沒法理解這是怎么來的,但我的變壓器好象沒有什么屏蔽呀,只是中間加了絕緣膠帶