可能原因如下:
1,MOSFET的型號有差異,
2,PCBlayout時銅箔走線長短有差異,導(dǎo)致這個MOSFET的驅(qū)動信號要提前動作,當(dāng)帶載時其沖擊電流很大,很容易燒壞,
3.散熱器和附近元器件的干擾很大,導(dǎo)致驅(qū)動信號有比較大的干擾!

謝謝你ZHANG FEI,我按照你的見意一一去實驗一下.MOS是同一型號的,你說的2.3兩種情況有可以造成.有可能是干擾造成,我已經(jīng)在MOS的G,D,S都分別加了磁環(huán).還在實驗中.
  祝你在新的一年里:
             工作順利,步步高升.
             財運古滾滾來,彩標(biāo)中500萬.

MOS管和IGBT都可以并聯(lián)使用,但是并聯(lián)使用要求電流可以均衡這點是個問題,因為雖然型號一樣,但每項參數(shù)要求誤差都在5%,如果一個是+5%,一個是-5%,那么差異就大了,這個時候可能導(dǎo)致并聯(lián)中的某一只MOS管先行燒掉,然后剩下的MOS就要承擔(dān)更大的電流,那就更容易燒掉了,所以在做大功率電源的時候,不建議用MOS管并聯(lián),可以采用電流大但管 那樣可靠多了,我以前許多客戶也是用好多MOS并聯(lián),到后來全是換成了大電流的單管,你可以把你的電壓和電流參數(shù)給我,我這里有電流大的單管MOS,絕對不會讓你再為了要并聯(lián)N多MOS而頭疼.當(dāng)然產(chǎn)品也會更可靠了,產(chǎn)品的可靠性是和產(chǎn)品上所用器件的多少有關(guān)系的,器件越多就越不可靠.我聯(lián)系方式:013156438032 朱工
                             QQ:570572820