久久久国产精品视频袁燕,99re久久精品国产,亚洲欧美日韩国产综合v,天天躁夜夜躁狠狠久久,激情五月婷婷激情五月婷婷

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點(diǎn)贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

求解功率管在低壓狀況下容易炸管的原因

一臺4kw雙管正激開關(guān)電源。在輸入電壓210v~250之間工作時(shí)，沒有問題。當(dāng)電壓降低至210v以下時(shí)，會經(jīng)常出現(xiàn)功率管壞掉的情況。而此時(shí)實(shí)際輸出功率一般在在2500w左右。懷疑這幾點(diǎn)：1.功率管功率不夠。2.主變壓器次級繞組太少。請教大師能夠指點(diǎn)下。
全部回復(fù)(28)
正序查看
倒序查看
LV.1
2
2011-04-17 14:16
我懷疑1
0
回復(fù)
2011-04-17 14:35
把相關(guān)參數(shù)發(fā)上來看下，沒數(shù)據(jù)怎么評估呀？
0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
4
2011-04-17 17:28
@javike
把相關(guān)參數(shù)發(fā)上來看下，沒數(shù)據(jù)怎么評估呀？
什么數(shù)據(jù)？運(yùn)行時(shí)脈寬波形又不能測。哎。
0
回復(fù)
2011-04-17 17:42
@daxia7203
什么數(shù)據(jù)？運(yùn)行時(shí)脈寬波形又不能測。哎。
變壓器匝比，MOS型號……
0
回復(fù)
2011-04-17 18:54

低壓輸入的時(shí)候，電流應(yīng)力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。

另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時(shí)候，MOS的波形看看。

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
7
2011-04-17 20:08
@讓你記得我的好
低壓輸入的時(shí)候，電流應(yīng)力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時(shí)候，MOS的波形看看。

我也是想看看這個(gè)狀態(tài)下的波形，是不是占空比太大得話容易出現(xiàn)問題？上次有人說如果把次級線圈增加一圈的話，提高輸出電壓，降低占空比會有效果。

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
8
2011-04-17 20:10
@讓你記得我的好
低壓輸入的時(shí)候，電流應(yīng)力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時(shí)候，MOS的波形看看。
管子因?yàn)椴卦诎遄酉旅?，固定在散熱片上，測溫不方便，以前都是用水滴形熱電偶插在IGBT固定螺釘上測量的。
0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
9
2011-04-17 20:17
@讓你記得我的好
低壓輸入的時(shí)候，電流應(yīng)力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時(shí)候，MOS的波形看看。
 
0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
10
2011-04-18 11:10
@讓你記得我的好
低壓輸入的時(shí)候，電流應(yīng)力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時(shí)候，MOS的波形看看。

到時(shí)測下PWM波形看看，占空比究竟如何?，F(xiàn)在正在聯(lián)系供貨商，看看有否40N1200的管子替代。麻煩的是不帶D的啊。又碰到IGBT一直缺貨啊。

0
回復(fù)
liuhou
LV.9
11
2011-04-18 11:51

是不是管子的電流應(yīng)力不夠。

0
回復(fù)
rainever
LV.8
12
2011-04-18 12:19
@讓你記得我的好
低壓輸入的時(shí)候，電流應(yīng)力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時(shí)候，MOS的波形看看。

期待波形。有可能是power on的時(shí)候溫度瞬間過高

0
回復(fù)
LV.1
13
2011-04-18 12:28
@daxia7203
到時(shí)測下PWM波形看看，占空比究竟如何?，F(xiàn)在正在聯(lián)系供貨商，看看有否40N1200的管子替代。麻煩的是不帶D的啊。又碰到IGBT一直缺貨啊。
是英飛凌的嗎？
0
回復(fù)
liuhou
LV.9
14
2011-04-18 15:22

先上個(gè)圖看下吧。

0
回復(fù)
2011-04-18 16:49
@daxia7203
到時(shí)測下PWM波形看看，占空比究竟如何?，F(xiàn)在正在聯(lián)系供貨商，看看有否40N1200的管子替代。麻煩的是不帶D的啊。又碰到IGBT一直缺貨啊。

雙管正激如何要用這么高耐壓的管子？耐壓高的管子其內(nèi)阻會更大，導(dǎo)通損耗也會大。你的輸入電壓并不高呀，500V的管子余量已經(jīng)很大了，用47N60C3的coolMOS試試吧

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
16
2011-04-19 20:45
@liuhou
先上個(gè)圖看下吧。

就上些波形圖吧       

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
17
2011-04-19 20:47
@daxia7203
就上些波形圖吧[圖片] [圖片] [圖片] [圖片] [圖片] [圖片] [圖片] 
哎，不眠之夜啊。呵呵。
0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
18
2011-04-19 20:57
@javike
變壓器匝比，MOS型號……

變壓器參數(shù)來啦：初級￠1.80漆包線繞2X15T,電感量720uH。次級2.26X6.4mm扁銅絲包線8T,電感量210uH。

IGBT型號：G30N60A4(不帶D)

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
19
2011-04-20 09:24
@daxia7203
變壓器參數(shù)來啦：初級￠1.80漆包線繞2X15T,電感量720uH。次級2.26X6.4mm扁銅絲包線8T,電感量210uH。IGBT型號：G30N60A4(不帶D)

哦，工作頻率66k。輸出電壓要求是40v80a的。

 

0
回復(fù)
2011-04-20 10:23
@daxia7203
變壓器參數(shù)來啦：初級￠1.80漆包線繞2X15T,電感量720uH。次級2.26X6.4mm扁銅絲包線8T,電感量210uH。IGBT型號：G30N60A4(不帶D)

你的變壓器工作頻率是多少？￠1.80漆包線的集膚效應(yīng)會非常明顯

有沒有測試線包溫度？

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
21
2011-04-20 10:26
@心中有冰
你的變壓器工作頻率是多少？￠1.80漆包線的集膚效應(yīng)會非常明顯有沒有測試線包溫度？

大師你好：變壓器工作頻率就是66k，變壓器廠家改為銅帶繞制了。溫度沒有測，因?yàn)樽儔浩饔铆h(huán)氧導(dǎo)熱膠固定在旁邊的腔室中了。下面的波形應(yīng)該是空載時(shí)的變壓器次級輸出波形。

 

0
回復(fù)
2011-04-20 12:41
@daxia7203
大師你好：變壓器工作頻率就是66k，變壓器廠家改為銅帶繞制了。溫度沒有測，因?yàn)樽儔浩饔铆h(huán)氧導(dǎo)熱膠固定在旁邊的腔室中了。下面的波形應(yīng)該是空載時(shí)的變壓器次級輸出波形。 

不要叫我大師，跟論壇其他網(wǎng)友一樣叫我冰版吧

低壓部分帶不起負(fù)載，可以看看初級電流環(huán)路是否有動作，變壓器是否飽和趨勢或現(xiàn)象，還有就是你的IGBT電流應(yīng)力是否有足夠的余量

變壓器最好用多股線繞制，因?yàn)楣β瘦^大，一般都是直接引線，所以繞制工藝反而更簡單

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
23
2011-04-27 22:25

等待新購管子的過程中，呵呵。現(xiàn)在又懷疑，是不是由于低輸入電壓情況下，脈寬太寬，電流太大，造成變壓器磁飽和，然后炸管。準(zhǔn)備測量初級電流波形看看。

原來電路中，在變壓器初級有個(gè)電流互感器的，準(zhǔn)備在互感器次級測量下電壓波形，即是變壓器初級電流波形。是不是這樣呢？

0
回復(fù)
zhgr
LV.5
24
2011-04-28 17:30
@daxia7203
等待新購管子的過程中，呵呵。現(xiàn)在又懷疑，是不是由于低輸入電壓情況下，脈寬太寬，電流太大，造成變壓器磁飽和，然后炸管。準(zhǔn)備測量初級電流波形看看。原來電路中，在變壓器初級有個(gè)電流互感器的，準(zhǔn)備在互感器次級測量下電壓波形，即是變壓器初級電流波形。是不是這樣呢？
最好能說明下輸出電壓、電流、變壓器與電感的磁芯材質(zhì)與尺寸等方面數(shù)據(jù)，便于大家核算！
0
回復(fù)
amonson
LV.8
25
2011-04-28 18:19
根據(jù)你提供的信息粗略估算了一下，應(yīng)該是功率管損耗太大。如果空間和成本能承受的話，換成4個(gè)10A的MOSFET并聯(lián)應(yīng)該就好了
0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
26
2011-04-28 21:08
@amonson
根據(jù)你提供的信息粗略估算了一下，應(yīng)該是功率管損耗太大。如果空間和成本能承受的話，換成4個(gè)10A的MOSFET并聯(lián)應(yīng)該就好了[圖片]

哈哈，成本可以承受，空間不能承受。原來就用兩個(gè)IGBT,TO247封裝的。

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
27
2011-04-28 21:12
@zhgr
最好能說明下輸出電壓、電流、變壓器與電感的磁芯材質(zhì)與尺寸等方面數(shù)據(jù)，便于大家核算！

變壓器參數(shù)：初級￠1.80漆包線繞2X15T,電感量720uH。次級2.26X6.4mm扁銅絲包線8T,電感量210uH。EE70。電感參數(shù)：EE70，2.5X7.5毫米扁銅絲包線12匝，加電感量為420uH。輸出電壓，40V80A.

0
回復(fù)
amonson
LV.8
28
2011-04-28 23:55
@daxia7203
哈哈，成本可以承受，空間不能承受。原來就用兩個(gè)IGBT,TO247封裝的。

成本能接受還有辦法，你的空間現(xiàn)在還有多少富余？改回兩個(gè)或者裝大一點(diǎn)封裝的能放下不？如果不行的話就麻煩了，要動大手術(shù)。。。

 

0
回復(fù)
daxia7203
LV.4
29
2011-04-29 10:54
@amonson
成本能接受還有辦法，你的空間現(xiàn)在還有多少富余？改回兩個(gè)或者裝大一點(diǎn)封裝的能放下不？如果不行的話就麻煩了，要動大手術(shù)。。。[圖片] 
這個(gè)我能用嗎？
0
回復(fù)
立
即
發(fā)
帖