以前看過是這么估的.先據(jù)電路算出MOS管的損耗,分三部分,開通損耗,關(guān)斷損耗和通態(tài)損耗.這個(gè)數(shù)乘以MOS管結(jié)到殼的熱阻,便可算出殼到結(jié)的溫升.這個(gè)溫升加散熱片的溫度便是結(jié)溫.想從環(huán)境溫度來算,還的考慮散熱片的熱阻.

謝謝了,viann.
加上50分謹(jǐn)表謝意!

測(cè)量MOS表面的溫度再加上熱阻*P總損耗
P總損耗=導(dǎo)通損耗+關(guān)斷損耗+通態(tài)損耗
因?yàn)镈ATASHEET上給出的節(jié)溫的計(jì)算公式是針對(duì)MOS表面或者管腳來說的,
不知道和散熱片有什么關(guān)系?
找一個(gè)DATASHEET來讀讀就好了!

viann的意思是散熱片與Mosfet接觸的地方的溫度吧.這樣和Mosfet表面的溫度其實(shí)是一個(gè)概念.

給你一個(gè)計(jì)算公式,可以算出mosfet的溫升,還不錯(cuò)1088640818.xls

感謝guoshengyu給出的excel計(jì)算表格，我看了一下，里面的1ms的瞬態(tài)熱阻，從手冊(cè)里面查出來的約為0.13℃/W，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到0.83℃/W，請(qǐng)問這個(gè)0.83℃/W是怎么得出來的？